公开(公告)号：CN100412629C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200610059141.6

申请日：2006-03-15

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 安田亨宁 ,  铃木圣二

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  H01L29/786

Abstract: 有源矩阵基板或者TFT基板具有带有沟槽布线结构的下层布线，该沟槽布线结构是通过在绝缘基板处形成沟槽并在该沟槽中淀积阻挡金属膜和铜层来形成的，其用阻挡金属膜覆盖铜层的周围。该沟槽布线结构用于液晶显示(LCD)设备的TFT基板。能够制造具有大尺寸、高密度、大孔径比的LCD设备，并且该LCD设备中，能够抑制源于下层布线的高度差的向错缺陷和上层布线中发生断开故障。

公开(公告)号：CN100370349C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200410054443.5

申请日：2004-07-22

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 田中宏明 ,  安田亨宁 ,  铃木圣二

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 对于薄膜晶体管电路器件来说需要一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法，其中该器件包括的布线结构是在下层中为铝合金和在上层中为钼合金，其中钼合金在空气中的腐蚀不易进行。薄膜晶体管电路器件暴露出被绝缘膜所覆盖的布线部分和在所暴露的表面上包含有由引脚电极金属所形成的引脚，该器件在暴露的表面上包含引脚，该引脚是由引脚电极金属形成的，其中的绝缘膜将形成于衬底的中心部分的主电路区的薄膜晶体管与形成于衬底外围的保护电路区连接起来，并且其中布线的最上层表面是含铌的钼合金。

公开(公告)号：CN1479138A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN02132130.2

申请日：2002-08-30

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 前田明寿 ,  安田亨宁 ,  田中宏明 ,  城户秀作

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1343

Abstract: 本发明提供了一种用于制造反射型液晶显示器的方法，它能够减少反射型液晶显示器中所使用的薄膜晶体管的制造工序的数目。在这种液晶显示器中，待与薄膜晶体管的源极连接的反射电极以及待与终端部分下层金属膜连接的终端部分连接电极被同时形成在含有多个凸起和凹入部分的有机绝缘膜上。作为反射电极和终端部分下层金属膜的材料，本发明采用了含有0.9％原子或更多Nd的Al－Nd(铝－钕)合金，它具有优良的抗腐蚀特性。