公开(公告)号：CN1930495A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580006943.4

申请日：2005-03-04

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  TDK株式会社 ,  阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  浅野卓 ,  高山清市 ,  北川均

IPC: G02B1/02 ,  G02B6/12

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/29325 ,  G02B6/2938

Abstract: 本发明旨在提供一种二维光子晶体，其在规定的波长区域对TE偏振和TM偏振的双方形成成为光子带隙(PBG)的完全PBG，并且能够确保该完全PBG的宽度。在主体(21)上，以三角格子状配置主体形状为正三角形的空孔(22)。通过这种空孔的形状和配置，能够形成完全PBG。于是，通过将该正三角形的顶点倒角为圆弧状，能够确保邻接空孔之间的距离(即，主体的连接部分的宽度)，并能够充分地确保二维光子晶体的强度，同时能够增大空孔(22)。由此能够扩大完全PBG宽度。

公开(公告)号：CN1198297C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN01144901.2

申请日：2001-12-21

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 青木政博 ,  佐佐木真 ,  北川均 ,  福井洋文

IPC: H01G7/04 ,  H01G4/33 ,  H01G4/14

CPC classification number: H01G4/18

Abstract: 一种温度补偿用薄膜电容器，其中；将介电常数在4.0以下，并且线热膨胀系数在50ppm/℃以上的第1电介质薄膜5和电容温度系数的绝对值在50ppm/℃以下的第2电介质薄膜4置入一对电极之间，其中第1电介质薄膜和第2电介质薄膜中的一个电介质薄膜层叠在另一个电介质薄膜之上。能改善由于加工精度所引起的静电电容的标准偏离问题，容易实现小型化、薄型化、轻量化，能进行温度补偿。

公开(公告)号：CN1360323A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN01144901.2

申请日：2001-12-21

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 青木政博 ,  佐佐木真 ,  北川均 ,  福井洋文

IPC: H01G7/04 ,  H01G4/33 ,  H01G4/14

CPC classification number: H01G4/18

Abstract: 一种温度补偿用薄膜电容器,其特征是:将介电常数在4.0以下,并且线热膨胀系数在50ppm/℃以上的第1电介质薄膜5和电容温度系数的绝对值在50ppm/℃以下的第2电介质薄膜4置入一对电极之间。能改善由于加工精度所引起的静电电容的标准偏离问题,容易实现小型化、薄型化、轻量化,能进行温度补偿。