公开(公告)号：CN107204284A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710320920.5

申请日：2017-05-09

Applicant: 西北大学

Inventor： 杨鹰 ,  韩娟 ,  魏蓉 ,  宁晓辉 ,  李简

IPC: H01L21/208 ,  C25D5/02

CPC classification number: H01L21/208 ,  C25D5/02

Abstract: 本发明涉及一种基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中还没有在一种电镀液体系中通过改变沉积电势制得不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明配制铜盐溶液作为二价铜离子的来源，调节其pH值为酸性；将十二烷基硫酸钠加入铜盐溶液中得到电镀液，利用恒电势仪在该电镀液中改变沉积电势进行电沉积得到Cu2O薄膜；不同沉积电势可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明在其他制备工艺参数不变的情况下，通过控制沉积电势调控所得的氧化亚铜半导体的导电类型，易于制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜，工艺操作简便，制造成本低廉。

公开(公告)号：CN104205293B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201380018274.7

申请日：2013-03-29

Applicant: 帝人株式会社

Inventor： 今村哲也 ,  富泽由香 ,  池田吉纪

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L21/0257 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。

公开(公告)号：CN104040039B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201380005328.6

申请日：2013-01-10

Applicant: 国立大学法人大阪大学

Inventor： 森勇介 ,  今出完 ,  吉村政志 ,  平尾美帆子 ,  今西正幸

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。

公开(公告)号：CN102471920B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080030599.3

申请日：2010-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 下平孝直 ,  今井克宏 ,  岩井真

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/38 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L21/02639 ,  C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265

Abstract: 在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。

公开(公告)号：CN102318040B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080008017.1

申请日：2010-03-08

Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司

Inventor： R·J·切斯特菲尔德 ,  J·巴特勒 ,  P·A·桑特

IPC: H01L21/208 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0004 ,  F26B5/04 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0029 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/56

Abstract: 提供了形成电活性材料层的方法，所述电活性材料层具有基本上平的轮廓。所述方法包括：提供具有至少一个主动区域的工件；将包含电活性材料的液体组合物沉积到主动区域内的工件上，以形成湿层；在-25至80℃范围内的受控温度下在10-6托至1,000托范围内的真空下，将所述工件上的湿层处理1-100分钟第一时段，以形成部分干燥的层；将部分干燥的层加热至100℃以上的温度持续1-50分钟第二时段，以形成干燥层。

公开(公告)号：CN103814160A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201380001900.1

申请日：2013-07-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  岩井真

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/22

Abstract: 一种复合基板10，包含蓝宝石基板1A、设置于蓝宝石基板表面的氮化镓晶体构成的晶种膜4、以及在该晶种膜4上结晶生长的厚度200μm以下的氮化镓晶体层7。蓝宝石基板1A与晶种膜4的界面设置有空隙3，该空隙比率为4.5～12.5%。

公开(公告)号：CN102037546B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN200980115726.7

申请日：2009-02-27

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： G·B·库克 ,  P·马宗达 ,  K·K·索尼 ,  B·苏曼 ,  C·S·托马斯 ,  N·文卡特拉马

IPC: H01L21/208 ,  C30B15/00 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/007 ,  C30B28/04

Abstract: 本发明涉及制造半导体材料的制品的方法，以及由此形成的半导体材料制品，例如可用于制造光伏电池的半导体材料制品。

公开(公告)号：CN103237931A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201280003037.9

申请日：2012-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  平尾崇行 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007

Abstract: 在晶种基板（11）上，通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液，于含氮氛围下育成13族元素氮化物（3）。13族元素氮化物膜（3）含有夹杂物分布层（3a）和夹杂物缺乏层（3b），所述夹杂物分布层（3a）被设置于自晶种基板（11）侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层（3b）被设置于该夹杂物分布层（3a）上。

公开(公告)号：CN103180493A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051012.1

申请日：2011-10-17

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 洪性完 ,  金荣率

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/002 ,  C30B11/001 ,  C30B15/02 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02628 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1056

Abstract: 本发明提供了利用溶液法制造碳化硅单晶的方法，包括将用于生长碳化硅的晶种基体与包括至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触，并在生长碳化硅的晶种上生长碳化硅单晶，所述方法包括，随着反应的进行，当Si与添加金属的摩尔比低于最初设定的值时，将硅原料供给至合金溶液。当利用溶液生长法制造碳化硅单晶时，所述方法提高了晶体生长速度，维持该生长速度，并防止生长被动终止。

公开(公告)号：CN102347221B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110316126.6

申请日：2011-10-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡淑红 ,  戴宁

IPC: H01L21/208

Abstract: 本发明公开了一种锑化稼量子点的液相外延制备方法，该方法通过驱动马达将具有一定过冷度的生长源快速从砷化镓衬底表面推过，由于量子点材料和衬底表面所具有的晶格失配，从而在衬底表明形成锑化镓量子点材料结构。本发明的制备方法更为简便，成本更为低廉，解决了现有技术高成本和高毒性的问题。