鼻声反射仪、鼻气道测量方法、测量设备和介质

    公开(公告)号:CN114376609B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210285932.X

    申请日:2022-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种鼻声反射仪、鼻气道测量方法、测量设备和介质,该方法包括:通过上位机检测到启动检测信号后,基于FPGA控制器控制电火花发生装置进行周期性放电;基于安装在声波导管中的麦克风采样装置记录电火花发生装置进行周期性放电后产生的声音信号;通过FPGA控制器对麦克风采样装置中的声音信号进行读取和存储后,将存储在FPGA控制器中的声音信号发送至上位机中进行计算,得到鼻气道测量结果。通过将声源由扬声器替换为脉冲极短的电火花,缩短了所需的声波导管的长度,进而避免因螺旋结构的声波导管而导致的鼻气道测量精度下降的问题,通过对连续多次采集的声音信号进行处理计算,进一步提升鼻气道测量的稳定性和测量精度。

    鼻声反射仪、鼻气道测量方法、测量设备和介质

    公开(公告)号:CN114376609A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202210285932.X

    申请日:2022-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种鼻声反射仪、鼻气道测量方法、测量设备和介质,该方法包括:通过上位机检测到启动检测信号后,基于FPGA控制器控制电火花发生装置进行周期性放电;基于安装在声波导管中的麦克风采样装置记录电火花发生装置进行周期性放电后产生的声音信号;通过FPGA控制器对麦克风采样装置中的声音信号进行读取和存储后,将存储在FPGA控制器中的声音信号发送至上位机中进行计算,得到鼻气道测量结果。通过将声源由扬声器替换为脉冲极短的电火花,缩短了所需的声波导管的长度,进而避免因螺旋结构的声波导管而导致的鼻气道测量精度下降的问题,通过对连续多次采集的声音信号进行处理计算,进一步提升鼻气道测量的稳定性和测量精度。

    拉曼光谱的峰位分析方法、系统、终端设备及介质

    公开(公告)号:CN113989578A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111608055.7

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种拉曼光谱的峰位分析方法、系统、终端设备以及计算机可读存储介质,该拉曼光谱的峰位分析方法的步骤包括:基于预设的滑动PCA模型和预设的分类预测模型对所述拉曼光谱进行划分得到多个光谱区间和多个所述光谱区间对应的F1分数,并基于多个所述F1分数从多个所述光谱区间确定最优光谱区间;获取所述最优光谱区间内的原始光谱和所述原始光谱中的多个光谱峰位,并确定多个所述光谱峰位对应的峰位区间的中间位置;根据所述中间位置确定峰均值组,基于多个所述峰均值组对所述原始光谱中的多个所述光谱峰位进行排序,并针对排序后的多个光谱峰位进行分析。本发明能够提高针对拉曼光谱峰位进行分析时的分析效率。

    一种有机电致发光器件
    207.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112133841B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011347649.2

    申请日:2020-11-26

    Abstract: 本发明提供了一种有机电致发光器件,包括从下到上依次设置的阳极层、空穴传输层、第一发光层、激子产生层、第二发光层、电子传输层和阴极层;所述阳极层和/或阴极层可透光;所述第一发光层和第二发光层均包括混合的主体材料和发光体;所述激子产生层包括空穴传输型的p型材料、电子传输型的n型材料、双极性传输材料中的至少两种材料;且所述激子产生层的三重态能级大于或等于直接接触的发光层中的发光体的三重态能级;该有机电致发光器件注入的电子和空穴可以在激子产生层中复合形成激子,使器件的复合区域得到拓宽,避免了激子和极化子的湮灭作用和高能态热激子的形成,使器件的效率滚降降低、工作寿命延长。

    一种有机电致发光器件
    208.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112133841A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202011347649.2

    申请日:2020-11-26

    Abstract: 本发明提供了一种有机电致发光器件,包括从下到上依次设置的阳极层、空穴传输层、第一发光层、激子产生层、第二发光层、电子传输层和阴极层;所述阳极层和/或阴极层可透光;所述第一发光层和第二发光层均包括混合的主体材料和发光体;所述激子产生层包括空穴传输型的p型材料、电子传输型的n型材料、双极性传输材料中的至少两种材料;且所述激子产生层的三重态能级大于或等于直接接触的发光层中的发光体的三重态能级;该有机电致发光器件注入的电子和空穴可以在激子产生层中复合形成激子,使器件的复合区域得到拓宽,避免了激子和极化子的湮灭作用和高能态热激子的形成,使器件的效率滚降降低、工作寿命延长。

    有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件

    公开(公告)号:CN111139527B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010263558.4

    申请日:2020-04-07

    Abstract: 本发明涉及有机半导体领域,尤其公开了一种有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件。本发明的有机晶体材料的制备方法包括:在惰性环境中,将相对叠放的两片金属配合物无定形掺杂膜加热退火,随后冷却至室温,其中所述金属配合物无定形掺杂膜的主体材料为第一金属与第一配体的配合物,客体材料为第二金属与第二配体的配合物;并且,所述第一金属与所述第二金属的金属原子序数之差≥10,所述第一配体与所述第二配体相同或具有空间上相似的结构。根据本发明的制备方法能够得到高浓度掺杂的缺陷诱导的有机晶体材料,且制备得到的有机晶体材料的光致发光光谱具有三重态直接激发的和发射特征,可应用于发光元件。

    有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件

    公开(公告)号:CN111139527A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN202010263558.4

    申请日:2020-04-07

    Abstract: 本发明涉及有机半导体领域,尤其公开了一种有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件。本发明的有机晶体材料的制备方法包括:在惰性环境中,将相对叠放的两片金属配合物无定形掺杂膜加热退火,随后冷却至室温,其中所述金属配合物无定形掺杂膜的主体材料为第一金属与第一配体的配合物,客体材料为第二金属与第二配体的配合物;并且,所述第一金属与所述第二金属的金属原子序数之差≥10,所述第一配体与所述第二配体相同或具有空间上相似的结构。根据本发明的制备方法能够得到高浓度掺杂的缺陷诱导的有机晶体材料,且制备得到的有机晶体材料的光致发光光谱具有三重态直接激发的和发射特征,可应用于发光元件。

Patent Agency Ranking