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公开(公告)号：CN101026177A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
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公开(公告)号：CN1530996A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410002881.7
申请日：2004-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/06333
Abstract: 提供一种使用图案化发射体的电子束光刻装置和一种图案化发射体的制造方法，该图案化发射体具有作为掩模并容易构图的半导体薄膜。该装置包括离开基板支座一预定距离设置的热电发射体，该发射体包括具有在其表面上的介电板的热电板和在介电板上并面对基板支座的图案化半导体薄膜。当加热所述热电发射体时，从没有被图案化半导体薄膜覆盖的介电板中发射出电子。
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公开(公告)号：CN1527358A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03159790.4
申请日：2003-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: H01J37/3175 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/0216 , H01J2237/15
Abstract: 一种电子束聚焦设备在电子束投影微影系统中控制由发射器发射的电子束的路径，该设备有：顶部和底部磁铁，放在装晶片真空室的上面和下面，顶部和底部磁铁产生真空室内的磁场；上部和下部磁极片，从真空室顶部和底部伸出，与底部和底部磁铁磁性地接触；及上部和下部环形伸出部，从上部和下部磁极片相互面对的表面上伸出。所述微影系统包括：围出一放置一晶片空间的真空室；发射器，它在真空室内以预定距离对着晶片分开地设置，发射电子束到晶片上；及有上述结构的电子束聚焦设备。电子束聚焦设备及使用该设备的所述影微影系统能在晶片和电子束发射器之间提供均匀的电/磁场并减小由于真空室振动引起的电子束路径的弯曲。
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公开(公告)号：CN101064359B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610142401.6
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。
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公开(公告)号：CN101192647B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200610163636.3
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L21/31691 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1976039B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
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公开(公告)号：CN101237025B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710303534.1
申请日：2007-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 文昌郁 , 田重锡 , 布里姆·埃尔莫斯塔法 , 梁铉德
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1675 , Y10S438/957 , Y10S438/958 , Y10S977/735 , Y10S977/742 , Y10S977/943
Abstract: 实施例可以提供非易失性存储器件和构造非易失性存储器件的示例方法。实施例非易失性存储器件可以包括在衬底上的开关装置和/或电连接至该开关装置的存储节点。存储节点可以包括电连接至该开关装置的下金属层、堆叠在下金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上金属层、碳纳米管层、和/或钝化层。
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公开(公告)号：CN101064359A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610142401.6
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。
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公开(公告)号：CN1991940A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610132098.1
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G02F2001/136254 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供了一种用于检测使用表面电子发射器件阵列的薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管检测系统以及使用其的检测方法。薄膜晶体管阵列包括多条栅极线、多条源极线、多个连接到栅极线和源极线的单元薄膜晶体管和多个电连接到单元薄膜晶体管的像素电极。该薄膜晶体管检测系统包括表面电子发射器件阵列，该表面电子发射器件阵列具有设置为面向在第一方向的薄膜晶体管阵列的第一电极，沿与第一方向相交的第二方向设置在相应于其中形成了第一电极和相应的像素电极的区域的区域中的第二电极，和插入在第一电极和第二电极之间的绝缘层。
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公开(公告)号：CN1222832C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03131171.7
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3175 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种使用图案化发射体的电子光刻设备。该电子光刻设备包括将图案化金属薄层用作掩模来发射电子的热电发射体。当发射体受热时，电子自发射体的覆盖有图案化介电层的部分发射出，而不从发射体的覆盖有图案化金属薄层的部分发射出来，从而将发射体的图案投影到衬底上。为了防止所发射的电子束发散，电子束通过磁体、DC磁场发生器或偏转器来控制。因此，可以容易地在衬底上获得所需图案的一比一或x比一的投影。
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