公开(公告)号：CN111834344B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202010530384.3

申请日：2020-06-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  宋昆璐 ,  张进成 ,  刘俊伟 ,  郝璐 ,  周弘 ,  赵胜雷 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  郝跃

IPC: H01L23/66 ,  H01P3/00 ,  H01P11/00

Abstract: 本发明公开了一种低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法，该硅基氮化镓微波毫米波传输线包括硅衬底；三族氮化物外延层，设置在硅衬底的上表面；高频信号金属电极，设置在三族氮化物外延层的上表面；接地金属电极，设置在高频信号金属电极的两侧和/或硅衬底的下表面，其中，在硅衬底与三族氮化物外延层之间包括内部空腔，内部空腔的至少一部分开设在硅衬底中。该硅基氮化镓微波毫米波传输线能够有效减小硅基氮化镓材料的电磁损耗，提高了硅基氮化镓微波毫米波器件的输出功率和效率，满足微波毫米波射频电路和系统的应用要求。

公开(公告)号：CN110729351B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201910993203.8

申请日：2019-10-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  刘俊伟 ,  赵胜雷 ,  刘志宏 ,  张雅超 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/861 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及其制备方法，主要解决目前GaN准垂直pn结二极管输出功率无法满足更高功率需求的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)和n型GaN层(3)，n型GaN层(3)的上部设有p型GaN层(4)和阴极(5)，p型GaN层(4)的上部设有阳极(6)，该阴极和阳极采用环形叉指结构，即阳极是以实心圆为中心，外部分布多个开口圆环的同心结构；阴极是分布在阳极环之间的多个开口圆环，形成阳极环与阴极环的同心环形交替嵌套结构。本发明降低了电场的边缘效应，并通过多层环形互连提高了GaN准垂直二极管输出功率密度，可用于微波整流、功率开关电路。

公开(公告)号：CN111834344A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010530384.3

申请日：2020-06-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  宋昆璐 ,  张进成 ,  刘俊伟 ,  郝璐 ,  周弘 ,  赵胜雷 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  郝跃

IPC: H01L23/66 ,  H01P3/00 ,  H01P11/00

Abstract: 本发明公开了一种低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法，该硅基氮化镓微波毫米波传输线包括硅衬底；三族氮化物外延层，设置在硅衬底的上表面；高频信号金属电极，设置在三族氮化物外延层的上表面；接地金属电极，设置在高频信号金属电极的两侧和/或硅衬底的下表面，其中，在硅衬底与三族氮化物外延层之间包括内部空腔，内部空腔的至少一部分开设在硅衬底中。该硅基氮化镓微波毫米波传输线能够有效减小硅基氮化镓材料的电磁损耗，提高了硅基氮化镓微波毫米波器件的输出功率和效率，满足微波毫米波射频电路和系统的应用要求。

公开(公告)号：CN111785610A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010457660.8

申请日：2020-05-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  郝璐 ,  张进成 ,  周弘 ,  刘俊伟 ,  宋昆璐 ,  赵胜雷 ,  张雅超 ,  段小玲 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种散热增强的金刚石基氮化镓材料结构及其制备方法，所述金刚石基氮化镓材料结构包括：金刚石衬底层；缓冲层，位于所述金刚石衬底层的上表面，且与所述金刚石衬底层形成图案化界面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成所述散热增强的金刚石基氮化镓材料结构。本发明提供的金刚石基氮化镓材料结构通过在缓冲层与金刚石衬底界面形成图案化界面，增大了缓冲层与金刚石衬底界面的接触面积，降低了热边界电阻，从而减小了器件的热阻，提高了器件的散热性能。

公开(公告)号：CN110718591A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201911097995.7

申请日：2019-11-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  宋秀峰 ,  赵胜雷 ,  朱丹 ,  张苇杭 ,  张雅超 ,  刘爽 ,  刘俊伟 ,  李仲扬 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方刻有深度为10～15nm，宽度为1～3μm的凹槽，形成凹槽型保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有凹槽型保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。