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公开(公告)号：CN109980008A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711455438.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种CoolMOS结构，用以提高击穿电压，其中所述为该CoolMOS的制作结构，包括漂移区以及漂移区掺杂浓度的情况。该漂移区的掺杂浓度情况由虚线标出。该方法包括该漂移区制作的步骤，以及在漂移区制作的过程中调节漂移区的掺杂浓度而使其达到提高击穿电压的目的。该方法在不增加掩模板以及制造成本的前提下，提出一种新的方法来提高VDMOS的击穿电压。
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公开(公告)号：CN109979985A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452884.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中包括阶梯型埋氧层和双层复合介质埋层结构，埋氧层从源端到漏端成阶梯型，在漏洞下方为双层复合介质埋层。该阶梯型埋氧层为双面阶梯型，层复合介质埋层中间填充多晶硅，且两层埋氧层开有窗口。
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公开(公告)号：CN109979887A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454893.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本发明提出了一种新的SOI LDMOS器件结构，涉及一种适合于高低压封装集成的大功率结构。该结构包括半导体衬底层，介质埋层，顶层硅以及场氧层。其中介质埋层采用低K介质材料，顶层硅中漂移区采用分区梯级掺杂，漂移区上表面淀积场氧层，器件栅、漏级采用场板技术。
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公开(公告)号：CN109149783A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710493318.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
IPC: H02J50/10
Abstract: 本发明公开了一种无线供能方法及相关装置，以实现低电压、高效率、绿色安全、方便实用的无线充能方案。其中发射能量的线圈由多组能量发射线圈组成，该方法包括步骤：依次驱动能量发射线圈向能量接收装置发射能量；能量接收装置接收能量后，返回各个反馈信号，所述反馈信号与每次发射能量的能量发射线圈唯一对应；根据各个反馈信号，驱动相应能量发射线圈发射能量；能量接收装置接收并存储能量。
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公开(公告)号：CN109149664A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710490408.5
申请日：2017-06-26
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
Abstract: 本发明公开了接收端电源管理装置及无线供能系统，该装置用于无线供能系统，以解决现有无线供能技术无法提供峰值功率的问题，该装置包括：包括储能元件及峰值电流放电回路，所述储能元件包含超级电容；以及所述峰值电流放电回路连接至该超级电容，用于在接收超级电容传输来的能量后，输出峰值功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109149543A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710498691.6
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
IPC: H02H9/04
CPC classification number: H02H9/046
Abstract: 本发明提供了一种可以用于交流环境的限压保护电路，以降低系统静态功耗，减小衬底电流，消除闩锁效应。发明中所述的保护电路，包含电压初步检测电路，其静态电流几乎为零；包括一个大电流泄放通路，用以泄放在限幅发生时提供电荷泄放通路；包括两个辅助衬底晶体管，用以在交流环境中正确的偏置电路中所有P型场效应晶体管的衬底于最高电位，消除衬底电流，降低泄漏电流，确保电路正常稳定的工作，此外，为了提高限压保护电路的灵敏度，电路还可以包括一个运算放大器电路。
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公开(公告)号：CN109148434A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710496025.9
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 陆宇
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供了一种纳米工艺下提高有源器件性能的设计方法，该方法设计条形衬底（B）并将之位于NMOS器件漏端（D）一侧，与D端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。该方法设计条形衬底（B）并将之位于PMOS器件源端（S）一侧，与S端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。这种有源器件结构可以提高NMOS器件性能，也不会削弱PMOS器件性能,同时不会增加额外的面积。随着工艺节点的降低，STI应力对器件性能的影响越来越显著，此结构器件在更小的工艺节点上对提高器件性能有着很大的提高。
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公开(公告)号：CN109148314A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710493320.9
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 艾占臣
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种测量金属互连线厚度和宽度的测试结构和方法，该测试结构包括栅栏型和蜿蜒状的金属互连线结构，通过测量栅栏型和蜿蜒状结构的电阻来提取金属互连线的等效厚度和宽度。
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公开(公告)号：CN109142841A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710498638.6
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
CPC classification number: G01R19/0092 , G01R29/02 , G01R29/04 , G01R31/001
Abstract: 本发明提出用于IGBT器件电流波形检测的测试板结构，以有效捕捉与国际上通用测试规范中典型波形一致的放电电流波形。该结构包括：用于直接接触放电器件的pogo(弹簧单高跷)探针，用于滤除高频干扰的滤波器，用于减小电流峰值方便测试的衰减器，用于转换电流信号的测试电阻以及用于连接所有部分的接地板。所述滤波器和衰减器位于所述接地板上，接地板接金属插座，用以连接示波器。所述接地板含有固定作用的结构，用于与测试系统的其他部分连接。
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公开(公告)号：CN109142800A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710499528.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 陆宇
CPC classification number: G01R1/0408 , G01R31/01
Abstract: 本发明提出了一种可提供统一测试环境的LED批量抗静电测试基座。通过利用它，可控制测试人员在批量样品静电测试中引入环境因素。该方法在恒温条件下，将待测元件通过基座接入静电测试系统。适用于人体模型，机械模型，TLP模型等各种静电检测终端。可排除测试过程中环境的光，热，静电等因素，有效的固定样品，保持测试的统一性。
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