一种基于二自由度谐振器的谐振式温度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116124318A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310002594.9

    申请日:2023-01-03

    Abstract: 本发明公开了一种基于二自由度谐振器的谐振式温度传感器及其制备方法。所公开的传感器包括锚点和两个谐振器,两个谐振器通过耦合结构微弱的耦合在一起,二自由度谐振器系统固定于四个锚点。两个谐振器在谐振频率处振动,两个谐振器的振幅相等;当外界温度发生变化时,由于传感器与基底材料热膨胀系数的差异,从而带动锚点移动,进而增加了其中一个谐振器的应力,该应力会引起其中一个谐振器的刚度改变;另一个谐振器的应力释放结构消除了锚点移动所产生的应力,进而该谐振器的刚度不受影响。进而可通过检测两个谐振器的振幅比可以获得外界温度的大小。

    一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器

    公开(公告)号:CN113483926A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110798999.9

    申请日:2021-07-15

    Abstract: 本发明公开了一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器,包括了两个尺寸不同的敏感膜片,其中较小硅应变膜可以设计为灵敏度较小,量程较大的结构,具有较强的过载能力,满足冲击波压力峰值的测量;除此之外,其中较大硅应变膜的上方设置带有通孔的硅盖帽,盖帽与相应硅应变膜形成了空腔,通过合理设计气孔和空腔的体积可以滤除具有高频特征的冲击波压力信号,使具有低频、零频的准静态压力信号作用于相应硅应变膜;并且,两个敏感膜片的背面均设计有岛,当压力超过量程时,岛会与玻璃基底接触,具有一定的抗过载能力,进一步保护了具有高灵敏度、小量程的第一硅应变膜。

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