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公开(公告)号：CN1619817A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410102330.8
申请日：2004-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L27/0922
Abstract: 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。
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公开(公告)号：CN120035148A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411571345.2
申请日：2024-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括下电极、在下电极上的上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构。电介质层结构包括与下电极接触的第一电介质层、与第一电介质层接触的第二电介质层以及与上电极接触的第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括反铁电材料。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层的反铁电材料为相同材料类型，并且硅掺杂剂被包括在与第一电介质层和下电极之间的界面相邻的区域以及与第三电介质层和上电极之间的界面相邻的区域中。
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公开(公告)号：CN118678665A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311768945.3
申请日：2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器装置可包括：衬底，其包括第一杂质区和第二杂质区；第一字线，其在衬底的区中，且第一杂质区在第一字线的一侧上，而第二杂质区在第一字线的另一侧上；位线，其连接至第一杂质区；第一导电图案，其连接至第二杂质区；第一导电图案上的第一局部电极和第二局部电极；第一电介质层，其接触第一局部电极的上表面和第二局部电极的上表面；以及第一电介质层上的公共电极。第一局部电极的上表面的面积可与第二局部电极的上表面的面积不同。
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公开(公告)号：CN118042830A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311406000.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底；衬底上的多个下电极；至少一个支撑层，与多个下电极接触；在多个下电极和至少一个支撑层上的介电层；以及介电层上的上电极。多个下电极中的每个下电极可以包括第一下电极和在第一下电极上的第二下电极。至少一个支撑层可以包括与第一下电极的上部区域的侧表面接触的第一支撑层。第二下电极的最上端的水平可以高于第一支撑层的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN113437020B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110577222.X
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成三维(3D)结构；形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分；以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层，其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117727742A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311198035.6
申请日：2023-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电容器结构包括第一下导电图案、第一电容器、第一上导电图案、第二下导电图案、第二电容器和第二上导电图案。第一电容器包括第一下电极、第一上电极和第一介电结构。每一个第一介电结构设置在第一下电极之一与第一上电极中的对应第一上电极之间。第一上导电图案形成在第一上电极上并且电连接到第一上电极。第二下导电图案与设置在衬底上的第一下导电图案间隔开。第二电容器包括第二下电极、第二上电极和第二介电结构。第二上导电图案形成在第二上电极上并且电连接到第二上电极。第一导电图案和第二导电图案彼此电绝缘。
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公开(公告)号：CN117641935A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311110640.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B53/30
Abstract: 一种集成电路器件包括设置在衬底上的晶体管和与晶体管电连接的电容器结构，其中电容器结构包括第一电极、设置在第一电极上的电介质膜复合物和设置在电介质膜复合物上的第二电极，电介质膜复合物包括包含反铁电材料的第一电介质膜、分布和设置在第一电介质膜中的第二电介质填充物、以及分布和设置在第一电介质膜中的第三电介质填充物，第二电介质填充物包含铁电材料，第三电介质填充物包括顺电材料，并且具有比第二电介质填充物的平均直径小的平均直径。
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公开(公告)号：CN109935585B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201810833546.3
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。
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公开(公告)号：CN115955910A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211209632.X
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。
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公开(公告)号：CN114729448A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202180006854.9
申请日：2021-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/44 , C23C16/52
Abstract: 根据本发明的实施例的沉积系统包括：反应室；气体供应单元，其用于将气态前体供应到反应室；反应物供应单元，其用于将与前体反应的反应物供应到反应室；以及排放单元，其用于从反应室排出排放物，其中：气体供应单元包括顺序地连接的副箱、液体流量控制器和蒸发器；前体借助于自动填充系统以液态填充到气体供应单元的副箱中，并且经由副箱、液体流量控制器和蒸发器被供应到反应室；并且排放单元包括应用等离子体预处理系统的处理工艺室、泵和洗涤器，从而稳定地供应前体而不更换罐，提高泵的寿命，并且提高洗涤器的效率。因此，通过使用根据本发明的实施例的沉积系统，从大规模生产的视角来看，可以提高设备的维护和管理的容易性。
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