公开(公告)号：CN112281138A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011077350.X

申请日：2020-10-10

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  李会 ,  张时星 ,  吕春杰 ,  梁晓雪 ,  莫美娟 ,  湛亚琴 ,  刘娜 ,  王恒

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法，包括以下步骤：1)将半导体衬底置于反应腔中，在真空且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积，得到沉积有Co源的衬底；2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫；3)在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Co源进行单原子反应，得到纳米CoSix薄膜；4)向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四的操作1～3000次，即可得到生长有不同厚度的CoSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含CoSix沉积层。