公开(公告)号：CN117613120A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311514753.X

申请日：2023-11-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 董栩婷 ,  张畅 ,  黄永 ,  包军林 ,  王一 ,  王亦飞 ,  卢灏 ,  解靖飞 ,  常娟雄 ,  陈财 ,  龚子刚 ,  万坤 ,  邵语嫣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖GaN沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域，并在阴极位置区域和阳极位置区域之间的区域形成叉指状结构；阴电极和阳电极，分别设置于阴极位置区域和阳极位置区域的AlGaN势垒层上；一维光子晶体层，设置于叉指状结构的AlGaN势垒层上。本发明中的日盲光电探测器，光生电流较高、响应度较高、暗电流较低，且成本较低。

公开(公告)号：CN116153780A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310036801.2

申请日：2023-01-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 黄永 ,  王亦飞 ,  王东 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  杨旭豪 ,  龚子刚 ,  薛荣宇 ,  台运涛 ,  邵语嫣

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀半导体结构层，以在其两端分别形成到达P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在第一生长台阶处的P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，离子注入区贯穿P型埋层并延伸至第一生长台阶外；分别在第一生长台阶和第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。本发明中的方法，能够制备得到反向耐压值较高，漏电电流较低，且其结构简，内部各个结构层的结晶质量较高的肖特基二极管。

公开(公告)号：CN115900996A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310141937.X

申请日：2023-02-13

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 万坤 ,  解靖飞 ,  黄永 ,  薛军帅 ,  陈兴 ,  王东 ,  吴勇 ,  龚子刚 ,  艾月 ,  韩超 ,  李园 ,  邵语嫣

IPC: G01K11/00 ,  G01K11/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的温度测量方法，包括如下步骤：将荧光温敏材料与分散剂混合形成涂布溶液，并将涂布溶液涂敷于待检测器件的有源表面上；给待检测器件施加预设偏压，并获取荧光温敏材料在预设偏压下的荧光强度；根据荧光强度和荧光温敏材料的温敏荧光特性曲线得到待检测器件的有源表面温度；根据有源表面温度得到待检测器件内的空间电荷区处的温度。本发明中的方法，使用范围较广且温度检测精度较高。