公开(公告)号：CN108431545A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680074722.9

申请日：2016-12-07

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 让-菲利浦·皮埃尔 ,  苏武佑 ,  伯努瓦·图伊

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明涉及一种用于测量诸如晶片等测量对象(24)的高度和/或厚度的装置，包括：(i)第一低相干干涉仪，布置成将参考光束(17)和源自所述光在测量对象(24)的界面上的反射的测量光束(16)组合在光谱仪(18)中，以便产生具有光谱调制频率的带光谱信号(41)；(ii)用于改变测量光束(16)和参考光束(17)的相对光学长度的移动单元(21)，和用于测量表示所述相对光学长度的位置信息的单元；(iii)电子和计算单元(20)，布置成确定表示测量光束(16)和参考光束(17)之间的光程差的至少一个光谱调制频率，并使用所述位置信息和所述至少一个光谱调制频率来确定所述测量对象(24)的至少一个高度和/或厚度；以及(iv)第二光学单元(27)，用于利用第二测量光束(28)来测量距离和/或厚度，其中该第二测量光束入射到测量对象(24)上的与测量光束(16)相反的第二面上。本发明还涉及在所述装置中实施的方法。

公开(公告)号：CN101057298B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200580038024.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： D·赖纳森 ,  C·J·谢瓦利耶 ,  W·金尼 ,  R·兰伯特森 ,  S·W·龙科尔 ,  J·E·小桑切斯 ,  L·施洛斯 ,  P·F·S·斯沃布 ,  E·R·沃德

IPC: G11C16/02 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/8616 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 一种使用混合价导电氧化物的存储器。该存储器包括在缺氧状态下具有较弱导电性的混合价导电氧化物以及电解隧道势垒，该电解隧道势垒为氧的电解质并促使电场有效以引起氧离子运动。

公开(公告)号：CN1977337A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200480043484.2

申请日：2004-05-03

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： C·J·舍瓦利耶 ,  W·I·金尼 ,  S·W·龙科尔 ,  D·里纳森 ,  J·E·小桑切兹 ,  P·斯沃布 ,  E·R·沃德

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74

Abstract: 提供一种存储器(3700)。存储器包括非易失性存储单元阵列(3720)，每个存储单元包括两端子存储器插塞，存储器插塞在施加第一写电压脉冲时从第一电阻状态切换到第二电阻状态，并且在施加第二写电压脉冲时，相反地从第二电阻状态切换到第一电阻状态。

公开(公告)号：CN109313231B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201780037424.7

申请日：2017-06-01

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 西尔万·珀蒂格朗德

IPC: G01R31/28 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明涉及一种用于定位集成电路晶片(W)的定位装置(100)，包括：‑称为上基座的基座(102)和称为下基座的基座(106)，所述基座在称为垂直方向的方向(Z)上彼此相距一定距离布置，以便在所述基座(102，106)之间产生自由空间；‑支撑件(110)，其能够在上基座(102)和下基座(106)之间移动，并包括用于接收待检测的所述电路板(W)的接收位置(112)；‑用于定位所述支撑件(110)的至少一个第一装置(118)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述上基座(102)或与所述上基座(102)配合；和‑用于定位所述支撑件(110)的至少一个第二装置(122)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述下基座(106)或与所述下基座(106)配合。本发明还涉及一种用于检测使用这种定位装置的集成电路板的装置。

公开(公告)号：CN106796099B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201580052115.8

申请日：2015-09-18

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 吉莱斯·弗莱斯阔特

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/24 ,  G01N21/95 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的设备或仪器，其包括(i)轮廓测定装置(10)，其被布置为根据至少一个测量区域对晶片(12)的所述第一表面(13)进行形状测量；(ii)成像装置(11)，其面对所述轮廓测定装置(10)，并且被布置为根据至少一个成像区域在晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像；所述轮廓测定装置(10)和所述成像装置(11)被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系(15)内参照就位。本发明还涉及在所述设备或仪器中实施的方法。

