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公开(公告)号：CN110556455A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910445913.7
申请日：2019-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了利用LED制造显示模块的方法。一种制造显示模块的方法，包括以下步骤：制备第一衬底结构，其包括含多个LED单元的发光二极管(LED)阵列、连接至第一和第二导电类型的半导体层的电极焊盘和覆盖LED阵列的第一键合层；制备第二衬底结构，其包括布置在第二衬底上的多个薄膜晶体管(TFT)单元，并且每个TFT单元具有源极区、漏极区和布置在它们之间的栅电极，通过形成电路区和通过形成覆盖电路区的第二键合层来提供第二衬底结构，其中，布置为分别对应于电极焊盘的连接部分暴露于第二衬底结构的一个表面；分别将第一键合层和第二键合层平面化；以及将第一衬底结构和第二衬底结构彼此键合。
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公开(公告)号：CN109962081A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811207297.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光器件封装包括：第一波长转换部和第二波长转换部，转换入射光的波长以提供具有转换波长的光；透光分隔结构，沿着厚度方向沿着第一波长转换部和第二波长转换部的侧表面延伸，以将第一波长转换部和第二波长转换部沿着与厚度方向相交的方向分离；以及包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的单元阵列，沿着厚度方向分别与第一波长转换部、第二波长转换部和透光分隔结构重叠。
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公开(公告)号：CN109962060A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811316171.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 提供了发光器件封装和显示设备，发光器件封装包括：单元阵列，包括第一、第二和第三发光器件，每个发光器件包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，该单元阵列具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；透光基板，包括分别与第一发光器件和第二发光器件相对应的第一波长转换部分和第二波长转换部分，并且接合到第一表面；共晶接合层，包括分别与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件相对应的第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，并且将透光基板和第一至第三发光器件彼此接合。
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公开(公告)号：CN106653965B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
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公开(公告)号：CN106653965A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403428B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110281198.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , Y10S977/816
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。III族氮化物纳米棒发光装置包括：基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电III族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电III族氮化物纳米棒分别形成在所述多个开口中，其中，每个第一导电III族氮化物纳米棒具有顺序地形成在其表面上的有源层和第二导电半导体层。
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公开(公告)号：CN117423718A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310865016.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备包括：电路板，其包括驱动电路；以及像素阵列，其设置在电路板上并包括像素，像素中的每一个具有多个子像素。像素阵列包括：半导体堆叠件、导电分隔结构和波长转换部分。半导体堆叠件包括分别构成多个子像素的LED单元。LED单元中的每一个至少包括有源层和第二导电类型半导体层。导电分隔结构设置在位于半导体堆叠件上的分别与LED单元重叠的子像素空间之间，并被设置为第一电极。波长转换部分分别设置在子像素空间上。
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公开(公告)号：CN108695355A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810234077.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L27/156 , F21K9/232 , F21V19/001 , F21Y2115/10
Abstract: 一种半导体发光装置包括：多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，其位于所述多个发光单元上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其位于绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其位于绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号：CN108206233A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710984983.0
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , F21K9/232 , F21K9/237 , F21K9/275 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L33/52 , H01L33/005
Abstract: 提供了一种发光二极管(LED)封装件和制造LED封装件的方法。LED封装件包括：反射结构，其包括腔体、具有通孔的底部和包围腔体和底部的侧壁部分，侧壁部分具有倾斜的内侧表面；插入通孔中的电极焊盘；腔体中的底部上的LED，所述LED包括电连接至电极焊盘的发光结构和形成在发光结构上的荧光体；以及透镜结构，其填充腔体并且形成在反射结构上。
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公开(公告)号：CN105009309B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480011240.X
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。
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