一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112442681A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011077872.X

    申请日:2020-10-10

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明提供一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法,包括以下步骤:将半导体衬底置于反应腔中,在真空条件且载气存在的条件下,以脉冲形式向反应腔中通入Ni源进行沉积,所述Ni源为气相Ni源,得到沉积有Ni源的衬底;向反应腔中充入惰性气体进行吹扫;在载气存在的条件下,以脉冲形式向反应腔通入硅源,所述硅源为气相硅源,与沉积在衬底上的Ni源进行单原子反应,得到纳米NiSix薄膜;向反应腔中充入惰性气体进行吹扫,完成一个ALD生长循环;重复步骤一至步骤四1~3000次,通过重复不同次数制备得到不同厚度的NiSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含NiSix沉积层。

    一种超灵敏的水体中汞离子检测方法

    公开(公告)号:CN112326752A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202010999383.3

    申请日:2020-09-22

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明提供一种超灵敏的水体中汞离子检测方法,所述水体中汞离子检测方法的步骤为:锥形聚合物纳米通道的制备;汞离子引发的杂交链式反应溶液的配制;汞离子的检测;数据处理。本发明具有简单、快速、低成本、高通量和无需标记的优点,根据Hg2+能与胸腺嘧啶碱基形成稳定的T‑Hg‑T结构的原理,设计了可特异性检测Hg2+的功能核酸序列,可以实现水体中Hg2+的选择性检测,且将杂交链式反应信号放大技术与纳米孔单分子检测技术相结合,有效地提高检测方法的灵敏度,在单分子水平上实现了对金属离子汞的超灵敏检测分析,可应用于水环境中汞离子的实时检测及汞离子毒理作用的研究。

    一种快速、超灵敏的ATP检测方法及其应用

    公开(公告)号:CN112326747A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202010999381.4

    申请日:2020-09-22

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明提供一种快速、超灵敏的ATP检测方法及其应用,所述ATP检测方法包括三个基本步骤,分别为:锥形聚合物纳米通道的制备;ATP的检测;数据处理。本发明在检测生物细胞ATP分子时,具有操作简单、耗时较少、成本较低的特点,通过设计捕获探针DNA(H1,H2)和辅助探针DNA(H3,H4)的DNA序列,实现ATP分子的特异性检测,同时具有良好的抗干扰能力,且在检测生物细胞ATP分子时无需分子标记,可实现高通量、超灵敏检测,检出限可低至pM级别,同时还可观测到单分子指纹信息。

    一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112281138A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011077350.X

    申请日:2020-10-10

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法,包括以下步骤:1)将半导体衬底置于反应腔中,在真空且载气存在的条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积,得到沉积有Co源的衬底;2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫;3)在载气存在的条件下,以脉冲形式向反应腔通入硅源,所述硅源为气相硅源,与沉积在衬底上的Co源进行单原子反应,得到纳米CoSix薄膜;4)向反应腔中充入惰性气体进行吹扫,完成一个ALD生长循环;重复步骤一至步骤四的操作1~3000次,即可得到生长有不同厚度的CoSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含CoSix沉积层。

    一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物

    公开(公告)号:CN114573642B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202210187207.9

    申请日:2022-02-28

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物,属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物,有良好的耐空气水分稳定性,较好的溶解性,良好的挥发性和热稳定性,以及良好的成膜性能,可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体,通过CVD/ALD工艺制备出良好的Ni基薄膜。同时本发明合成方法简便,条件温和,大大降低了前驱体材料的合成成本。(56)对比文件Jilles J. H. Edema et al..Synthesisand Structural Features of NovelVanadium(II) Amides. X-ray Structures ofOctahedral [ ( 2-C5H4N) ( CH3)N]2V(TMEDA) (TMEDA=N,N,N’,N’-Tetramethylethylenediamine) and Square-Pyramidal [2,5-(CH3)2C4H2N]2V( PY)3 (Py=Pyridine) 《.Inorg. Chem.》.1991, 2062-2066页.

    一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物

    公开(公告)号:CN113717233B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202111171426.X

    申请日:2021-10-08

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物,属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种新型的信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物,合成方法简单、合成条件温和。该氨基吡啶基氯化Co(II)化合物具有良好的耐空气水分稳定性,有良好的挥发性和热稳定性,具有良好的成膜性能。本发明以氨基吡啶基氯化Co(II)化合物作为CVD/ALD的前驱体,通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺,制备Co基薄膜如Co金属薄膜等,大大降低了前驱体材料的成本;该前驱体材料所具有的良好耐空气水分稳定性使得前驱体材料操作性、运输、输送以及加工过程变得简单易操作。

    一种钕基金属有机骨架Nd-MOF材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114835910B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202210333649.X

    申请日:2022-03-31

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 一种钕基金属有机骨架Nd‑MOF材料及其制备方法,该钕基金属有机骨架材料的化学式为C54H36N18O15Nd,该金属有机骨架材料选用5,5’‑二(1H‑1,2,4‑三唑‑1‑基)‑[1,1’‑联苯]‑3,3’‑二羧酸为配体构筑具有三维网状结构的Nd‑MOF材料。该配体是由两个苯甲酸和两个三氮唑构成的大的共轭体系,在合成的MOF结构中,两个羧基与金属离子形成配位键,两个三氮唑没有与金属离子配位,游离在孔道中,丰富的氮源和裸露的配位点,为MOF材料在荧光检测方面的应用打下基础。本发明利用氧原子比氮原子更容易与稀土离子钕生成稳定配位键的特点,以水为主要反应溶剂,有效抑制了三氮唑与金属离子的配位。

    变桨系统超级电容充电器预警方法

    公开(公告)号:CN113991771A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111172713.2

    申请日:2021-10-08

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明公开了变桨系统超级电容充电器预警方法,属于超级电容充电器技术领域,变桨系统包括超级电容、变桨电机、变频器、充电器、电网输入、控制器和数字量信号,变频器用于控制变桨电机运行,充电器用于在电网输入正常时为超级电容充电,控制器用于控制变桨系统运行,控制变频器运行,充电器输出的正极端与超级电容的正极端和变频器的正极端电连接,充电器输出的负极端与超级电容的负极端和变频器的负极端电连接,数字量信号是充电器反馈给控制器的开关量信号,本发明不会对超级电容电压造成过充,不会造成超级电容过电压等安全隐患,不需要对风力发电机进行停机检测,也不需要对充电进行技改或更换,能够有效地降低器件成本和人工成本。

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