公开(公告)号：CN107615495A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680031131.3

申请日：2016-05-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  栗岛贤二 ,  松尾慎治 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/035272

Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。

公开(公告)号：CN113678266A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080027577.5

申请日：2020-04-07

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  吉松俊英 ,  中岛史人 ,  山田友辉

IPC: H01L31/10

Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。

公开(公告)号：CN109075219B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201780024438.5

申请日：2017-04-14

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  村本好史 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

Abstract: 一种光波导集成光接收元件设置有光波导(105)，该光波导设置在第二接触层(102)的与设置有光吸收层(103)的一侧相反的一侧上，并且该光波导与第二接触层(102)光学耦合并具有与光吸收层(103)的平面平行的波导方向。第二接触层(102)在平面图中具有比光吸收层(103)的面积小的面积，并且设置在光吸收层(103)的内侧。

公开(公告)号：CN112236871A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980037600.6

申请日：2019-05-20

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 中岛史人 ,  山田友辉 ,  名田允洋

IPC: H01L31/0232

Abstract: 本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102)的另一端的端面形成第二反射部(104)，所述另一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。该光接收装置还包括：第二衬底(105)，其背面(105b)结合到第一衬底(101)的背面(101b)；以及光电二极管(106)，形成在第二衬底(105)的主表面(105a)上。

公开(公告)号：CN107615495B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201680031131.3

申请日：2016-05-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  栗岛贤二 ,  松尾慎治 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。

公开(公告)号：CN107004734A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066179.3

申请日：2015-11-27

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  村本好史 ,  中岛史人 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/035281

Abstract: 为了在不牺牲光接收灵敏度和高速度的情况下获得高线性度，雪崩光电二极管包括形成在第一光吸收层(102)上的雪崩层(103)、形成在雪崩层(103)上的n场控制层(104)以及形成在场控制层(104)上的第二光吸收层(105)。如果施加反向偏置电压，则场控制层(104)中的施主杂质离化，并且在雪崩层(103)中诱发高电场。场控制层(104)中的n型掺杂量设置为使得第二光吸收层(105)中的杂质浓度在反向偏置施加时充分耗尽。