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公开(公告)号：CN111559758A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010545438.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料，化学式为Tm3-xCexFe5-yCryO12；其中，0≤x≤0.12，0≤y≤0.3；Ce3+取代晶体材料中Tm3+的格位，Cr3+取代晶体材料中Fe3+的格位。并公开了该晶体材料的制备方法。该制备方法工艺简单，生产周期短，反应过程易于控制，产品的综合磁性能良好，饱和磁化强度相对较高，适合工厂化大批量生产。
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公开(公告)号：CN110687698A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911036288.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明公开了一种磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决当系统反向光波长范围较宽时，现有磁光隔离器隔离效果较差的问题。所述磁光隔离器包括：柱状的磁光晶体；设置在磁光晶体外围的活动磁体；驱动单元，驱动单元与活动磁体连接，用于驱动活动磁体在磁光晶体的轴向上发生位移。本发明用于磁光隔离器。
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公开(公告)号：CN112068337B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202010925809.0
申请日：2020-09-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁光隔离器芯及其制作方法、磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决现有磁光隔离器插入损耗较大，封装成品率较低的问题。所述磁光隔离器芯包括中空柱状的磁环和柱状的磁光晶体；磁环的内壁上设置有第一焊接金属层；磁光晶体的外壁上设置有第二焊接金属层，磁环的内径小于磁光晶体的外径，磁环可以套设在经过降温冷缩的磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁光晶体温度回升后压焊连接；或者，经过升温膨胀的磁环可以套设在磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁环温度回降后压焊连接。本发明用于制作磁光隔离器芯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111592347B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010463647.3
申请日：2020-05-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/624 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种磁光透明陶瓷，化学式为M(x+y+z)Tb(3‑x)Sc(2‑y)Al(3‑z)O12其中，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，0≤x+y+z≤0.5；M为+3价金属离子。并公开了该磁光透明陶瓷的制备方法。本发明提供的磁光透明陶瓷的热学性能与光学性能与晶体接近，本发明提供的制备方法工艺简单，可制备复杂形状的陶瓷，能够有效降低磁光元件的成本，而且在陶瓷制备过程中，掺杂其他元素提高陶瓷的磁光性能，掺杂陶瓷在烧结过程中不会造成组分分凝，具有很好的实用价值。
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公开(公告)号：CN111005071A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN202010014911.5
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种基于钒酸镝的磁光晶体、其制备生长方法及其应用。一种基于钒酸镝的磁光晶体，化学式为KxM1yMz2Dy(1-x-y-z)VO4；其中，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5；M1为+3价金属离子，M2为+2价金属离子。该晶体材料在532nm波长下的Verdet常数为-249～-309rad/m/T，比TGG晶体高出31％～63％，消光比为30-40dB，高于TbVO4晶体和TGG晶体。该晶体材料可利用提拉法实现大尺寸晶体生长，生长周期短，晶体生长成本低。在应用方面，更有利于磁光器件的小型化设计，所使用的晶体体积小，成本也更低。
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公开(公告)号：CN110687696A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911000306.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成式光隔离器的封装方法以及集成式光隔离器，涉及光纤通讯技术领域。所述方法包括：将第一磁光晶体和双折射晶体贴合形成基板；将基板划分为前段基板、中段基板和后段基板，对中段基板对应的双折射晶体表面进行离子刻蚀，在刻蚀后的第一磁光晶体上制作磁光旋转器；将前段基板对应的双折射晶体构成起偏器，将后段基板对应的双折射晶体构成检偏器；在起偏器上耦合输入光纤，在检偏器上耦合输出光纤，从而得到集成式光隔离器。本发明在第一磁光晶体贴合双折射晶体，同时制备起偏器和检偏器，产品质量高，且加工工艺简单，加工效率高，加工成本降低。
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公开(公告)号：CN112068337A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010925809.0
申请日：2020-09-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁光隔离器芯及其制作方法、磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决现有磁光隔离器插入损耗较大，封装成品率较低的问题。所述磁光隔离器芯包括中空柱状的磁环和柱状的磁光晶体；磁环的内壁上设置有第一焊接金属层；磁光晶体的外壁上设置有第二焊接金属层，磁环的内径小于磁光晶体的外径，磁环可以套设在经过降温冷缩的磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁光晶体温度回升后压焊连接；或者，经过升温膨胀的磁环可以套设在磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁环温度回降后压焊连接。本发明用于制作磁光隔离器芯。
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