公开(公告)号：CN109671462B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN116364151A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202210966737.3

申请日：2022-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨永辉 ,  张俊锡

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的编程方法。非易失性存储器装置包括至少一个存储器块和控制电路。至少一个存储器块包括被划分为在竖直方向设置的多个堆叠件的多个单元串，并且多个堆叠件中的每个堆叠件包括至少一条伪字线。控制电路通过在编程执行时段期间将编程电压施加至多个单元串的选择的字线，并且通过在编程执行时段期间降低施加至多个堆叠件中的至少一个上堆叠件的至少一条伪字线的伪电压的电压电平，来控制编程操作。至少一个上堆叠件在竖直方向上设置在比选择的堆叠件高的位置处，并且来自多个堆叠件中的选择的堆叠件包括选择的字线。

公开(公告)号：CN114203217A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110838978.5

申请日：2021-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志秀 ,  金炯坤 ,  朴商秀 ,  张俊锡 ,  金珉奭

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C5/14 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种通过使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备。所述存储设备利用特定时间差控制感测偶数页面缓冲器电路的位线的感测时间点以及感测奇数页面缓冲器电路的位线的感测时间点，并且以偶数感测和奇数感测的所述顺序执行奇偶感测(EOS)操作。所述存储设备执行两步EOS操作，并根据所述两步EOS操作的结果对选定存储单元执行主感测操作。

公开(公告)号：CN114067887A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110540240.0

申请日：2021-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹诚敏 ,  朴商秀 ,  张俊锡 ,  姜沂勋 ,  崔容赫

IPC: G11C16/10

Abstract: 提供了一种在编程期间执行双向沟道预充电的非易失性存储器件。非易失性存储器件的编程操作在对选定存储单元进行编程之前，对多个单元串的沟道同时执行在位线方向上的第一预充电和在源极线方向上的第二预充电，以初始化所述沟道。所述第一预充电操作通过第一串选择晶体管和第二串选择晶体管使用被施加到所述位线的第一预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电，而所述第二预充电操作通过第一接地选择晶体管和第二接地选择晶体管使用被施加到所述源极线的第二预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电。

公开(公告)号：CN112951301A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011293965.6

申请日：2020-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张俊锡

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/14 ,  G06F13/16 ,  G06F12/0882 ,  G06F3/06

Abstract: 一种存储系统的操作方法，包括：将存储控制器中的多页面数据预编程到非易失性存储器件；基于所述多页面数据中的多位数据生成状态组代码，并且所述状态组代码中的每一个状态组数据的位数少于相应的所述多位数据的位数；检测在所述预编程之后是否发生突然断电；响应于检测到发生所述突然断电，将所述状态组代码备份到所述非易失性存储器件；在从所述突然断电恢复电力之后，基于所述状态组代码从所述非易失性存储器件恢复所述多页面数据；将所述多页面数据重新编程到所述非易失性存储器件；以及响应于检测到未发生所述突然断电，将所述存储控制器中的所述多页面数据重新编程到所述非易失性存储器件。

公开(公告)号：CN102682848B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201210071622.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知尚 ,  张俊锡 ,  朱相炫

IPC: G11C16/34 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置、存储器卡、固态驱动器、系统及其操作方法。一种将多位数据编程到多级非易失性存储器单元(MLC)的方法包括：将数据的第一页编程到MLC；响应于第一页的编程，将第一页标志编程为初始的第一标志状态；将数据的第二页编程到MLC；响应于第二页的编程，确定第一页是否已经被编程；如果第一页已经被编程，则响应于第二页的编程，将第一页标志编程为与初始的第一标志状态不同的最终的第一标志状态，如果第一页尚未被编程，则在第二页的编程期间禁止对第一页标志的编程。

公开(公告)号：CN102682848A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210071622.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知尚 ,  张俊锡 ,  朱相炫

IPC: G11C16/34 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置、存储器卡、固态驱动器、系统及其操作方法。一种将多位数据编程到多级非易失性存储器单元(MLC)的方法包括：将数据的第一页编程到MLC；响应于第一页的编程，将第一页标志编程为初始的第一标志状态；将数据的第二页编程到MLC；响应于第二页的编程，确定第一页是否已经被编程；如果第一页已经被编程，则响应于第二页的编程，将第一页标志编程为与初始的第一标志状态不同的最终的第一标志状态，如果第一页尚未被编程，则在第二页的编程期间禁止对第一页标志的编程。