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公开(公告)号：CN111527082A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880080296.9
申请日：2018-10-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D405/14 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D251/24 , C07F5/02 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及包含与取代或未取代三嗪环直接结合的TAE结构的化合物，其用作电子器件的层材料，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111448188A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880070647.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 多玛果伊·帕维奇科 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D401/10 , C07D251/24 , H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物：(式I)、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。
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公开(公告)号：CN110892545A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880033940.7
申请日：2018-05-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 本杰明·舒尔策
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及式1化合物和包括有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式1化合物，其中X选自O、S或Se；Ar1选自未被取代或被取代的C2至C60杂芳亚基，并且其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基包含至少约一个至约六个取代基，其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、OH、卤素、C6至C36芳亚基或C2至C25杂芳亚基；n为1或2；L1选自单键、C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C36芳亚基，其中被取代的C6至C36芳亚基的取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳亚基；L2选自单键或C1至C6烷基；R1、R2独立地选自被取代或未被取代的C1至C16烷基，其中被取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；其中所述式1化合物包含至少约4个C6芳亚基环并且分子质量为至少约400g/mol至约1800g/mol。
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公开(公告)号：CN109761919A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317425.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 多玛果伊·帕维奇科 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/46
CPC classification number: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D407/10 , C07D409/10
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN108431289A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10-2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
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公开(公告)号：CN113631556B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202080014244.9
申请日：2020-02-11
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D471/04 , H10K59/10 , H10K59/90
Abstract: 本发明涉及具有式(I)的化合物：#imgabs0#以及包含该化合物的有机半导体层、有机电子器件、显示器件和照明器件。
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公开(公告)号：CN111602259B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201880082306.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
Abstract: 本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。
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公开(公告)号：CN118435727A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084527.X
申请日：2022-12-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包含式(I)的化合物的电荷产生层。本发明还涉及包含该电荷产生层的有机电子器件和显示装置，以及式(I)的化合物。
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公开(公告)号：CN117529980A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202380009758.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 马克斯·皮特·纽伦 , 本杰明·舒尔策 , 雅各布·亚切克·乌达尔奇克 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
IPC: H10K50/125 , H10K50/19 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种包含式(I)化合物和式(II)化合物的电致发光器件和包含所述有机电致发光器件的显示装置。
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