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公开(公告)号：CN111327849A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010127093.X
申请日：2017-09-25
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本申请案涉及一种用于双重斜波模/数转换器的比较器。本文中描述用于具有经增加模/数转换范围及经减少噪声的图像传感器的设备及方法。实例性方法可包含：停用比较器的第一自动归零开关，所述第一自动归零开关经耦合以将所述比较器的参考电压输入自动归零；调整提供到所述比较器的所述参考电压输入的斜波电压的自动归零偏移电压；及停用所述比较器的第二自动归零开关，所述第二自动归零开关经耦合以将所述比较器的位线输入自动归零。
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公开(公告)号：CN110022447B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811560800.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种成像系统、输出线电路及其快速稳定的方法。光电二极管适于积聚图像电荷。转移晶体管将图像电荷转移到浮动扩散区。源极跟随器晶体管被耦合成接收浮动扩散区的电压并提供经放大信号。行选择晶体管将经放大信号使能并将经放大信号输出到位线。第一电流源产生器耦合在位线与地电位之间。第一电流源产生器通过第一栅地‑阴地晶体管、第一偏压晶体管及第二偏压晶体管吸收电流。第一栅地‑阴地晶体管通过栅地‑阴地控制电压被施加偏压。第一偏压晶体管及第二偏压晶体管通过偏压控制电压被施加偏压。
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公开(公告)号：CN110035243B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811553579.9
申请日：2018-12-19
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种快速稳定输出线电路、快速稳定方法和成像系统。转移晶体管耦合在光电二极管与浮动扩散之间以将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散。转移栅极电压控制图像电荷从转移晶体管的转移接收端子向浮动扩散的传输。复位晶体管被耦合成向浮动扩散供应复位浮动扩散电压。源极跟随器晶体管被耦合成从源极跟随器的栅极端子接收浮动扩散的电压并将经放大信号提供到源极跟随器的源极端子。行选择晶体管被耦合成将来自源极跟随器源极端子的经放大信号使能并将经放大信号输出到位线。位线使能晶体管耦合到位线与位线源极节点之间的链路。位线源极节点耦合到黑太阳电压产生器。电流源产生器通过偏压晶体管向位线源极节点提供可调整的电流。
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公开(公告)号：CN110022447A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811560800.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种成像系统、输出线电路及其快速稳定的方法。光电二极管适于积聚图像电荷。转移晶体管将图像电荷转移到浮动扩散区。源极跟随器晶体管被耦合成接收浮动扩散区的电压并提供经放大信号。行选择晶体管将经放大信号使能并将经放大信号输出到位线。第一电流源产生器耦合在位线与地电位之间。第一电流源产生器通过第一栅地-阴地晶体管、第一偏压晶体管及第二偏压晶体管吸收电流。第一栅地-阴地晶体管通过栅地-阴地控制电压被施加偏压。第一偏压晶体管及第二偏压晶体管通过偏压控制电压被施加偏压。
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公开(公告)号：CN107872634A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710872237.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本申请案涉及一种用于双重斜波模/数转换器的比较器。本文中描述用于具有经增加模/数转换范围及经减少噪声的图像传感器的设备及方法。实例性方法可包含：停用比较器的第一自动归零开关，所述第一自动归零开关经耦合以将所述比较器的参考电压输入自动归零；调整提供到所述比较器的所述参考电压输入的斜波电压的自动归零偏移电压；及停用所述比较器的第二自动归零开关，所述第二自动归零开关经耦合以将所述比较器的位线输入自动归零。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113675228B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110528555.3
申请日：2021-05-14
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/772 , H04N25/70
Abstract: 本申请案涉及双行选择结构的布局设计。像素阵列包含安置在半导体材料中的像素单元。所述像素单元中的每一者包含光电二极管及从所述光电二极管接收图像电荷的浮动扩散区。源极跟随器经耦合到所述浮动扩散区以响应于来自所述光电二极管的图像电荷而生成图像信号。第一及第二行选择晶体管的漏极区经耦合到所述源极跟随器的源极。共同结经安置在所述第一与第二行选择晶体管的栅极之间的所述半导体材料中，使得所述第一及第二行选择晶体管的所述漏极被共享且通过所述共同结的所述半导体材料耦合在一起。所述像素单元经组织成具有位线的行及列。
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公开(公告)号：CN118488334A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410142570.8
申请日：2024-01-31
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N25/77 , H01L27/146 , H04N25/772 , H04N25/78
Abstract: 本公开涉及一种深N‑阱驱动型斜波缓冲器。一种局部斜波缓冲器包含：深N‑阱层，其在P‑衬底的表面下方安置于所述P‑衬底中；P‑阱，其安置于所述P‑衬底的所述表面与所述深N‑阱层之间；及N‑阱结构，其安置于所述P‑衬底中并耦合到所述深N‑阱层。所述N‑阱结构安置于所述P‑衬底的所述表面与所述深N‑阱层之间。所述P‑阱安置于所述N‑阱结构中的开口内部。所述N‑阱结构及所述深N‑阱层经配置以隔离所述开口内的所述P‑阱。源极跟随器晶体管安置于所述P‑阱中。所述源极跟随器晶体管包含耦合到所述N‑阱结构及斜波产生器的栅极端子。
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公开(公告)号：CN116915220A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310375788.3
申请日：2023-04-10
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种局部斜坡缓冲器电路中的斜坡稳定辅助电路。斜坡缓冲器电路包含具有经耦合以接收斜坡信号的输入的输入装置。偏置电流源耦合到所述输入装置的输出。所述输入装置及所述偏置电流源耦合于电源线与接地之间。辅助电流源耦合于所述输入装置的所述输出与接地之间。所述辅助电流源经配置以仅在于所述斜坡信号中产生的斜坡事件期间将辅助电流从所述输入装置的所述输出传导到接地。
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公开(公告)号：CN116896690A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310342634.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N25/701 , H04N25/59 , H04N25/77 , H04N25/78
Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦的九单元像素图像传感器中的改进的位线稳定及电源抑制比。一种成像装置包含布置成行及列的像素电路的像素阵列。位线耦合到所述像素电路。箝位电路耦合到所述位线。所述箝位电路中的每一者包含到电源线及所述位线中的相应一者的箝位短路晶体管。所述箝位短路晶体管经配置以响应于箝位短路使能信号而被切换。第一二极管压降装置耦合到所述电源线。箝位空闲晶体管耦合到所述第一二极管压降装置，使得所述第一二极管压降装置及所述箝位空闲晶体管耦合在所述电源线与所述位线中的所述相应一者之间。所述箝位空闲晶体管经配置以响应于箝位空闲使能信号而被切换。
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公开(公告)号：CN114650381B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111230713.3
申请日：2021-10-22
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N25/78
Abstract: 本申请案涉及比较器第一级箝位。一种比较器包含第一级，所述第一级包含第一输出以产生响应于所述第一级的第一与第二输入的比较而在上与下电压电平之间转变的第一输出信号。第二级包含经耦合以从所述第一级的所述第一输出接收所述第一输出信号的输入及经配置以响应于所述第一输出信号而产生第二输出信号的第二输出。箝位电路包含第一节点及第二节点。所述第一节点耦合到所述第一级的所述第一输出且所述第二节点耦合到电源电压。所述箝位电路经配置以箝制所述第一节点与所述第二节点之间的电压差以箝制所述第一输出信号的电压摆动。
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