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公开(公告)号：CN107577860B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710758798.X
申请日：2017-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
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公开(公告)号：CN107196051A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710560520.1
申请日：2017-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十四研究所 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于三维打印的智能蒙皮天线结构，其天线子阵保护层覆盖在由天线子阵辐射单元层和天线子阵骨架组成的天线子阵阵列上，天线子阵TR组件层设置在天线子阵阵列下方；天线子阵阵列；天线子阵骨架由天线子阵单元骨架拼接而成；所述的天线子阵单元骨架呈长方形，其上设有用于安装天线辐射单元的凹槽，凹槽深度与天线辐射单元厚度一致；每个凹槽中心有一个通孔；天线子阵单元骨架两侧平行的长边边缘上各设有等间距的螺栓孔Ⅰ；在天线子阵单元骨架另外两侧平行的短边边缘上各设有等间距的螺栓孔Ⅱ。本发明通过天线子阵单元骨架的拼接来组成天线子阵骨架，满足天线阵列的多组合要求，灵活性高、重构性强，可提高利用率。
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公开(公告)号：CN110598289B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910817061.X
申请日：2019-08-30
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第十四研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提出了一种不完备信息下的天线温度场的测量方法，用于解决现有技术中存在的天线温度场测量精度较低的问题，实现步骤为(1)建立待测天线模型及其对应的虚拟模型(2)获取待测天线模型的POD模式；(3)计算待测天线的温度场(4)获取目标数据Ht和源数据Hs；(5)计算目标数据Ht和仿源数据Hs'；(6)获取训练数据方程H；(7)建立温度场计算伪预测模型pτ；(8)计算天线温度场；本方法考虑了测量误差对温度场计算带来的影响，提高了计算精度。
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公开(公告)号：CN110598289A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910817061.X
申请日：2019-08-30
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第十四研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种不完备信息下的天线温度场的测量方法，用于解决现有技术中存在的天线温度场测量精度较低的问题，实现步骤为(1)建立待测天线模型及其对应的虚拟模型(2)获取待测天线模型的POD模式；(3)计算待测天线的温度场 (4)获取目标数据Ht和源数据Hs；(5)计算目标数据Ht和仿源数据Hs'；(6)获取训练数据方程H；(7)建立温度场计算伪预测模型pτ；(8)计算天线温度场；本方法考虑了测量误差对温度场计算带来的影响，提高了计算精度。
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公开(公告)号：CN110516299A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910657359.9
申请日：2019-07-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第十四研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种面向有源相控阵天线电性能的混合补偿方法，用于提高有源相控阵天线的增益和指向精度。实现步骤为：建立有源相控阵天线阵面有限元模型，并提取有限元模型的特征；对有源相控阵天线阵面进行位移重构；对有源相控阵天线进行结构补偿；建立结构补偿后有源相控阵天线阵面位移的预测模型；对结构补偿后有源相控阵天线阵面位移进行预测；基于电补偿对结构补偿后有源相控阵天线进行电性能补偿。本发明在改善阵面精度抑制阵面振动的同时有效地提高了有源相控阵天线电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106407723B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201611025636.7
申请日：2016-11-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向低副瓣的稀疏排布阵列天线激励电流幅度的确定方法，包括：确定稀疏排布阵列天线的结构参数、电磁工作参数和稀疏排布矩阵，给出初始激励电流幅度加权方案；计算稀疏阵中相邻两个辐射单元在目标处的辐射场空间相位差，得到稀疏排布阵列天线的辐射场口面相位差；计算稀疏排布阵列天线的辐射场方向图；计算稀疏排布阵列天线的最大副瓣电平；根据天线设计要求，判断是否满足，若不满足，计算得到最低最大副瓣电平值，通过选择、交叉和变异方法更新阵列天线单元的激励幅度加权方案，重复计算，直至满足要求。本发明克服了疏排布阵列天线低副瓣性能实现的空缺，能够快速、有效地得到满足低副瓣要求的激励电流幅度加权方案。
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公开(公告)号：CN107577860A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710758798.X
申请日：2017-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
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公开(公告)号：CN107103124A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710229466.2
申请日：2017-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合理论的变形阵列天线远场方向图分析方法，包括阵列天线结构几何模型建立；阵列天线结构有限元模型的建立；辐射单元位置坐标的提取；根据辐射单元位置坐标计算辐射单元的空间相位参数以及考虑互耦效应的等效激励参数，最后根据阵列天线远场方向图计算表达式得到变形阵列天线辐射远场方向图，据此可求解相关电磁性能参数，分析结构变形对阵列天线电性能的影响关系。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性，对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。
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公开(公告)号：CN106021764A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610369219.8
申请日：2016-05-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种面向机电耦合的有源相控阵天线性能仿真置信度的计算方法，包括确定有源相控阵天线性能的影响因素；建立天线有限元模型；进行温度场分析，计算热参数的置信度；基于阵面温度均方根误差计算网格大小的置信度；计算天线结构热变形，提取天线单元几何中心节点的位置偏移量；计算结构位移提取的置信度；使用机电耦合模型计算天线的电性能；将计算结果与电磁仿真软件计算结果进行对比，计算机电耦合模型的置信度；基于层次分析法，确定加权系数；建立置信度计算公式，计算并最终确定有源相控阵天线性能仿真的置信度。本发明建立了天线性能仿真置信度计算方法，给出了有源相控阵天线结构热变形对电性能影响仿真计算结果的评判标准。
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公开(公告)号：CN105576385A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610073369.4
申请日：2016-02-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向增益与指向大型变形抛物面天线面板吻合旋转调整方法，包括确定抛物面天线结构方案及促动器初始位置，建立有限元模型、促动器支撑面板节点；计算天线结构自重变形，提取变形抛物面节点；计算天线最佳吻合抛物面；计算变形抛物面的均方根误差，判断天线增益是否满足要求；反转吻合抛物面，确定最优工作性能下目标曲面；确定变形抛物面与目标曲面的对应节点，计算促动器调整量；调整面板位置，更新天线结构有限元模型，利用机电耦合模型计算变形天线电性能，判断天线指向是否满足要求，输出促动器调整量，得到优面板吻合旋转调整量。本发明具有促动器总行程短、明显改善天线反射面精度、提高天线增益和保证天线工作指向的优点。
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