公开(公告)号：CN111791372A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010194608.8

申请日：2020-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史

IPC: B28D1/00 ,  B28D5/04 ,  B23K26/53 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00 ,  C30B33/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种基板的加工方法，其中，在第二工序中，多个变质部中的只有一部分从掩模的开口部露出，余部未露出。该情况下，在第三工序的蚀刻时，能够通过从掩模的开口部露出的变质部和未露出的变质部而使蚀刻速率不同。因此，通过调整从掩模的开口部露出的变质部和未露出的变质部，而能够容易地得到期望的加工形状。

公开(公告)号：CN110876108A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910806651.2

申请日：2019-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史 ,  井上亨

IPC: H04R19/04

Abstract: 本发明提供一种MEMS传声器，MEMS传声器(10)包括基板(20)以及设置在基板(20)上、将声音转换成电信号的第1转换部(10A)和第2转换部(10B)，第1转换部(10A)具有第1贯通孔(21A)、覆盖第1贯通孔(21A)的第1膜片(30A)和隔着第1气隙(G1)与第1膜片(30A)面对面的第1背板(40A)，第2转换部(10B)具有第2贯通孔(21B)、覆盖第2贯通孔(21B)的第2膜片(30B)和隔着第2气隙(G2)与第2膜片(30B)面对面的第2背板(40B)，从基板(20)的厚度方向看，第2膜片(30B)的面积为第1膜片(30A)的面积的1.21倍以上2.25倍以下。

公开(公告)号：CN1610000A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410087732.5

申请日：2004-10-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史 ,  岛泽幸司 ,  羽立等

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场，稳定地进行信息写入，且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁轭(4)以及包含其磁化方向随外部磁场变化而变化的第二磁性层(8)且具有一对端面(K20)的层叠体(S20)，层叠体(S20)配置在间隙中，使一对端面(K20)的各端面与一对开放端(K4)的每一端互相对向。从而能够高效地进行第二磁性层(8)的磁化反转，并且与层叠体和磁轭互相连接的情况相比，能够在大的范围内选择构成层叠体(S20)的材料，充分发挥层叠体的磁性能和电性能。

公开(公告)号：CN103695972B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310435022.6

申请日：2013-09-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史 ,  太田尚志 ,  铃木将典 ,  出口友季

IPC: C25D3/38 ,  H01F41/04

Abstract: 本发明提供一种能够可靠地形成纵横比高且非常狭窄的间距的线和间隔图形的各向异性镀敷方法以及薄膜线圈。在施加电流来形成涂膜的各向异性镀敷方法中，一边由镀敷液（21）的搅拌部分地破坏在镀敷形成用的电极膜或者形成于该电极膜的表面的涂膜的表面产生的镀敷液（21）的金属离子稀薄层（17）中的、存在于想要选择性地镀敷成长的方向上的该金属离子稀薄层（17）一边形成涂膜。

公开(公告)号：CN105316714A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510736803.8

申请日：2013-09-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史 ,  太田尚志 ,  铃木将典 ,  出口友季

IPC: C25D3/38 ,  H01F41/04

Abstract: 本发明提供一种能够可靠地形成纵横比高且非常狭窄的间距的线和间隔图形的各向异性镀敷方法以及薄膜线圈。在施加电流来形成涂膜的各向异性镀敷方法中，一边由镀敷液(21)的搅拌部分地破坏在镀敷形成用的电极膜或者形成于该电极膜的表面的涂膜的表面产生的镀敷液(21)的金属离子稀薄层(17)中的、存在于想要选择性地镀敷成长的方向上的该金属离子稀薄层(17)一边形成涂膜。

公开(公告)号：CN103695972A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310435022.6

申请日：2013-09-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史 ,  太田尚志 ,  铃木将典 ,  出口友季

IPC: C25D3/38 ,  H01F41/04

Abstract: 本发明提供一种能够可靠地形成纵横比高且非常狭窄的间距的线和间隔图形的各向异性镀敷方法以及薄膜线圈。在施加电流来形成涂膜的各向异性镀敷方法中，一边由镀敷液（21）的搅拌部分地破坏在镀敷形成用的电极膜或者形成于该电极膜的表面的涂膜的表面产生的镀敷液（21）的金属离子稀薄层（17）中的、存在于想要选择性地镀敷成长的方向上的该金属离子稀薄层（17）一边形成涂膜。

公开(公告)号：CN100538927C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510082194.5

申请日：2005-07-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 锻冶利奈 ,  上岛聪史 ,  青木进 ,  竹尾建治 ,  佐藤庆一

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/28 ,  H01F37/00 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01F27/34 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0093

Abstract: 提供一种能够通过尽可能地降低电容量来提高差分传送特性的线圈构造体。构成共态扼流线圈，使构成薄膜线圈(30)的两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形。根据两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形的构造特征，将与电容量有关的两个线圈图案(31、32)之间的对置面积尽可能地减小，所以能够尽可能地减小薄膜线圈(30)的电容量。

公开(公告)号：CN111791372B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202010194608.8

申请日：2020-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史

IPC: B28D1/00 ,  B28D5/04 ,  B23K26/53 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00 ,  C30B33/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种基板的加工方法，其中，在第二工序中，多个变质部中的只有一部分从掩模的开口部露出，余部未露出。该情况下，在第三工序的蚀刻时，能够通过从掩模的开口部露出的变质部和未露出的变质部而使蚀刻速率不同。因此，通过调整从掩模的开口部露出的变质部和未露出的变质部，而能够容易地得到期望的加工形状。

公开(公告)号：CN110876107A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910806650.8

申请日：2019-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史 ,  井上亨

IPC: H04R19/04

Abstract: 本发明的MEMS传声器(10)包括基板(20)以及设置在基板(20)上、将声音转换成电信号的第1转换部(10A)和第2转换部(10B)，第1转换部(10A)具有第1贯通孔(21A)、覆盖第1贯通孔(21A)的第1膜片(30A)和隔着第1气隙(G1)与第1膜片(30A)面对面的第1背板(40A)，第2转换部(10B)具有第2贯通孔(21B)、覆盖第2贯通孔(21B)的第2膜片(30B)和隔着第2气隙(G2)与第2膜片(30B)面对面的第2背板(40B)，在基板(20)的厚度方向上，第2气隙(G2)的尺寸(T2)大于第1气隙(G1)的尺寸(T1)。

公开(公告)号：CN105316714B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201510736803.8

申请日：2013-09-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史 ,  太田尚志 ,  铃木将典 ,  出口友季

IPC: C25D3/38 ,  H01F41/04

Abstract: 本发明提供一种能够可靠地形成纵横比高且非常狭窄的间距的线和间隔图形的各向异性镀敷方法以及薄膜线圈。在施加电流来形成涂膜的各向异性镀敷方法中，一边由镀敷液(21)的搅拌部分地破坏在镀敷形成用的电极膜或者形成于该电极膜的表面的涂膜的表面产生的镀敷液(21)的金属离子稀薄层(17)中的、存在于想要选择性地镀敷成长的方向上的该金属离子稀薄层(17)一边形成涂膜。