自供电式沥青路内部裂缝监测与定位系统与方法

    公开(公告)号:CN108375633A

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201810075624.8

    申请日:2018-01-24

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明提供了一种自供电式沥青路内部裂缝监测与定位系统与方法,包括:能量收集装置,用于将接收的机械能转换为电能并收集所述电能;发射装置,用于发射应力波,所述应力波通过所述能量收集装置收集的电能转换得到;接收装置,用于接收横向经过道路后的应力波,接收装置具有关于所述发射装置的预定空间关系计算装置,用于对比接收的应力波和发射的应力波之间的差异,判断道路中是否存在裂缝及裂缝的大小;若存在裂缝且为严重裂缝时,通过接收应力波的幅值和发射应力波的幅值采用预定线性相关性来计算裂缝分别与发射装置和接收装置之间的距离,即可定位裂缝位置。本发明能够自供电、全方位、长期的对沥青混凝土道路内部裂缝进行监测与定位。

    一种双输出的DC-DC振荡器电路

    公开(公告)号:CN104578756A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410826725.6

    申请日:2014-12-25

    Applicant: 长安大学

    CPC classification number: H03K7/08 H03K4/48

    Abstract: 本发明公开了一种双输出的DC-DC振荡器电路,加入基准电压VR1和使能信号EN时,内部振荡电路产生两个频率固定相同却反相的方波信号V1和V2,经两个脉冲产生电路产生两路相位差为180度的窄脉冲信号V3和V4,这两路脉冲信号既直接作为电路的输出信号,触发开关管的开启,又分别在输入电压VIN、基准电压VR2和使能信号EN的作用下,经锯齿波产生电路产生两路相位差为180度的锯齿波信号V5与V6作为电路的另一种输出信号,有效地降低了双路DC-DC输入的RMS电流,消除了两路输出之间的干扰;本发明的锯齿波产生单元提供一个斜坡电压信号,具有斜坡低电平控制和输入电压前馈控制的斜坡电压信号增强了电压模环路的稳定性。

    声表面波型小波神经网络器件

    公开(公告)号:CN101231711B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200810017257.2

    申请日:2008-01-08

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种声表面波型小波神经网络器件,它由输入层功能模块,隐含层功能模块,输出层功能模块三部分组成。其中,输入层功能模块由声表面波器件实现的小波重构功能器件阵列构成;隐含层功能模块,由声表面波器件实现的输入层到隐含层权值求和功能器件阵列和隐含层非线性阈值器件阵列构成;输出层功能模块,由声表面波器件实现的隐含层到输出层权值求和功能器件阵列和输出层非线性阈值器件阵列构成。本发明中声表面波型小波神经网络器件,由于采用无源、体积小、易于大规模生产、成本低、高频特性好的声表面波器件实现了小波神经网络算法,提高了处理信号的频率范围,减少了器件的实现体积,降低了功耗。

    碳化硅横向PIN型微型核电池的制造方法

    公开(公告)号:CN103021492B

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201210580215.6

    申请日:2012-12-27

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法,其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极,P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极;N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层;一、提供衬底,二、外延生长N型SiC外延层,三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区,四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区,五、形成二氧化硅层,六、形成欧姆接触电极,七、形成肖特基接触电极;本发明设计新颖合理,提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。

    碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN103035310A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210579813.1

    申请日:2012-12-27

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法,其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极,N型SiC外延层上部设有肖特基接触电极;N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设有二氧化硅层。其制造方法包括步骤:一、一、提供衬底,二、在衬底上外延生长N型SiC外延层,三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区,四、形成二氧化硅层,五、形成欧姆接触电极,六、形成肖特基接触电极。本发明设计新颖合理,有利于提高微型核电池的能量转换效率和封装密度,有利于集成,实用性强,推广应用价值高。

    声表面波型小波神经网络器件

    公开(公告)号:CN101231711A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810017257.2

    申请日:2008-01-08

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种声表面波型小波神经网络器件,它由输入层功能模块,隐含层功能模块,输出层功能模块三部分组成。其中,输入层功能模块由声表面波器件实现的小波重构功能器件阵列构成;隐含层功能模块,由声表面波器件实现的输入层到隐含层权值求和功能器件阵列和隐含层非线性阈值器件阵列构成;输出层功能模块,由声表面波器件实现的隐含层到输出层权值求和功能器件阵列和输出层非线性阈值器件阵列构成。本发明中声表面波型小波神经网络器件,由于采用无源、体积小、易于大规模生产、成本低、高频特性好的声表面波器件实现了小波神经网络算法,提高了处理信号的频率范围,减少了器件的实现体积,降低了功耗。

    一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路

    公开(公告)号:CN204408184U

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201420821386.8

    申请日:2014-12-19

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本实用新型针对现有Boost电路中启动时浪涌电流对主开关管Q2、同步功率管Q1以及对输出端设备的存在损坏的风险,提出一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路,包括电流与电压检测单元,限流单元和同步功率管Q1,电流与电压检测单元用于检测同步功率管Q1的输出电压VOUT与输入电压VIN之间的压差,并将检测结果欠压控制信号VUVLO输送至限流单元和逻辑控制电路里;该电路能够实现对同步功率管Q1电流的限制的功能,本实用新型的整个电路结构简洁、精度高、响应快速,能提高系统的可靠性。

    碳化硅横向PIN型微型核电池

    公开(公告)号:CN202976869U

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201220734703.3

    申请日:2012-12-27

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池,包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层,N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极,P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极;N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构,N型欧姆接触电极的垂直指条与P型欧姆接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构;N型SiC外延层上部除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层。本实用新型设计合理,实现方便,能量转换效率和封装密度高,有利于集成,实用性强,推广应用价值高。

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