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公开(公告)号:CN111180420A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201911105356.0
申请日:2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面;第一包封剂,覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层,重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层;以及金属层,设置在第一包封剂的上表面上,并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度,并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号:CN111092972A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201910991246.2
申请日:2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子装置。所述电子装置包括可折叠壳体、柔性显示器、至少一个印刷电路板(PCB)和无线通信电路。所述可折叠壳体包括:铰链结构;第一壳体结构,所述第一壳体结构连接到所述铰链结构,并且包括面向第一方向的第一表面、面向与所述第一方向相反的方向的第二表面、以及围绕所述第一表面与所述第二表面之间的第一空间的第一侧部构件;以及第二壳体结构,所述第二壳体结构连接到所述铰链结构,并且包括面向第二方向的第三表面、面向与所述第二方向相反的方向的第四表面、以及围绕所述第三表面与所述第四表面之间的第二空间的第二侧部构件。
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公开(公告)号:CN118433286A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410599550.3
申请日:2020-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了电子设备。电子设备可以包括第一外壳结构、第二外壳结构和用于连接第一外壳结构和第二外壳结构的可折叠外壳结构。第一外壳结构和第二外壳结构可以包括用于将前表面与柔性显示器互连的前板、与前板相对表面的后板、包围前板和后板之间的空间并至少部分地包括导电部分和绝缘部分的侧构件、通信电路和电连接到通信电路的至少一个开关。
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公开(公告)号:CN111180420B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN201911105356.0
申请日:2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面;第一包封剂,覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层,重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层;以及金属层,设置在第一包封剂的上表面上,并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度,并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号:CN110993587B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201910930785.5
申请日:2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,具有第一通孔;半导体芯片,设置在所述第一通孔中,并且具有无效表面和其上设置有连接垫的有效表面;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括接地图案层和电连接到所述半导体芯片的所述连接垫的重新分布层;侧表面覆盖层,至少覆盖所述框架的外侧表面;以及金属层,设置在所述第一包封剂的上表面上,并且沿所述侧表面覆盖层向下延伸以覆盖所述连接结构的侧表面的一部分和所述侧表面覆盖层。
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公开(公告)号:CN115881632A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211097137.4
申请日:2022-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括:在晶片上形成掩模层,所述晶片包括半导体衬底和绝缘层;通过执行第一激光开槽工艺在所述半导体衬底中形成凹槽;通过执行第二激光开槽工艺来扩展由所述第一激光开槽工艺打开的所述掩模层的开口;通过去除所述掩模层的一部分来暴露所述绝缘层的一部分;以及通过执行切割工艺切割所述半导体衬底,同时去除在所述暴露期间所暴露的所述绝缘层的所述一部分。
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