公开(公告)号：CN111801804A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201980016365.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司 ,  TDK株式会社

Inventor： 佐佐木公平 ,  藤田实 ,  平林润 ,  有马润

IPC: H01L29/872 ,  C30B29/16 ,  C30B33/08 ,  H01L21/329 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具备：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有沟槽(12)；阳极电极(13)；阴极电极(14)；绝缘膜(15)；以及沟槽电极(16)，第2半导体层(11)在包含沟槽(12)的内表面的区域具有厚度为0.8μm以下的绝缘性的干式蚀刻损伤层(11a)。

公开(公告)号：CN111095570A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880058896.5

申请日：2018-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  平林润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  井之口大辅

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。

公开(公告)号：CN118872078A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026959.X

申请日：2023-01-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明降低使用氧化镓的结势垒肖特基二极管的导通电阻。结势垒肖特基二极管(1)具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)和漂移层(30)；与漂移层(30)接触的阳极电极(40)和p型半导体层(60)；与阳极电极(40)和漂移层(30)接触的n型半导体层(70)；设置在n型半导体层(70)与p型半导体层(60)之间的金属层(80)；和与半导体基板(20)接触的阴极电极(50)。由此，n型半导体层(70)作为电流路径发挥作用，所以在pn结部分流过正向电流为止的期间的导通电阻降低。

公开(公告)号：CN118872077A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026950.9

申请日：2023-01-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提高使用氧化镓的结势垒肖特基二极管的浪涌耐受量。结势垒肖特基二极管(1)包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)和漂移层(30)；与漂移层(30)接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)接触的阴极电极(50)；和与阳极电极(40)和漂移层(30)接触的p型半导体层(60)。p型半导体层(60)包含与阳极电极(40)接触的第一p型半导体层(61)和与漂移层(30)接触的第二p型半导体层(62)，第二p型半导体层(62)的价带上端能级比第一p型半导体层(61)的价带上端能级低。这样，由于使用了能级不同的两个p型半导体层(61)、(62)，所以能够提高浪涌耐受量。

公开(公告)号：CN116888743A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280016981.1

申请日：2022-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明的技术问题在于，防止使用氧化镓的肖特基势垒二极管的绝缘击穿。本发明的肖特基势垒二极管(11)具备：设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、阳极电极(40)和阴极电极(50)。阳极电极(40)的一部分隔着绝缘膜(63)埋入外周沟槽(61)和中心沟槽(62)内。绝缘膜(63)随着朝向外侧而外周沟槽(61)的深度方向上的厚度变厚，由此，埋入外周沟槽(61)的阳极电极(40)的外周壁(S1)具有随着朝向外侧而接近垂直的弯曲形状。其结果是，在施加了逆向电压的情况下，在外周沟槽(61)的外周底部产生的电场被缓和。

公开(公告)号：CN112913035B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201980070324.3

申请日：2019-10-09

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  平林润 ,  佐佐木公平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供不容易产生电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管，其包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；设置在漂移层(30)上的、在俯视时包围阳极电极(40)的绝缘层(80)；和与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)，其设置在位于阳极电极(40)与绝缘层(80)之间的漂移层(30)的表面、以及绝缘层(80)上。

公开(公告)号：CN109923678A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068998.0

申请日：2017-09-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平林润 ,  松尾裕 ,  藤田实 ,  有马润

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的课题是在确保使用氧化镓的肖特基势垒二极管的机械强度和操作性的同时，抑制发热，提高散热性。解决该课题的方案是：本发明包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)，其在第二表面(22)侧设置有凹部(23)；由氧化镓构成的外延层(30)，其设置在半导体基板的第一表面(21)上；阳极电极(40)，其设置在从层叠方向看与凹部(23)重叠的位置，与外延层(30)肖特基接触；和阴极电极(50)，其设置在半导体基板(20)的凹部(23)内，与半导体基板(20)欧姆接触。根据本发明，因为流动正向电流的部分的厚度有选择地变薄，所以能够在确保机械强度和操作性的同时，降低发热，提高散热性。因此，尽管使用热导率低的氧化镓，也能够抑制元件的温度上升。

公开(公告)号：CN101004551B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710002285.2

申请日：2007-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田实 ,  日比干晴

IPC: G03F7/00 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/86

CPC classification number: B29D17/005 ,  B29C33/424 ,  B29C43/021 ,  B29C43/361 ,  B29C2033/426 ,  B29C2043/025 ,  B29C2043/3655 ,  B29C2043/5858 ,  G11B5/855 ,  G11B7/263

Abstract: 提供一种可避免凹凸图案的变形或转印缺陷的发生等的压模。上述压模形成为使形成了凹凸图案(5)的凹凸图案形成面(6)与其背面(7)之间的厚度在外边缘区域(Ao)中随着靠近外边缘部(Po)一侧逐渐地变薄。此外，形成为使凹凸图案形成面(6)与其背面(7)之间的厚度在开口边缘区域(Ae)中随着靠近开口边缘部(Pe)一侧逐渐地变薄。由此，可避免在压印处理时对树脂层的表面施加的压力集中于压模(1)的外边缘区域(Ao)和开口边缘区域(Ae)这两个区域(端部区域)的问题。

公开(公告)号：CN119790724A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380062700.0

申请日：2023-05-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H10D8/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D64/64

Abstract: 本发明的技术问题是，在使用了氧化镓的肖特基势垒二极管中，缓和在施加了反向电压的情况下在漂移层产生的电场。解决手段是，肖特基势垒二极管(1)具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)和漂移层(30)；以及阳极电极(40)和阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟槽(32)。外周沟槽(32)包括内周壁(33)、外周壁(34)、底面(35)、内周角部(36)和外周角部(37)。内周壁(33)以及内周角部(36)隔着绝缘膜(60)被阳极电极(40)覆盖，外周角部(37)由导电型与漂移层(30)相反的半导体材料(70)覆盖。由此，在施加了反向电压的情况下，能够缓和在漂移层(30)内的内周角部(36)的周围产生的电场。

公开(公告)号：CN118922591A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029359.9

申请日：2023-01-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  有马润 ,  藤田实 ,  平林润

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/10

Abstract: 本发明涉及一种坩埚、结晶制造方法及单晶。该坩埚(G)是用于氧化物单晶的生长的坩埚(G)，且具备沿厚度方向层叠并接合的多个氧化物板(G1～G10)，各个氧化物板(G1～G10)中的添加物的浓度不同。结晶制造方法通过一边使晶种接触坩埚内的熔融液的露出表面，一边使露出表面的位置沿铅直方向移动，由此使氧化物单晶生长。在氧化镓的单晶中，沿生长轴方向的添加物的浓度可以优选地设为平均值±5％的范围内。