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公开(公告)号：CN1796391B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200510113489.4
申请日：2005-10-17
Applicant: 通用电气公司
IPC: C07F7/08 , C09J125/08 , H05B33/22 , G02F1/13 , B32B7/12
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/0039 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S428/917
Abstract: 在本发明的一个实施方式中公开了一种制备电活化装置第一层的方法，包括步骤(i)通过混合至少一种助粘剂材料和至少一种电活化材料制备第一层组合物；和(ii)将该组合物沉积在所述电活化装置的第二电活化层上形成所述第一层；和(iii)任选进一步在所述第一层的与第二层相反的表面上沉积第三层的电活化材料，其中该第一层组合物确保了所述第一层与所述第二层之间或所述第一层与所述第三层之间的粘合，或者所述第一层与所述第二层和所述第三层之间的粘合。
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公开(公告)号：CN1715364B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510081144.5
申请日：2005-06-28
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·M·斯里瓦斯塔瓦 , S·J·杜克洛斯 , H·A·科曼佐 , V·S·文卡塔拉马尼 , V·马尼文南
CPC classification number: G21K4/00 , C09K11/772
Abstract: 一种卤化物钙钛矿材料的闪烁体组合物，包含至少一种ABX3型卤化物钙钛矿、至少一种基体材料的活化剂和任选地至少一种有助于活化剂进入钙钛矿晶格的电荷补偿剂以及它们的所有反应产物。也描述了使用该闪烁体的辐射探测器、探测高能辐射的相关方法及产生活化卤化物-钙钛矿基闪烁体晶体的方法。
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公开(公告)号：CN101183689B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200710194457.0
申请日：2007-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074 , Y02E10/50
Abstract: 在某些实施例中，本发明提供成分分级混合式纳米结构基光电器件，包括加长半导体纳米结构以及非晶半导体单层，该非晶半导体单层在其厚度上具有从基本上本征到基本上导电连续分级的掺杂浓度。在其他实施例中，本发明提供制造这种光电器件的方法，还提供采用这种器件的应用(例如，太阳能电池模块)。
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公开(公告)号：CN1797788B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510127251.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01G9/2031 , B82Y10/00 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521 , Y10T428/12146 , Y10T428/12153 , Y10T428/12167
Abstract: 本发明公开了一种包含衬底(12)和柱状结构的产品，其中该柱状结构包含半导体，且该柱状结构以下述方式置于衬底(12)上：其中该柱状结构的纵轴基本上垂直于衬底(12)。在此公开了包含其上设有电子传输涂层(14)的衬底(12)的电极(10)，其中该电子传输涂层(14)包含柱状结构。
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公开(公告)号：CN101097969A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126319.9
申请日：2007-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/072 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02167 , H01L31/065 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体结构包括一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面。将第一非晶半导体层涂敷到前表面上；将第二和第三非晶半导体层设置在衬底的部分后表面上。第二和第三层每一个都沿其深度有组分梯度，从在与衬底的界面处的基本本征到其相反表面处的基本导电。在一些情况下，第一半导体层也有组分梯度，同时在其他情况下，其特性是本征的。半导体结构可用作太阳能电池；和包括多个这种电池的模块表示为本发明的另一实施例。也描述了用于制造光电器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101604613B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910159582.7
申请日：2009-06-11
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C09K11/7792 , H01J61/44 , H01J61/72 , Y02B20/181
Abstract: 荧光灯(10)包括磷光体层(16)，磷光体层(16)包括(Y1-x-yGdx)AlO3:Eu3+y，其中0.4≤x≤0.7和0≤y≤0.1，以及至少各一种发射绿光和蓝光磷光体。所得到的灯(10)将呈现白光，其在相关色温为2500-10000K时具有优选地为90或更高的现色指数。在灯的磷光体掺合物中使用(Y1-x-yGdx)AlO3:Eu3+y导致高CRI光源，在灯寿命进程中具有提高的稳定性和可接受的流明维持。
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公开(公告)号：CN101604613A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910159582.7
申请日：2009-06-11
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C09K11/7792 , H01J61/44 , H01J61/72 , Y02B20/181
Abstract: 荧光灯(10)包括磷光体层(16)，磷光体层(16)包括(Y1－x－yGdx)AlO3:Eu3+y，其中0.4≤x≤0.7和0≤y≤0.1，以及至少各一种发射绿光和蓝光磷光体。所得到的灯(10)将呈现白光，其在相关色温为2500－10000K时具有优选地为90或更高的现色指数。在灯的磷光体掺合物中使用(Y1－x－yGdx)AlO3:Eu3+y导致高CRI光源，在灯寿命进程中具有提高的稳定性和可接受的流明维持。
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公开(公告)号：CN1797788A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510127251.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01G9/2031 , B82Y10/00 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521 , Y10T428/12146 , Y10T428/12153 , Y10T428/12167
Abstract: 本说明书公开了一种包含衬底(12)和柱状结构的产品，其中该柱状结构包含半导体，且该柱状结构以下述方式置于衬底(12)上：其中该柱状结构的纵轴基本上垂直于衬底(12)。在此公开了包含其上设有电子传输涂层(14)的衬底(12)的电极(10)，其中该电子传输涂层(14)包含柱状结构。
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公开(公告)号：CN1796391A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510113489.4
申请日：2005-10-17
Applicant: 通用电气公司
IPC: C07F7/08 , C09J125/08 , H05B33/22 , G02F1/13 , B32B7/12
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/0039 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S428/917
Abstract: 在本发明的一个实施方式中公开了一种制备电活化装置第一层的方法，包括步骤(i)通过混合至少一种助粘剂材料和至少一种电活化材料制备第一层组合物；和(ii)将该组合物沉积在所述电活化装置的第二电活化层上形成所述第一层；和(iii)任选进一步在所述第一层的与第二层相反的表面上沉积第三层的电活化材料，其中该第一层组合物确保了所述第一层与所述第二层之间或所述第一层与所述第三层之间的粘合，或者所述第一层与所述第二层和所述第三层之间的粘合。
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公开(公告)号：CN101183689A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710194457.0
申请日：2007-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074 , Y02E10/50
Abstract: 在某些实施例中，本发明提供成分分级混合式纳米结构基光电器件，包括加长半导体纳米结构以及非晶半导体单层，该非晶半导体单层在其厚度上具有从基本上本征到基本上导电连续分级的掺杂浓度。在其他实施例中，本发明提供制造这种光电器件的方法，还提供采用这种器件的应用(例如，太阳能电池模块)。
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