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公开(公告)号：CN1956225A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610152496.X
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/15 , H01L27/32 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。
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公开(公告)号：CN1828914A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610057753.1
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN101097928B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200710126331.X
申请日：2007-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/12 , H01L27/1248
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该TFT阵列基板的制造方法，在所述TFT阵列基板中，在接触部分中提供了导电材料之间足够大的接触面积。所述TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上的栅极互连线、覆盖所述栅极互连线的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、包括设置在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极的数据互连线、设置在所述数据互连线上并暴露所述漏电极的第一钝化膜、设置在所述第一钝化膜上的第二钝化膜、以及与所述漏电极电连接的像素电极。所述第二钝化膜的外侧壁位于所述第一钝化膜的外侧壁之内。半导体层除了位于所述源电极和所述漏电极之间的部分之外，基本与数据线、源电极和漏电极具有相同的平面形状。
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公开(公告)号：CN1956225B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610152496.X
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/15 , H01L27/32 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。
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公开(公告)号：CN1828914B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200610057753.1
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1897285B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610098474.X
申请日：2006-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/133
CPC classification number: H01L27/124 , G02F2001/13629 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101221925A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710306900.9
申请日：2007-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。
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公开(公告)号：CN1996602A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610156474.0
申请日：2006-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/124
Abstract: 一种具有低电阻金属层的显示基板和该显示基板的制造方法。栅极导体沿第一方向延伸。源极导体沿与第一方向交叉的第二方向延伸并包含钼或钼合金下层以及铝或铝合金上层。该像素区域由栅极导体和源极导体限定。在每个像素区域中形成开关元件而且该开关元件包括从栅极导体延伸的栅电极和从源极导体延伸的源电极。该像素电极包含透明导电材料，并且电连接至开关元件的漏电极。
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公开(公告)号：CN1832182A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610056776.0
申请日：2006-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“Ion”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“Ioff”)。
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公开(公告)号：CN1794431A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510129428.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/67069
Abstract: 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。
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