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公开(公告)号：CN113921596B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110970797.8
申请日：2021-08-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。
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公开(公告)号：CN113921596A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110970797.8
申请日：2021-08-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。
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公开(公告)号：CN113964181B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111046028.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括衬底层、外延层、欧姆电极、阳极和阴极，其中，外延层位于衬底层上，外延层包括缓冲层、接触层、漂移层和再生长势垒层，缓冲层、接触层、漂移层依次层叠，再生长势垒层设置在漂移层的侧面和部分上表面，再生长势垒层与漂移层之间形成PN结；欧姆电极位于再生长势垒层上；阳极位于漂移层和再生长势垒层上，且覆盖欧姆电极；阴极位于接触层上。该肖特基二极管中再生长势垒层与漂移层之间形成PN结，可以耗尽N型材料中的侧壁电子，起到调制电场的作用，降低了肖特基金属淀积边缘电场强度，提高击穿电压和反向击穿电压，且对正向特性影响较小，具有较高正向电流。
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公开(公告)号：CN113964181A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111046028.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括衬底层、外延层、欧姆电极、阳极和阴极，其中，外延层位于衬底层上，外延层包括缓冲层、接触层、漂移层和再生长势垒层，缓冲层、接触层、漂移层依次层叠，再生长势垒层设置在漂移层的侧面和部分上表面，再生长势垒层与漂移层之间形成PN结；欧姆电极位于再生长势垒层上；阳极位于漂移层和再生长势垒层上，且覆盖欧姆电极；阴极位于接触层上。该肖特基二极管中再生长势垒层与漂移层之间形成PN结，可以耗尽N型材料中的侧壁电子，起到调制电场的作用，降低了肖特基金属淀积边缘电场强度，提高击穿电压和反向击穿电压，且对正向特性影响较小，具有较高正向电流。
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公开(公告)号：CN118041738A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410258417.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种知识与数据双驱动的低轨卫星频偏估计补偿方法，包括以下步骤；步骤1，选取一个低轨卫星星历的TLE数据报导入，得到给定时间段内地心地固坐标系下卫星的速度和位置信息；步骤2：导入地面坐标终端信息；步骤3：将地面坐标终端信息进行坐标系转化，得到其地心地固坐标系下的位置坐标；步骤4：在得到卫星的速度和位置信息以及地面位置坐标后，计算多普勒大小，进行初次预补偿，得到频偏估计记为；步骤5：进行频率补偿进行修正；步骤6：得到频率粗估计值。步骤7：得到二次频率补偿值；步骤8：实现整个系统频率的校正。本发明实现载波频偏的精确补偿；该方法具有较高的实时性和准确性，且易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103929139A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163883.8
申请日：2014-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度自动增益控制的光接收机的跨阻前置放大器，主要解决现有跨阻前置放大器灵敏度低、信号输入范围窄、系统稳定性差的问题。其包括放大电路(1)，补偿电路(2)，增益控制电路(3)和采样电路(4)；放大电路(1)采用共源共栅结构，通过增益控制电路(3)和放大电路(1)对输入电流信号Iin进行转换和放大，输出电压信号Vtia_out，该电压输入到采样电路(4)后得到其均值电压Vdc，用该均值电压生成两个外部输入电压信号Nctrl、Pctrl，以调节增益控制电路(3)的总电阻值和补偿电路(2)的补偿值，提高输入信号范围和系统稳定性。本发明具有灵敏度高、信号输入范围宽、系统稳定性好的优点，可用于高速光纤通信系统。
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公开(公告)号：CN117318742A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311091537.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B1/10
Abstract: 本发明公开的模型与数据双驱动的干扰抑制方法，包括：生成两个非平稳的调频干扰；分别生成单个干扰和两个干扰情况下接收机接收的缺失样本的信号；计算模糊函数，通过自适应最优核实现模糊函数的平滑，将平滑之后的模糊函数转换为自适应最优核处理后的自相关函数；使用正交匹配追踪算法稀疏重构干扰，得到干扰的瞬时频率；利用支持向量回归修正干扰的瞬时频率；使用得到的瞬时频率恢复出干扰波形，利用子空间正交投影法去除干扰。本发明利用支持向量回归修正了稀疏重构得到的不准确的非平稳干扰时频特征，剔除不完美的瞬时频率，充分利用了数据信息，将模型驱动和数据驱动相结合，实现非平稳干扰抑制和消除。
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公开(公告)号：CN103929139B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201410163883.8
申请日：2014-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度自动增益控制的光接收机的跨阻前置放大器，主要解决现有跨阻前置放大器灵敏度低、信号输入范围窄、系统稳定性差的问题。其包括放大电路(1)，补偿电路(2)，增益控制电路(3)和采样电路(4)；放大电路(1)采用共源共栅结构，通过增益控制电路(3)和放大电路(1)对输入电流信号Iin进行转换和放大，输出电压信号Vtia_out，该电压输入到采样电路(4)后得到其均值电压Vdc，用该均值电压生成两个外部输入电压信号Nctrl、Pctrl，以调节增益控制电路(3)的总电阻值和补偿电路(2)的补偿值，提高输入信号范围和系统稳定性。本发明具有灵敏度高、信号输入范围宽、系统稳定性好的优点，可用于高速光纤通信系统。
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公开(公告)号：CN117411496A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311346836.2
申请日：2023-10-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B1/10 , H04B1/12 , G06F18/2321
Abstract: 本发明提供了一种基于肘部法和DBSCAN的通信抗干扰方法及装置，通过肘部法确定分类个数，将分类个数作为聚类算法参数选取标准，将DBSCAN聚类算法、DPC聚类算法与K‑means聚类算法相结合进行聚类算法改进，并利用已知的一部分信号信息选出最优DBSCAN聚类算法参数找出最优噪声点筛选结果，提升混合矩阵估计值的准确性从而实现对目标信号分离结果的修正。在信号预处理阈值不恰当的情况下，本发明仍能实现目标信号的准确分离并提高准确性，具有现实意义和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111834454A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010514600.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法，其中，具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管包括：衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区、源极、漏极和栅极，其中，栅极包括栅脚和栅头，栅头的宽度大于栅脚的宽度；源极靠近栅极的侧面与栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；漏极靠近栅极的侧面与栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。本发明的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，通过源极、漏极与栅极的自对准，实现了与栅头宽度尺寸类似的源漏间距，最大程度的减小了源漏间距，降低了晶体管的源极接入电阻和漏极接入电阻，从而减小了晶体管的功率损耗和提高了晶体管的频率特性。
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