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公开(公告)号：CN102543166A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110449300.4
申请日：2011-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔在承
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/145 , G11C5/147
Abstract: 本发明提供一种包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法。描述了一种静态随机存取存储器(SRAM)，所述SRAM包括位单元，所述位单元与字线相连接、连接在位线和互补位线之间并接收来自写辅助电路的内部电压。所述写辅助电路包括功率控制电路和补偿电路，所述功率控制电路响应于至少一个控制信号来对内部电压线进行充电/放电以提供所述内部电压，所述补偿电路控制所述内部电压的电平。
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公开(公告)号：CN107093452B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710031066.0
申请日：2011-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔在承
IPC: G11C11/413 , G11C5/14
Abstract: 本发明提供一种包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法。描述了一种静态随机存取存储器(SRAM)，所述SRAM包括位单元，所述位单元与字线相连接、连接在位线和互补位线之间并接收来自写辅助电路的内部电压。所述写辅助电路包括功率控制电路和补偿电路，所述功率控制电路响应于至少一个控制信号来对内部电压线进行充电/放电以提供所述内部电压，所述补偿电路控制所述内部电压的电平。
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公开(公告)号：CN104978994B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510146344.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063
Abstract: 提供了集成电路、控制存储器件的操作定时的方法、应用处理器和电力管理器。所述应用处理器包括：电力管理器，被配置为在多个操作电力等级当中确定第一操作电力等级，确定与第一操作电力等级相应的第一定时容限，生成指示第一定时容限的第一格雷码信号，以及输出第一格雷码信号；和第一存储器件，被配置为根据由第一格雷码信号指示的第一定时容限调整操作定时，其中，所述电力管理器被配置为向第一存储器件提供第一操作电力等级。
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公开(公告)号：CN109493896A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810929992.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C8/14 , G11C11/418
Abstract: 本发明提供了包括辅助电路的电压控制电路和包括所述电压控制电路的存储器装置。所述存储器装置包括：易失性存储器单元阵列，其连接到多个字线并且包括存储器单元，所述存储器单元包括至少一个晶体管；以及辅助电路，其连接到所述多个字线中的至少一个并调整所述多个字线中的每个的驱动电压电平，其中，所述辅助电路包括二极管NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有彼此连接的栅极和漏极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427390A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810899680.3
申请日：2018-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C7/18 , G11C11/4085 , G11C11/4097 , H01L27/1104
Abstract: 一种存储器件包括存储单元、连接到存储单元的字线、连接到存储单元的位线、连接到存储单元的互补位线、辅助位线、辅助互补位线以及开关电路。存储单元存储单个比特。开关电路响应于要在写操作期间写入储存单元中的数据比特的逻辑电平，通过使用至少一个虚设单元的至少一个或多个晶体管作为开关，将位线和互补位线中的一个电连接到辅助位线和辅助互补位线中的一个，并且至少一个虚设单元不存储数据比特。
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公开(公告)号：CN108694975A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810311688.3
申请日：2018-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C11/412
CPC classification number: G11C7/1096 , G11C5/14 , G11C5/148 , G11C7/1006 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C8/16 , G11C11/4096 , G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 一种存储器件包括：第一写入辅助电路，向与第一位线对连接的第一存储单元提供单元电压或写入辅助电压；第一写入驱动器，通过所述第一位线对向所述第一存储单元提供写入数据；第二写入辅助电路，向与第二位线对连接的第二存储单元提供所述单元电压或所述写入辅助电压；以及第二写入驱动器，通过所述第二位线对向所述第二存储单元提供写入数据。所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的一个响应于列选择信号来提供所述写入辅助电压，并且所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的另一个响应于所述列选择信号来提供所述单元电压，其中，所述列选择信号用于从所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器当中选择一个提供写入数据的写入驱动器。
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公开(公告)号：CN107093452A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710031066.0
申请日：2011-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔在承
IPC: G11C11/413 , G11C5/14
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/145 , G11C5/147
Abstract: 本发明提供一种包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法。描述了一种静态随机存取存储器(SRAM)，所述SRAM包括位单元，所述位单元与字线相连接、连接在位线和互补位线之间并接收来自写辅助电路的内部电压。所述写辅助电路包括功率控制电路和补偿电路，所述功率控制电路响应于至少一个控制信号来对内部电压线进行充电/放电以提供所述内部电压，所述补偿电路控制所述内部电压的电平。
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公开(公告)号：CN102543166B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110449300.4
申请日：2011-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔在承
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/145 , G11C5/147
Abstract: 本发明提供一种包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法。描述了一种静态随机存取存储器(SRAM)，所述SRAM包括位单元，所述位单元与字线相连接、连接在位线和互补位线之间并接收来自写辅助电路的内部电压。所述写辅助电路包括功率控制电路和补偿电路，所述功率控制电路响应于至少一个控制信号来对内部电压线进行充电/放电以提供所述内部电压，所述补偿电路控制所述内部电压的电平。
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公开(公告)号：CN100594556C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200510082155.5
申请日：2005-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/413 , G11C7/00
CPC classification number: G11C11/417
Abstract: 一种采用有效电压结构的SRAM，其在工艺-电压-温度(PVT)改变时仍能稳定。该SRAM为SRAM单元提供的有效电源电压是通过将电源电压降低一晶体管的阈值电压而得到的，且有效地电压是通过将地电压提升一晶体管的阈值电压而得到的。由于使用二极管型的PMOS和NMOS晶体管连接在电源电压与有效电源电压之间，且使用二极管型的NMOS和PMOS晶体管连接在地电压与有效地电压之间，就提供了即使在不同PVT变化下仍稳定的有效电源电压电平和有效地电压电平，因此具有稳定的低漏电流特性。
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