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发明授权
一种抗单粒子翻转效应的LVDS接口发射器电路有权

公开(公告)号：CN108762991B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201810569560.7

申请日：2018-06-05

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李海松 , 岳红菊 , 周凤 , 蒋轶虎 , 高利军 , 吴龙胜

IPC: G06F11/18 , G06F13/40

Abstract: 本发明一种抗单粒子翻转效应的LVDS接口发射器电路，包括三组数字控制逻辑，五个多数表决电路和一个驱动电路。针对空间辐射环境特点，对LVDS接口发射器电路数字控制部分进行三模冗余处理，当其中一路数字控制逻辑发生单粒子翻转效应时，LVDS接口发射器电路仍能够正常工作，使发射器电路抗单粒子翻转性能大幅提升；同时，保留驱动电路的单模结构，确保发射器输出驱动电路输出接口电特性保持不变。多数表决电路采用简洁的12管单元结构，减小LVDS接口发射器面积。本发明结构简单，易于实现，适用于常规LVDS接口发射器电路的单粒子翻转效应加固，提高了LVDS接口发射器电路在空间应用中的可靠性。

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