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公开(公告)号：CN118472086A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410664776.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于非线性超表面的Ga2O3多波段光电探测器及其制备方法，包括衬底层、有源层、超表面以及电极；在Ga2O3超表面集成，实现对探测器非工作波段信号的倍频；所述超表面在入射光场下共振，极化后输出倍频后的次级波；通过集成超表面，入射信号通过超表面被有源层吸收。本发明利用非线性效应，设计的非线性超表面可以进行波长转换，使日盲紫外探测器突破材料的带隙限制。这一结构在扩展探测波段的同时，保证了日盲波段的选择性，并且制备简单，有利于大规模推广。
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公开(公告)号：CN114203797B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111438443.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/80 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了基于异质结的超结氧化镓晶体管及其制作方法与应用，属于半导体材料和器件技术领域。所述超结氧化镓晶体管包括超结结构，所述超结结构为在所述晶体管的氧化镓漂移区上形成的交错排列的氧化镓基异质PN结。本发明通过在氧化镓沟道的漂移区形成异质超结结构，对氧化镓漂移区电场分布模式进行修正，有效降低栅极边缘尖峰电场，将漂移区电场由栅极边缘向漏极方向扩散，实现氧化剂晶体管击穿电压与导通电阻制约关系的突破，可以获得更高击穿电压和更低导通电阻，获得优异性能的氧化镓器件，为氧化镓器件在电子电力领域的广泛应用奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN107680899A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710828652.8
申请日：2017-09-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明公开了一种基于智能剥离技术制备异质(Ga1-xAlx)2O3的方法，主要解决现有(Ga1-xAlx)2O3材料热传导性差的问题。其实现方案为：1.向Ga2O3上生长的(Ga1-xAlx)2O3材料内部注入氢或氦或氮元素，以在其内部形成与其表面相平行的注入元素层；2.将注入元素层的(Ga1-xAlx)2O3与另一块衬底键合成一个整体；3对该整体进行低温退火并置于剥离液中，使得(Ga1-xAlx)2O3材料在注入元素层处断裂分离，再进行表面抛光和高温退火处理，形成稳定的异质(Ga1-xAlx)2O3材料。本发明提高了异质(Ga1-xAlx)2O3材料的热传导性，可用于制备功率电子器件。
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公开(公告)号：CN106024922B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610117685.7
申请日：2016-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金。衬底、集电极区、光吸收区、基极区、发射极区依次竖直分布，保护层包裹在集电极区、光吸收区、基极区、发射极区外围。本发明采用标准CMOS工艺制备。本发明通过采用具有带隙、高光吸收系数的GeSn材料，有着比Ge探测器更广的中红外探测范围，具有高的光灵敏度和光电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789347B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610117819.5
申请日：2016-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/11 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法，晶体管的集电极和发射极区均采用GeSi材料；光吸收区、基极区均采用GeSn材料。发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在发射极区、基极区、光吸收区、集电极区的外围。本发明晶体管的制作方法采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn材料，标准CMOS制作工艺。本发明通过使用有高光吸收系数的GeSn材料在光吸收区，分别和GeSi发射极区、集电极区构成异质结，实现晶体管在探测红外光信号时光灵敏度和光电流的提升，具有高的光吸收效率。
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公开(公告)号：CN105895727A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610255106.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/105
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/1055
Abstract: 本发明公开了一种基于弛豫GeSn材料的光电探测器，包括衬底、弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区、保护层和金属电极。弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区均采用GeSn材料；发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在器件的外围。本发明通过在衬底和n+型区之间插入一层Sn的组份高于n+型区、光吸收区、p+型区GeSn合金的GeSn层作为应变弛豫层，使得采用该材料生长方法和结构的光电探测器较于传统GeSn探测器有着相同Sn组份下更好的光电特性和更宽的探测范围。
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公开(公告)号：CN105552120A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510937928.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66356
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，解决现有III-V族材料制备的隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、漏极(2)、沟道(3)、源极(4)、氧化层(5)和栅电极(6)。沟道和漏极均采用Bi组分为(0,0.09]的GaAsBi复合材料；源极采用N组分为(0.0,0.1]的Ga(In)AsN复合材料；源极、沟道、漏极依次竖直分布，氧化层与栅电极包裹在沟道外部。本发明通过源极Ga(In)AsN与沟道GaAsBi的相互接触形成交错型异质隧穿结，减小了隧穿势垒高度，增大了隧穿几率和隧穿电流，提升了器件的整体性能，可用于制作大规模集成电路。
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公开(公告)号：CN106024922A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610117685.7
申请日：2016-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金。衬底、集电极区、光吸收区、基极区、发射极区依次竖直分布，保护层包裹在集电极区、光吸收区、基极区、发射极区外围。本发明采用标准CMOS工艺制备。本发明通过采用具有带隙、高光吸收系数的GeSn材料，有着比Ge探测器更广的中红外探测范围，具有高的光灵敏度和光电流。
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公开(公告)号：CN105789347A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610117819.5
申请日：2016-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/11 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1105 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种基于GeSn?GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法，晶体管的集电极和发射极区均采用GeSi材料；光吸收区、基极区均采用GeSn材料。发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在发射极区、基极区、光吸收区、集电极区的外围。本发明晶体管的制作方法采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn材料，标准CMOS制作工艺。本发明通过使用有高光吸收系数的GeSn材料在光吸收区，分别和GeSi发射极区、集电极区构成异质结，实现晶体管在探测红外光信号时光灵敏度和光电流的提升，具有高的光吸收效率。
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