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公开(公告)号：CN118280818A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410410912.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法，涉及半导体器件制造领域。该复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法具体包括制备：提供Si基GaN外延片，在Si基GaN外延片上进行光刻，在待刻蚀区域表面形成光刻胶层；在所述光刻胶层和非刻蚀GaN窗口区域的表面制备复合掩膜层，复合掩膜层的层与层之间直接接触，制备过程连续；光刻后留下非刻蚀GaN窗口区域表面的复合掩膜层，利用所述复合掩膜层保护非刻蚀区域，将待刻蚀区域的GaN外延片刻蚀到指定深度获得Si基GaN图形阵列结构。本发明能够解决保持刻蚀深度的同时，控制掩膜厚度尽可能薄，提高掩膜图案精度。在刻蚀多种材料时无需要换用不同掩膜，从而减小刻蚀工艺难度及其复杂性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118053947A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251588.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度；引入牺牲层金属，于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构；另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘，或制备金属/介质凸起结构；两侧晶圆对准热压，形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中，绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光（CMP）和光刻工艺，制备工艺简单、成本低，并且实现了键合点的自对准和滑移锁止，可大幅提升键合强度和良率，获得高可靠性的Micro‑LED器件。
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公开(公告)号：CN118053933A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410273817.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L31/12 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体器件，具体涉及具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法。所述具有光探测与发光双功能的光电器件包括依次层叠的以下各层：N型GaN层；光吸收层，所述光吸收层为Si掺杂的InxGa1‑xN/GaN超晶格，其中0.01≤x≤0.16；发光层，所述发光层为Si掺杂的InyGa1‑yN/GaN量子阱，其中0.16≤y≤0.4；P型AlGaN层；以及P型GaN层。
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公开(公告)号：CN117995968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311585140.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，AlxGa1‑xN保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长步骤：在T1温度下生长InGaN阱层；在生长AlxGa1‑xN保护层过程中将温度从T1线性升高到T2，且使AlxGa1‑xN保护层中Al组分渐变减少；升温至T3生长GaN势垒层。相比较现有技术中单层的AlxGa1‑xN保护层，采用递增温度和递减组分方式生长的AlxGa1‑xN保护层，能阻挡高温下InGaN阱层中的In的分解，提高InGaN阱层的晶体质量，且有利于提高AlxGa1‑xN保护层的晶体质量，为GaN势垒的生长提供更好的界面，从而提高长波段LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN117702077A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311571692.0
申请日：2023-11-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: C23C16/18 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种用于MOCVD设备的衬体载盘旋转驱动装置。在MOCVD真空反应腔内通过内转子轴承安装有旋转支撑件，MOCVD真空反应腔外相应位置设有外电磁线圈；旋转支撑件上方连接支撑衬体载盘，旋转支撑件下方镶嵌有磁性材料镶嵌块，磁性材料镶嵌块与外电磁线圈产生驱动力耦合。本发明将驱动电机和MOCVD真空反应腔集成为一体，采用电磁直驱方式驱动MOCVD衬体载盘转动，缩短系统传动链，提升了系统动态特性，实现近零传动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119836078A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510000195.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED器件自对准填槽与钝化的方法，包括以下步骤：提供Micro‑LED器件，Micro‑LED器件包含阵列单元和阵列单元之间的沟槽；在Micro‑LED器件上制备介质层，介质层填充沟槽并覆盖所有阵列单元；固化介质层；使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，直至裸露所有阵列单元的上表面，在沟槽处形成图形化的钝化层。使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，无需制备掩膜和光刻，且可通过刻蚀工艺精准调控介质层高度，工艺简单；同时，由于规避了对版工步和显影液腐蚀工步，该工艺方法能够消除对版误差带来的界面间隙和台面残留问题，能够不受形状和尺寸约束地形成连接紧密的图形化钝化层，增加钝化结构的抗蚀刻性，提升器件制造良率。
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公开(公告)号：CN118867064A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410833996.8
申请日：2024-06-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基Micro‑LED阵列隔离沟槽的制备方法，通过湿法刻蚀氮化镓外延层制备隔离沟槽，同时完成Micro‑LED阵列的图形化。通过在湿法刻蚀外延层前，对外延层的厚度、粗化效果进行控制等步骤实现高像素图形的隔离，实现提高Micro‑LED器件侧壁的平整度与光滑度的同时提升Micro‑LED阵列的均匀性。本发明在增大Micro‑LED器件均匀性与稳定性的同时制备隔离沟槽，不损伤Micro‑LED器件的其他金属结构，具有操作简单、侧壁损伤小、生产效率高、设备简单、无金属溅射等优点，实际应用价值高。
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公开(公告)号：CN118738237A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410963470.1
申请日：2024-07-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种双层微结构阵列的制备方法，基于主动制冷形成的微液滴作为压印微结构阵列的模板，通过采用双层聚合物薄膜作为牺牲层，通过主动制冷引入液滴阵列，引入上下双层聚合物薄膜同时在第二聚合物薄膜的上下表面实现微结构的压印制备，实现在第二聚合物薄膜的双表面上获得形貌可控的双层微结构阵列。本发明还公开了一种多基色LED封装结构，包括封装基板、若干不同基色的LED芯片、固晶层、引线、一次光学透镜、反光层和具有双层微结构阵列的聚合物薄膜，对比传统封装结构，双层微结构阵列可以有效混合散射的不同颜色光，将其应用于多基色LED封装中，显著提升了光源的空间颜色均匀性（ACU）。
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公开(公告)号：CN118042672B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410437484.X
申请日：2024-04-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H05B45/30 , H05B45/20 , H05B45/345 , H05B45/56 , H05B47/165
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED无粉光源的配光装置及配光方法，该装置包括系统控制单元、混光单元、光谱采集单元、温度控制单元、驱动单元，混光单元中布置了光谱探头、热沉以及置于热沉上的多基色LED无粉光源；其中，温度控制单元接收到系统控制单元发送的温度设置指令改变热沉的温度，从而改变多基色LED无粉光源基板的温度，驱动单元在接收到系统控制单元发送的各路电流设置指令改变多基色LED无粉光源的每路电流大小，光谱采集单元与光谱探头电信连接，以在某个温度和电流组合下点亮多基色LED无粉光源后，获取光谱探头采集到的多基色LED无粉光源发出的光色数据。本发明中解决了现有技术中配光不准确的问题。
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公开(公告)号：CN118538835A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410713135.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层；S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元；S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层；S4金属键合层与金属键合单元完成键合；S5去除硅衬底；S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化；S7分割外延层形成芯片单元，芯片单元与金属键合单元一一对应；S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层；S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元，金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元；S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层；S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极，获得Micro‑LED发光模组。
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