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公开(公告)号：CN106058477B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610311098.1
申请日：2016-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及人工微结构电磁学与电磁超材料领域，是基于人工超表面和具有结构手征特性的微波器件的研究，尤其涉及一种微波段双层金属线结构手征超表面。本发明提供一种微波段双层金属线结构手征超表面，该超表面包含ｎ个单元结构，其中n为大于等于2的整数，所述单元结构包括上层人工微结构、介质衬底以及下层人工微结构，所述单元结构具有四重旋转对称性，其包含四个基本元胞结构，每个基本元胞结构为双金属线天线。超表面整体体积很薄，非常适合应用于小体积集成电磁器件。可以实现很大频段内的纯净的旋光角，并且最大的转动角能达到125°，本发明除了上述的功能性有益效果还具备制作简单，成本较低，可简单采用PCB加工工艺进行制作。
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公开(公告)号：CN107058914B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710311750.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C47/00 , C22C49/06 , C22C49/14 , C22C101/14
Abstract: 一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法，它涉及一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法。本发明为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法按照以下步骤进行：一、制备非定向SiC纳米线增强铝基复合材料；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料预热；三、SiC纳米线低损伤定向排列处理。本发明提供了一种使SiC纳米线在铝基复合材料中低损伤定向排列的方法，工艺方法简单、易操作、复合材料性能优异，易于实现产业化生产及应用。
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公开(公告)号：CN105789905B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610107486.8
申请日：2016-02-26
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及人工微结构电磁学与电磁超材料领域，尤其涉及一种基于金属薄膜反结构的旋磁衬底超表面。本发明提供一种基于金属薄膜反结构的旋磁衬底超表面，该超表面包含ｎp个基本单元结构，所述基板单元结构包括上层人工微结构和下层衬底，其上层人工微结构为超薄型贴片结构，其厚度在微波波段1‑2 GHz小于1毫米，为具有沟槽的完美电导体材料，其下层衬底为具有外磁场响应特性旋磁材料。本发明超表面整体体积很薄，非常适合应用于小体积集成电磁器件，其波导的损耗很小，属于一种无损器件。电磁波在该波导中的传输距离较长可用作远距离的导波装置。还具备制作简单，成本较低，可简单采用PCB加工工艺进行制作。
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公开(公告)号：CN108642315A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810244856.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用回收的SiCp/Al复合材料制备团簇型铝基复合材料的方法，涉及一种团簇型铝基复合材料的制备方法。目的是解决现有方法制备的SiCp/Al复合材料塑性韧性差和SiCp/Al复合材料的回收利用难度大的问题。方法：一、复合材料废料清洗、烘干和分筛；二、复合材料粉末球磨；三、预制体冷压制备；四、模具预热和铝金属熔融；五、液态铝浸渗。有益效果：本发明制备的复合材料为团簇型复合材料，致密度高，拉强度以及塑性好，成本低，工艺难度低，易于实现材料的微观组织设计；本发明适用于制备团簇型铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN108251733A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810091492.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高导热金刚石/铜复合材料的制备方法，涉及一种复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决现有金刚石铜复合材料的制备方法无法实现大尺寸薄片样件的近净成型、高质量、大批量制备的问题。制备方法：将金刚石粉装入模具中振实做成预制体，将预制体吊装在气压浸渗炉内上部的提拉杆下端，将盛有铜合金的坩埚置于炉内预制体下方；抽真空，在惰性气体保护下升温熔铜，下降提拉杆，加压浸渗，保压冷却，卸压，最后脱模。有益效果：本发明方法能实现高效率量产，力学性能高，成品率高，能制备大尺寸薄片样件，样件热导率提高，制备成本低，杂质含量少，成型模具和坩埚都可以重复使用。本发明适用于制备高导热金刚石/铜复合材料及构件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107825776A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711064898.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B9/00 , B32B9/04 , B32B7/08 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B37/06 , B32B37/08 , B32B37/10 , B32B38/16 , B32B38/00 , B22D23/04
