公开(公告)号：CN1862840B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200610082694.3

申请日：2006-05-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： V·曼尼文南 ,  A·U·埃邦 ,  J·-R·J·黄 ,  T·P·费斯特 ,  J·N·约翰逊

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。

公开(公告)号：CN1862840A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610082694.3

申请日：2006-05-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： V·曼尼文南 ,  A·U·埃邦 ,  J·-R·J·黄 ,  T·P·费斯特 ,  J·N·约翰逊

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。