公开(公告)号：CN1862840A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610082694.3

申请日：2006-05-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： V·曼尼文南 ,  A·U·埃邦 ,  J·-R·J·黄 ,  T·P·费斯特 ,  J·N·约翰逊

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。

公开(公告)号：CN101582464B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910141996.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科雷瓦尔 ,  J·N·约翰逊 ,  T·R·托利弗 ,  T·C·克罗伊茨 ,  X·张

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法。本发明描述了半导体结构，其包括半导体衬底(12)和布置在半导体衬底(12)上的半导体层(14)。该半导体层(14)同时在组成上被分级和在结构上被分级。特别地，该半导体层(14)沿着其厚度在组成上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上本征的到相对表面(18)处为基本上掺杂的。另外，该半导体层(14)沿着其厚度在结构上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上晶态的到相对表面(18)处为基本上非晶态的。本发明还描述了相关的方法。

公开(公告)号：CN101853893A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010159775.5

申请日：2010-03-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  J·N·约翰逊 ,  D·钟 ,  Y·A·奚 ,  F·R·艾哈迈德

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0368 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供了一种光伏装置，其包括吸收层，其中吸收层包括由晶界隔开的多个晶粒。至少一个层布置在吸收层上。吸收层包括基本上垂直于布置在吸收层上的至少一个层的晶界。多个晶粒具有小于1微米的中值晶粒直径。而且，晶粒为p型或n型。晶界包括活性掺杂剂。晶界中的活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶界可为相同类型或相反类型。而且，在晶界为n型时，晶界的底部可为p型。还公开了一种制成吸收层的方法。

公开(公告)号：CN101582464A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910141996.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科雷瓦尔 ,  J·N·约翰逊 ,  T·R·托利弗 ,  T·C·克罗伊茨 ,  X·张

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法。本发明描述了半导体结构，其包括半导体衬底(12)和布置在半导体衬底(12)上的半导体层(14)。该半导体层(14)同时在组成上被分级和在结构上被分级。特别地，该半导体层(14)沿着其厚度在组成上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上本征的到相对表面(18)处为基本上掺杂的。另外，该半导体层(14)沿着其厚度在结构上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上晶态的到相对表面(18)处为基本上非晶态的。本发明还描述了相关的方法。

公开(公告)号：CN101183689A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710194457.0

申请日：2007-11-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·察卡拉科斯 ,  J·N·约翰逊 ,  V·马尼文南

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L31/065 ,  H01L31/074 ,  Y02E10/50

Abstract: 在某些实施例中，本发明提供成分分级混合式纳米结构基光电器件，包括加长半导体纳米结构以及非晶半导体单层，该非晶半导体单层在其厚度上具有从基本上本征到基本上导电连续分级的掺杂浓度。在其他实施例中，本发明提供制造这种光电器件的方法，还提供采用这种器件的应用(例如，太阳能电池模块)。

公开(公告)号：CN1943002A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200480042839.6

申请日：2004-03-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·沙伊肯斯 ,  C·D·伊亚科范格洛 ,  J·N·约翰逊 ,  W·A·莫里森

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/32

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明提供了一种等离子体源(102)，其中，可以响应等离子体室(104)内的选定条件而将间隙(110)(即阴极与阳极之间距离)实时地调节为所希望的距离。至少一个传感器(116)监视并检测等离子体室(104)内的所述条件的任何变化。包括至少一个等离子体源(102)的装置(100)产生至少一种稳定的、并可实时调节的等离子体。在一个实施例中，装置(100)包括多个等离子体源(102)，可以实时地将这些等离子体源(102)“调谐”，以产生互相类似的等离子体，或者相反地，可以将它们“去调谐”，以产生不相类似的等离子体。装置(100)可用于等离子体处理(例如但不限于物件(160)的镀膜、蚀刻和激活)。也公开了提供所述等离子体以及使用所述等离子体处理物件(160)的方法。