CPC classification number: B32B9/005 , B22D23/04 , B32B7/08 , B32B9/041 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B37/06 , B32B37/08 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B38/164 , B32B2038/0052 , B32B2038/168 , B32B2307/714 , B32B2311/24 , B32B2315/02
Abstract: 一种无残余热解碳的层状铝基复合材料的制备方法，涉及一种无残余热解碳的层状铝基复合材料的制备方法。本发明为解决现有层状铝基复合材料制备过程中厚度控制方法复杂、厚度控制不准确、成本高、层状复合材料界面结合性能弱、复合材料制备过程中预制体易坍塌的问题以及制备的层状铝基复合材料中存在残余热解碳的问题。一、称料；二、SiC浆料制备；三、SiC纳米线生片流延成型；四、预制体制备；五、去脂处理、预热及残余热解碳去除；六、液态铝浸渗。本发明实现了热解碳的氧化去除并预热时间缩短，厚度控制方法简单厚度准确、工艺简单，铝金属箔分隔了SiC纳米线层且能保证复合材料层状结构的完整性；复合材料界面结合优异。
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公开(公告)号：CN107824769A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711065756.4
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种流延成型法与压力浸渗法结合制备层状铝基复合材料的方法，涉及一种层状复合材料的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中层厚调控工艺复杂、界面结合性能弱和制备成本高等问题。方法：一、称料；二、SiC浆料制备；三、SiC粉末生片流延成型；四、预制体制备；五、去脂处理及模具预热；六、液态铝浸渗。本发明制备的层状复合材料的结构为SiCp/Al复合材料层与铝金属层交替的层状复合材料，复合材料层的厚度可以调节，与粉末铺层法相比成本低；与轧制法相比复合材料工艺成本低。本发明适用于制备层状铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN105886849B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610457841.4
申请日：2016-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 镀W金刚石/铝复合材料的制备方法，它涉及一种金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决金刚石与铝发生反应，生成Al4C3，所得复合材料界面结合差、热导率低的技术问题。本方法如下：一、金刚石颗粒表面镀W；二、预热；三、加压浸渗：用炉内压力机施加10～15MPa压力，使熔融铝浸渗入镀W金刚石颗粒中，然后以100℃/h的降温速率降温到300℃以下，卸载压力，关闭真空炉，脱膜，得到镀W金刚石/铝复合材料；金刚石的体积分数为55～65％，致密度≧98％，热导率高达622W/(m·K)，热膨胀系数低至7.08×10‑6/K，弯曲强度高达304MPa。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN107102402A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710424024.3
申请日：2017-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提出了一种基于极化共振和布拉格共振作用的超透射波导的设计方法，并且将所述超透射波导应用到表面等离激元波导系统中，其基本单元由纳米尺度的金属‑电介质‑金属波导以及周期性排列的侧向耦合共振腔组成。因此这种链式共振腔结构具有类似光子晶体的导波和带隙特性，在单端波导模式的激发下，通过波导模与侧向耦合共振模式发生耦合，从而调制透射特性。具体而言，波导结构的工作频率可通过侧向共振腔的本征频率调控；波导整体可实现滤波、透射以及超透射形成激光态。此外，本发明还利用共振腔的增益、损耗对波导透射特性进行调制。本发明基于耦合模理论和布拉格理论，结合极化共振和布拉格共振相互作用，给出了所述超透射波导的色散关系。
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公开(公告)号：CN107058917A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710316026.0
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C49/06 , C22C49/14 , C22C47/00 , C22F1/04 , C22C101/14
Abstract: 一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明涉及一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明的目的是为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。方法：一、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料的制备；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料及热挤压模具的预热；三、半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料。本发明在固相线以上、液相线以下对SiC纳米线增强铝基复合材料进行热挤压处理。铝基体的晶粒边界发生熔化，铝基体处于固‑液混合状态，对SiC纳米线约束力小。SiC纳米线可以实现低损伤的定向排列。
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