公开(公告)号：CN111868471A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980017172.0

申请日：2019-01-25

Applicant: 统一半导体公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  斯特凡·戈德尼

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24

Abstract: 本发明涉及一种用于测量待测量对象(300)的表面(400)的轮廓的方法(100)，所述表面尤其包括由至少两种不同材料制成的区域，待测对象(300)形成多个基本上相同的对象的部分，多个对象还包括具有至少一个参考表面的至少一个参考对象(304、306)，所述方法(100)包括以下步骤：根据第一参考表面的第一轮廓信号和第二参考表面的第二轮廓信号，确定(102)校正函数，所述第二参考表面被金属涂覆；获取(110)待测对象的表面的轮廓信号；以及将校正函数应用(116)于待测对象(300)的表面(400)的轮廓信号，以获得经校正的轮廓信号；所述轮廓信号是从干涉测量(104、112)获得的。本发明还涉及一种用于使用这种方法来测量对象的表面的轮廓的装置。

公开(公告)号：CN108885095A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019774.0

申请日：2017-03-13

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 吉莱斯·弗莱斯阔特 ,  阿兰·库特维尔 ,  菲利普·加斯塔尔多

IPC: G01B11/24 ,  G02B21/00 ,  G01N21/956 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种检测诸如包括三维结构(11)的晶片等对象(10)的表面的方法，其使用具有多个光学测量通道(24)的共焦色差装置和色差透镜(13)，色差透镜(13)允许宽频带光源(19)的光学波长聚焦在限定色差测量范围的不同的轴向距离处，该方法包括以下步骤：通过测量由共焦配置的光学测量通道(24)中的至少一些测量通道收集的光在全光谱上的总强度，来获得与在对象(10)上的多个测量点(15)处，实际聚焦在色差测量范围内的对象(10)的界面上的光的强度相对应的强度信息。

公开(公告)号：CN107076547B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201580052310.0

申请日：2015-09-29

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 马约·杜朗德热维涅 ,  菲利普·加斯塔尔多

IPC: G01B11/24 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95

Abstract: 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。

公开(公告)号：CN101057298A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038024.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： D·赖纳森 ,  C·J·谢瓦利耶 ,  W·金尼 ,  R·兰伯特森 ,  S·W·龙科尔 ,  J·E·小桑切斯 ,  L·施洛斯 ,  P·F·S·斯沃布 ,  E·R·沃德

IPC: G11C16/02 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/8616 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 一种使用混合价导电氧化物的存储器。该存储器包括在缺氧状态下具有较弱导电性的混合价导电氧化物以及电解隧道势垒，该电解隧道势垒为氧的电解质并促使电场有效以引起氧离子运动。

公开(公告)号：CN114450778B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202080068610.9

申请日：2020-09-16

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  统一半导体

Inventor： 桑原登 ,  凯文·奎因奎特 ,  飞利浦·格斯塔多

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明提供一种晶圆的第二薄膜的膜厚分布的测量方法，该晶圆具有基板、该基板表面上的第一薄膜、以及该第一薄膜上的第二薄膜，在该测量方法中，通过光学显微镜进行对焦而求出焦点的高度Z1，该光学显微镜具有使用了波长λ0的照射光的自动对焦功能，确定用于获得第二薄膜的观察图像的照射光的波长λ1，一边以Z1为基准而使焦点的高度变化，一边使用波长λ1的照射光获得第二薄膜的观察图像，计算观察图像内的反射光强度分布的标准偏差，获得与标准偏差为最大的峰值位置的焦点对应的高度Z2，并计算Z1与Z2的差ΔZ，以ΔZ为修正值进行自动对焦功能的修正，使用经过修正的自动对焦功能进行对焦，获得第二薄膜的观察图像，根据观察图像内的反射光强度分布计算膜厚分布。由此，提供一种能够高精度且稳定地进行膜厚分布的测量的方法。