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公开(公告)号：CN110868519A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910183912.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动对焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括中心区及两个平行边缘区，其中中心区位于两个平行边缘区之间。中心区包括沿着行及列的第一子阵列安置的多个图像像素，其中多个图像像素中的每一者包括形成在第一光接收元件上方的偏移位置处的第一微透镜ML，以作为用于缩短中心区中的图像像素的出射光瞳距离的对策，且两个平行边缘区中的每一者包括沿着行及列的第二子阵列安置的多个相位检测自动对焦PDAF像素，其中多个PDAF像素中的每一者包括形成在第二光接收元件上方的对准位置处的第二微透镜ML；且PDAF像素中的至少一者位于远离边缘区的中心的距离处以沿着射入倾角接收入射光。
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公开(公告)号：CN110634895A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910514879.4
申请日：2019-06-14
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本申请案涉及一种使用热塑性衬底材料的弯曲图像传感器。图像传感器包含多个光电二极管，其布置成阵列并安置在半导体材料中以通过所述半导体材料的第一表面接收光。所述半导体材料的至少部分是弯曲的。载体晶片附接到所述半导体材料的与所述第一表面相对的第二表面，且聚合物层附接到所述载体晶片，使得所述载体晶片安置在所述聚合物层与所述半导体材料之间。
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公开(公告)号：CN109686748A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811201788.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及用于图像传感器的沟槽隔离。一种图像传感器包含多个光电二极管，所述多个光电二极管安置于半导体材料中以将图像光转换成图像电荷。浮动扩散部接近于所述多个光电二极管而安置以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷。多个转移晶体管经耦合以响应于施加到所述多个转移晶体管的栅极端子的电压而将所述图像电荷从所述多个光电二极管转移到所述浮动扩散部中。第一沟槽隔离结构从所述半导体材料的前侧延伸到所述半导体材料中且环绕所述多个光电二极管。第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的后侧延伸到所述半导体材料中。所述第二沟槽隔离结构安置于所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。
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公开(公告)号：CN108695347A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810121152.5
申请日：2018-02-07
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及高动态范围图像传感器的串扰减少。多色彩HDR图像传感器至少包含具有第一彩色滤光器的第一组合色彩像素以及具有不同于所述第一彩色滤光器的第二彩色滤光器的邻近第二组合色彩像素，其中每一组合色彩像素包含具有至少两个邻近光电二极管的至少两个子像素。在每一组合色彩像素内，存在用以将具有相同彩色滤光器的两个邻近子像素的两个邻近光电二极管隔离的介电深沟槽隔离d‑DTI结构以便防止电串扰。在具有不同彩色滤光器的两个邻近组合色彩像素之间，存在用以将具有不同彩色滤光器的两个邻近子像素的两个邻近光电二极管隔离的混合深沟槽隔离h‑DTI结构以便防止光学串扰及电串扰两者。每一组合色彩像素在所有侧上由所述混合深沟槽隔离h‑DTI结构围封。
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公开(公告)号：CN110634895B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201910514879.4
申请日：2019-06-14
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本申请案涉及一种使用热塑性衬底材料的弯曲图像传感器。图像传感器包含多个光电二极管，其布置成阵列并安置在半导体材料中以通过所述半导体材料的第一表面接收光。所述半导体材料的至少部分是弯曲的。载体晶片附接到所述半导体材料的与所述第一表面相对的第二表面，且聚合物层附接到所述载体晶片，使得所述载体晶片安置在所述聚合物层与所述半导体材料之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993630B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910849715.7
申请日：2019-09-09
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本申请案涉及多厚度栅极电介质。图像传感器包含：一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；及浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷。一或多个转移晶体管经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散，并且源极跟随器晶体管经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷。所述源极跟随器包含栅电极(耦合到所述浮动扩散)、源电极及漏电极，以及在所述源电极与漏电极之间安置在所述半导体材料中的作用区。电介质材料安置在所述栅电极与所述作用区之间，并具有第一厚度及第二厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，且所述第二厚度比所述第一厚度更靠近所述漏电极安置。
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公开(公告)号：CN109686748B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201811201788.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及用于图像传感器的沟槽隔离。一种图像传感器包含多个光电二极管，所述多个光电二极管安置于半导体材料中以将图像光转换成图像电荷。浮动扩散部接近于所述多个光电二极管而安置以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷。多个转移晶体管经耦合以响应于施加到所述多个转移晶体管的栅极端子的电压而将所述图像电荷从所述多个光电二极管转移到所述浮动扩散部中。第一沟槽隔离结构从所述半导体材料的前侧延伸到所述半导体材料中且环绕所述多个光电二极管。第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的后侧延伸到所述半导体材料中。所述第二沟槽隔离结构安置于所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。
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公开(公告)号：CN110868519B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910183912.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动对焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括中心区及两个平行边缘区，其中中心区位于两个平行边缘区之间。中心区包括沿着行及列的第一子阵列安置的多个图像像素，其中多个图像像素中的每一者包括形成在第一光接收元件上方的偏移位置处的第一微透镜ML，以作为用于缩短中心区中的图像像素的出射光瞳距离的对策，且两个平行边缘区中的每一者包括沿着行及列的第二子阵列安置的多个相位检测自动对焦PDAF像素，其中多个PDAF像素中的每一者包括形成在第二光接收元件上方的对准位置处的第二微透镜ML；且PDAF像素中的至少一者位于远离边缘区的中心的距离处以沿着射入倾角接收入射光。
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公开(公告)号：CN111477642A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911066767.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 伊贤敏 , 姚敬明 , P·西泽多西欧 , E·韦伯斯特 , 毛杜立 , 林志强 , J·兰德杰夫 , 马渕圭司 , 凯文·约翰逊 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 林赛·格朗 , B·佛勒
IPC: H01L27/146 , G01S17/08
Abstract: 本申请案涉及用电感器进行栅极调制。一种传感器包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以接收光及将所述光转换成电荷；及第一浮动扩散部，其耦合到所述光电二极管以接收所述电荷。第二浮动扩散部耦合到所述光电二极管以接收所述电荷，且第一转移晶体管经耦合以将所述电荷从所述光电二极管转移到所述第一浮动扩散部中。第二转移晶体管经耦合以将所述电荷从所述光电二极管转移到所述第二浮动扩散部中，且电感器耦合于所述第一转移晶体管的第一栅极端子与所述第二转移晶体管的第二栅极端子之间。所述电感器、所述第一栅极端子及所述第二栅极端子形成谐振电路。
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公开(公告)号：CN110943096A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910617610.9
申请日：2019-07-10
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及具有多级转移栅极的CMOS图像传感器。一种图像传感器像素包括：第一电荷存储节点，其经配置以具有第一电荷存储电势；第二电荷存储节点，其经配置以具有第二电荷存储电势且从所述第一电荷存储节点接收电荷，其中所述第二电荷存储电势大于所述第一电荷存储电势；及转移电路，其耦合于所述第一电荷存储节点与所述第二电荷存储节点之间，其中所述转移电路包括至少三个转移区域，其中：第一转移区域接近所述第一电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第一转移电势；第二转移区域耦合于所述第一转移区域与第三转移区域之间且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第二转移电势；及所述第三转移区域接近所述第三电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第三转移电势。电荷在多个转移信号脉冲之后完全地从所述第一电荷存储节点转移到所述第二电荷存储节点。
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