场致发射器件
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100524581C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200410090325.X

    申请日:2004-08-27

    CPC classification number: H01J3/022

    Abstract: 本发明公开了一种场致发射器件,包括:阴极,该阴极包括用于发射电子的电场发射极;用于感应电子发射的场致发射感应栅极;和一个用于接收所发射的电子的阳极。场致发射抑制栅极位于阴极和场致发射感应栅极之间,以用于抑制电子发射,这样可以显著地克服在传统场致发射器件中的例如栅极漏电流、阳极电压引起的电子发射和电子束分散的问题。

    场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置

    公开(公告)号:CN1906724A

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200580001426.8

    申请日:2005-06-03

    Abstract: 提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括:阴极部分,所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体;形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分;以及,场致发射诱发栅极部分,所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层,其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射,并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构,能够显著改善场致发射器件的传统问题,包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。

    场发射背光单元、其阴极结构及制造方法

    公开(公告)号:CN101868753B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN200880116469.4

    申请日:2008-06-25

    Abstract: 本发明提供场发射装置,并且更具体地提供使连接外部电极的互连简化且能够局部变暗的场发射背光单元。为此,场发射背光单元的阴极结构包括:多个数据电极,形成在阴极基板上且彼此隔开;绝缘层,形成在数据电极上,并且具有暴露预定的数据电极的暴露区域;多个阴极电极,形成在绝缘层上,每个所述阴极电极通过暴露区域与对应的一个数据电极电连接并且具有多个开口;以及场发射器,形成在阴极电极的开口中并接触所述阴极电极,其中阴极电极彼此电隔离且每个阴极电极形成阴极块,并且每个阴极块用于根据通过数据电极提供的电流来控制从所述场发射器发射的电子束量。

    碳纳米管(CNT)浆料和具有高可靠性的发射器的制造方法

    公开(公告)号:CN101321687B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200680045753.8

    申请日:2006-12-01

    Abstract: 提供添加有纳米尺寸颗粒的碳纳米管(CNT)浆料的制造方法,以及用于场发射显示器(FED)具有高可靠性的CNT发射器的制造方法。该方法包括步骤:(i)将CNT粉末分散在溶剂中;(ii)添加有机粘合剂到分散有CNT粉末的溶液中;(iii)执行研磨工艺来调整添加有该有机粘合剂的分散溶液的粘性,其中在步骤(i)或(iii)中添加纳米尺寸金属颗粒。因此,纳米尺寸金属颗粒被添加作为CNT浆料的金属填料,且因此金属可以在CNT不劣化的低温下熔化。因此,CNT浆料和阴极之间的粘着力可以改善,并且阴极和CNT之间或者各CNT之间的电阻可以减小。另外,通过上述方法制造的CNT浆料用于制造CNT发射器,从而获得从CNT发射器的均匀电子发射并增加电子发射位置,且因此CNT发射器的可靠性可以进一步改善。

    场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置

    公开(公告)号:CN1906724B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200580001426.8

    申请日:2005-06-03

    Abstract: 提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括:阴极部分,所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体;形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分;以及场致发射诱发栅极部分,所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层,其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射,并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构,能够显著改善场致发射器件的传统问题,包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。

    场致发射显示器
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100482027C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200510081766.8

    申请日:2005-05-08

    CPC classification number: H01J29/06 H01J31/127

    Abstract: 本发明涉及一种场致发射显示器,其包括:阴极部分,包括呈条状方式并允许在基板上进行矩阵寻址的行信号线和列信号线,及由行信号线和列信号线限定的像素,每个像素上具有场致发射器和具有至少连接行信号和列信号线的两个端子和连接到场致发射器的一个端子并且控制场致发射器的控制器件;具有阳极电极和连接到阳极电极的荧光体的阳极部分;具有数个贯穿孔的金属网及在金属网的至少部分上形成的介电层的栅极部分,其中栅极部分置于阴极部分和阳极部分之间,以使形成有介电层的表面朝向阴极部分,并且使从场致发射器发射出的电子通过它的贯穿孔与荧光体发生碰撞。

    场致发射器件
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1598999A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN200410090325.X

    申请日:2004-08-27

    CPC classification number: H01J3/022

    Abstract: 本发明公开了一种场致发射器件,包括:阴极,该阴极包括用于发射电子的电场发射极;用于感应电子发射的场致发射感应栅极;和一个用于接收所发射的电子的阳极。场致发射抑制栅极位于阴极和场致发射感应栅极之间,以用于抑制电子发射,这样可以显著地克服在传统场致发射器件中的例如栅极漏电流、阳极电压引起的电子发射和电子束分散的问题。

Patent Agency Ranking