-
公开(公告)号:CN1224001C
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN03143809.1
申请日:2003-07-25
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Inventor: 菊入胜也
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3906
Abstract: 本发明提供一种防止静电损坏的薄膜磁头及其磁性记录再生装置。通过使磁阻效应元件在芯块(C)内部与绝缘层处于邻接状态,芯块安装在台板上,台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板,过渡基板上形成的接点部与芯块的磁阻效应元件通过配线连接,包括磁阻效应元件的芯块的电容量为CMR,包括过渡基板与台板的部分的电容量为CPWB时,满足关系CPWB/CMR<1.5,从而提供不会发生静电损坏或不会因静电荷而使磁阻效应元件发生劣化的薄膜磁头组合体。
-
公开(公告)号:CN104280182A
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201410305822.0
申请日:2014-06-30
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0054 , B81B3/0086 , B81B2201/0264
Abstract: 本发明的目的在于提供一种探测精度优异的、利用压阻效应来探测物理量的物理量传感器。为此,本发明的物理量传感器(1)利用压阻效应来探测物理量,所述物理量传感器(1)的特征在于,具有:第1导电型的阱层(4),其形成在第1绝缘层(10)上;多个第2导电型的压阻层(2),其形成在第1导电型的阱层(4)的表面侧;和第2导电型的分离层(5),其在多个第2导电型的压阻层(2)之间,从第1导电型的阱层(4)的表面贯通至第1绝缘层(10)的表面。
-
公开(公告)号:CN102770770B
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201180011060.8
申请日:2011-02-24
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01P15/125 , B81B3/00 , H01L29/84
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B2201/0235
Abstract: 本发明的目的尤其在于提供能够提高重物部相对于对置部的耐碰撞性及防粘性的物理量传感器。该物理量传感器具备弹簧部(21)、与所述弹簧部(21)连结且被支承成沿高度方向可变位的重物部(20)、与所述重物部在高度方向上对置的对置部(22),在所述对置部(22)与所述重物部(20)之间配置高度不同的多个突起部(23、24),所述多个突起部(23、24)使得在所述重物部(20)朝向高度方向变位时,所述重物部(20)与所述对置部(21)之间能够阶段性地抵接,并且所述重物部与所述对置部之间还能够阶段性地分离。
-
公开(公告)号:CN101512368A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200780032219.8
申请日:2007-02-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , H04M1/0216 , H04M1/0245
Abstract: 本发明提供一种双极检测对应型的磁性检测装置,其中,将串联连接了固定电阻元件(31、32)的第3串联电路(34)的中间电位作为上述第1桥式电路(BC3)和上述第2桥式电路(BC4)的基准电位共用,而且,在集成电路(22)内设有第1开关电路(36),该第1开关电路(36)交互地切换构成上述第1桥式电路(BC3)的第1串联电路(26)的第1输出取出部(25)和差动放大器(35)之间的连接、以及构成上述第2桥式电路(BC4)的第2串联电路(30)的第2输出取出部(29)和差动放大器(35)之间的连接。由此,能够减少元件数,并且能够使电路结构简单。
-
公开(公告)号:CN104280182B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201410305822.0
申请日:2014-06-30
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0054 , B81B3/0086 , B81B2201/0264
Abstract: 本发明的目的在于提供一种探测精度优异的、利用压阻效应来探测物理量的物理量传感器。为此,本发明的物理量传感器(1)利用压阻效应来探测物理量,所述物理量传感器(1)的特征在于,具有:第1导电型的阱层(4),其形成在第1绝缘层(10)上;多个第2导电型的压阻层(2),其形成在第1导电型的阱层(4)的表面侧;和第2导电型的分离层(5),其在多个第2导电型的压阻层第1绝缘层(10)的表面。(2)之间,从第1导电型的阱层(4)的表面贯通至
-
公开(公告)号:CN102770770A
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN201180011060.8
申请日:2011-02-24
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01P15/125 , B81B3/00 , H01L29/84
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B2201/0235
Abstract: 本发明的目的尤其在于提供能够提高重物部相对于对置部的耐碰撞性及防粘性的物理量传感器。该物理量传感器具备弹簧部(21)、与所述弹簧部(21)连结且被支承成沿高度方向可变位的重物部(20)、与所述重物部在高度方向上对置的对置部(22),在所述对置部(22)与所述重物部(20)之间配置高度不同的多个突起部(23、24),所述多个突起部(23、24)使得在所述重物部(20)朝向高度方向变位时,所述重物部(20)与所述对置部(21)之间能够阶段性地抵接,并且所述重物部与所述对置部之间还能够阶段性地分离。
-
公开(公告)号:CN102483426A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201080039349.6
申请日:2010-12-10
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01P15/02 , G01P15/125 , H01L29/84
CPC classification number: G01P15/18 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0837 , G01P2015/0874
Abstract: 本发明的目的在于提供一种尤其是耐冲击性及耐粘附性优良的物理量传感器。该物理量传感器具有在高度方向上位移的可动部(50)和在高度方向上与可动部(50)对置配置且限制可动部(50)的位移的突起状的限动部(51)。在限动部(51)的与可动部(50)对置的对置面(51a)的外周(51b)设有第一接触端部(53)和第二接触端部(54),第一接触端部(53)为可动部(50)向接近限动部(51)的方向位移而首先与对置面(51a)接触的部分,第二接触端部(54)为可动部从与所述限动部(51)抵接的抵接状态向离开的方向位移时首先从对置面(51a)分离的部分。第一接触端部(53)的与可动部接触的接触长度比第二接触端部(54)的与可动部接触的接触长度长。
-
公开(公告)号:CN101512369B
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN200780032229.1
申请日:2007-02-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 本发明提供一种磁性检测装置,其中,由固定电阻元件(31、32)构成第2串联电路(34)的电阻元件,该第2串联电路(34)与具有第1磁阻效应元件(23)的第1串联电路(26)以及具有第2磁阻效应元件(27)的第3串联电路(30)双方并联连接,使上述固定电阻元件(31、32)的元件电阻大于构成传感器部(21)的各电阻元件(23、24、27、28)的元件电阻。从而,与现有相比能够降低消耗电流。
-
公开(公告)号:CN101512369A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200780032229.1
申请日:2007-02-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 本发明提供一种磁性检测装置,其中,由固定电阻元件(31、32)构成第2串联电路(34)的电阻元件,该第2串联电路(34)与具有第1磁阻效应元件(23)的第1串联电路(26)以及具有第2磁阻效应元件(27)的第3串联电路(30)双方并联连接,使上述固定电阻元件(31、32)的元件电阻大于构成传感器部(21)的各电阻元件(23、24、27、28)的元件电阻。从而,与现有相比能够降低消耗电流。
-
公开(公告)号:CN1504996A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN200310117965.0
申请日:2003-11-26
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Inventor: 菊入胜也
CPC classification number: G11B5/53 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/48 , G11B5/4893
Abstract: 本发明提供一种带有标识层的磁头以及磁带介质记录再生装置。该磁头带有第1保护层、第2保护层、MR元件以及标识层,并且它们都有一个方位角(θ),以倾斜的状态从介质滑动面中露出,如果将通过MR元件的磁道宽度方向两端沿单方向延长的2根直线作为方位假设线(A)、(B),标识层位于方位假设线(A)、(B)的磁道宽(Tw)方向内侧,同时标识层的两端部位于方位假设线(A)、(B)的磁道宽(Tw)方向外侧,这样可以正确对合MR的高度,并且减少非对称性的变动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-