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公开(公告)号:CN111180420A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201911105356.0
申请日:2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面;第一包封剂,覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层,重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层;以及金属层,设置在第一包封剂的上表面上,并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度,并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号:CN117012747A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202310139632.5
申请日:2023-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种具有最大化散热效率的结构的半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括:第一再分布衬底;第一半导体芯片,在第一再分布衬底上;多个通柱,在第一再分布衬底上并围绕第一半导体芯片;以及第二再分布衬底,位于第一半导体芯片和通柱之上,其中,第一半导体芯片的顶表面与第二再分布衬底的底表面接触。
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公开(公告)号:CN110993587A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201910930785.5
申请日:2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,具有第一通孔;半导体芯片,设置在所述第一通孔中,并且具有无效表面和其上设置有连接垫的有效表面;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括接地图案层和电连接到所述半导体芯片的所述连接垫的重新分布层;侧表面覆盖层,至少覆盖所述框架的外侧表面;以及金属层,设置在所述第一包封剂的上表面上,并且沿所述侧表面覆盖层向下延伸以覆盖所述连接结构的侧表面的一部分和所述侧表面覆盖层。
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公开(公告)号:CN111180420B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN201911105356.0
申请日:2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面;第一包封剂,覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层,重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层;以及金属层,设置在第一包封剂的上表面上,并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度,并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号:CN110993587B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201910930785.5
申请日:2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,具有第一通孔;半导体芯片,设置在所述第一通孔中,并且具有无效表面和其上设置有连接垫的有效表面;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括接地图案层和电连接到所述半导体芯片的所述连接垫的重新分布层;侧表面覆盖层,至少覆盖所述框架的外侧表面;以及金属层,设置在所述第一包封剂的上表面上,并且沿所述侧表面覆盖层向下延伸以覆盖所述连接结构的侧表面的一部分和所述侧表面覆盖层。
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