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公开(公告)号：CN100386901C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510052992.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/175
Abstract: 本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。
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公开(公告)号：CN1665043A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510052992.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/175
Abstract: 本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。
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公开(公告)号：CN1274954A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00108912.9
申请日：2000-05-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/176 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H03H3/04 , H03H9/0211 , H03H9/174 , Y10T428/3171
Abstract: 一种薄膜压电装置,具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5),该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN117998967A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311440168.X
申请日：2023-11-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供了一种磁致伸缩常数dλ/dH大，并且能够进一步降低阈值磁场HTH的磁致伸缩膜和具有该磁致伸缩膜的电子器件。该磁致伸缩膜是在与膜厚的方向垂直的横截面，网眼状地观察到有助于铁磁性的特定元素比周围更富集的富集区域的磁致伸缩膜。
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公开(公告)号：CN111384229A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911336734.6
申请日：2019-12-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/277
Abstract: 薄膜层叠体具备：由金属构成的金属层和层叠于金属层的表面的薄膜，第一方向被定义为与金属层的表面平行的一个方向，第二方向被定义为与金属层的表面平行，且与第一方向交叉的一个方向，金属层包含多个第一金属粒及多个第二金属粒，第一金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第一方向延伸，第二金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第二方向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100571030C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200310120320.2
申请日：2003-12-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/175 , H03H3/04 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/605 , H03H9/706 , H03H2003/0407
Abstract: 压电谐振滤波器包括一组串联谐振器和一组并联谐振器，以便形成梯形滤波器电路。每个谐振器具有带压电特性的压电薄膜(15)，和被布置在所述压电薄膜(15)的相反表面上的下部电极和上部电极(14和16)，用于施加激励电压到压电薄膜(15)。该并联谐振器组呈现滤波器中的低频端衰减极端值，而串联谐振器组呈现滤波器中的高频端衰减极端值。串联谐振器组和并联谐振器组的至少一个谐振器具有温度补偿层(20)，用来使得谐振频率的温度系数接近于零。在串联谐振器组中的温度补偿层(20)的厚度不同于在并联谐振器组中的温度补偿层(20)的厚度。
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公开(公告)号：CN1757158A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480006162.0
申请日：2004-03-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明中的薄膜压电谐振器的制造方法，是在以覆盖形成在基体(2)之上的下部电极(3)的方式在基体(2)之上形成了压电膜(4)之后，将用于形成上部电极(6)的电极材料层(6b)形成在比压电膜(4)更靠近上侧的位置上，在电极材料层(6b)之上形成了规定形状的掩模之后，通过蚀刻电极材料层(6b)而形成上部电极(6)，从而制造薄膜压电谐振器(1)之际，在形成电极材料层(6b)的工序之前，在蚀刻电极材料层(6b)时，以覆盖压电膜(4)中至少上部电极(6)的非形成部位的方式形成用于保护压电膜(4)的保护层(5)，之后以覆盖保护层(5)的方式形成电极材料层(6b)。
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公开(公告)号：CN1667948A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053685.7
申请日：2005-03-10
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一实施方式的压电谐振器是通过在压电膜内部传输的体声波来得到预定谐振频率的信号的压电谐振器。该压电谐振器具有在预定方向堆积起来的多个转换器，体声波的传输面积在该体声波的传输方向发生变化。
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公开(公告)号：CN101853916A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010155013.8
申请日：2010-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明的技术问题是提供具有在无应力状态下能够对压电体膜进行成膜的压电体元件和陀螺仪传感器。压电体膜包含a轴取向晶体和c轴取向晶体，a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内。本发明人新发现了：在满足a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内的条件的时候，能够将压电特性维持在良好的特性值，并且能够减少积蓄在压电体膜内部的应力。可以认为：在满足上述条件的情况下，由于对c轴取向晶体和a轴取向晶体作适度平衡，因而压电体膜的晶体颗粒在理想的状态下被最密地填充于基底上，这有助于应力的降低。
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公开(公告)号：CN100511990C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510053685.7
申请日：2005-03-10
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一实施方式的压电谐振器是通过在压电膜内部传输的体声波来得到预定谐振频率的信号的压电谐振器。该压电谐振器具有在预定方向堆积起来的多个转换器，体声波的传输面积在该体声波的传输方向发生变化。
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