公开(公告)号：CN113555330A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110626720.9

申请日：2021-06-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  郝璐 ,  张进成 ,  刘俊伟 ,  宋昆璐 ,  周弘 ,  赵胜雷 ,  张雅超 ,  张苇杭 ,  郝跃

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种背通孔增强散热的氮化镓材料结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层，成核层，过渡层，缓冲层，沟道层，复合势垒层以及位于复合势垒层上的金属电极；其中，衬底层背面至复合势垒层上设有若干通孔；衬底层背面、通孔的内壁以及底部均设有互联金属层；通孔内还淀积有高热导率材料。本发明提供的背通孔增强散热的氮化镓材料结构由于采用背通孔内淀积高热导率材料的结构，既扩大了高热导率材料层和衬底之间传热的表面积，又通过高热导率材料增强了衬底散热，减小了器件的热阻，从而提高了器件的散热性能。

公开(公告)号：CN112185959A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010887541.6

申请日：2020-08-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  王泽宇 ,  张进成 ,  朱肖肖 ,  宋昆璐 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  郝跃

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法，该CMOS反相器包括：衬底、复合缓冲层、沟道层、复合势垒层、P‑InGaN层、PMOS源电极、PMOS漏电极、PMOS绝缘介质层54、PMOS栅电极、NMOS源电极、NMOS漏电极、NMOS绝缘介质层、NMOS栅电极和互联金属。该CMOS反相器在复合势垒层上制备P‑InGaN层，可以产生空穴，耗尽复合势垒层和沟道层之间的二维电子气，与复合势垒层的界面处形成二维空穴气，从而形成PMOS的导电沟道，提高了PMOS器件的输出电流。

公开(公告)号：CN111640650A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010361191.X

申请日：2020-04-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  刘俊伟 ,  张进成 ,  郝璐 ,  宋昆璐 ,  周弘 ,  赵胜雷 ,  张雅超 ,  张苇杭 ,  郝跃

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法，该Si衬底AlN模板的制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底上生长AlN成核层；通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子。本发明在Si衬底上制备AlN成核层之后，便通过AlN成核层向Si衬底进行离子注入和向AlN成核层注入离子，这种方式所注入的离子种类可以得到扩展，还可以降低Si/AlN界面处载流子的浓度和AlN成核层里的载流子浓度，从而降低Si衬底AlN模板的射频损耗，提高使用此Si衬底AlN模板制作的GaN微波器件的特性，以满足GaN微波器件在航空航天、雷达、移动通信等领域的应用需求。另外，使用所述Si衬底AlN模板制备GaN器件外延结构，其设计具有更多自由度。