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公开(公告)号：CN107799650A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711079721.6
申请日：2017-11-06
Applicant: 西南科技大学
IPC: H01L41/083 , H01L41/47
Abstract: 本发明提供了一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件。所述铁电异质结包括顺序接触的电极层、压电基底层、缓冲层、交换偏置多层膜和保护层，其中，所述交换偏置多层膜为[铁磁层/反铁磁层]N，N为周期数，且N≥2，所述铁磁层为磁致伸缩系数较小的铁磁性材料。本发明能够提供一种新型的含有铁磁/反铁磁交换偏置多层膜的铁电异质结；还能够对磁致伸缩系数较小的磁性薄膜高频性能进行大范围调节，进而获得良好的高频磁性的铁电异质结。本发明的铁电异质结具有广泛的用途，例如，可可用于新一代的电控微波电子元器件。
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公开(公告)号：CN102093840B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110001812.4
申请日：2011-01-06
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 一种碳化细菌纤维素/磁性复合吸波材料，其特征是：由碳化细菌纤维素与纳米磁性材料复合组成，碳化细菌纤维素与纳米磁性材料的体积比例为1：20至5：1，纳米磁性材料是铁氧体或磁性金属及其合金中的一种。本发明采用碳化细菌纤维素与磁性材料进行复合，得到的生物质网状纳米碳纤维/磁性复合材料可以作为理想的微波吸收剂，这种吸波材料具有薄、轻、宽、强的特点；本发明具有成本低、制备工艺简单、环境友好等优点，制得的复合吸波材料在防电磁污染和雷达隐身等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102917577A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210389976.3
申请日：2012-10-16
Applicant: 西南科技大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种复合电磁屏蔽材料，其特征是：由碳化细菌纤维素与纳米磁性金属材料混合组成，或由碳化细菌纤维素与基体材料混合组成，或由碳化细菌纤维素与纳米磁性金属材料混合后再与基体材料混合组成；所述纳米磁性金属材料是Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe中的任一种；所述基体材料是石蜡、环氧树脂、二氧化硅中的任一种。复合电磁屏蔽材料的制备方法包括制备细菌纤维素、制备碳化细菌纤维素、制备复合电磁屏蔽材料等步骤。本发明复合电磁屏蔽材料具有薄、轻、宽、强的特点，具有成本低、制备工艺简单、环境友好等优点，在防电磁污染、微波暗室和高频电子产品等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102093840A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110001812.4
申请日：2011-01-06
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 一种碳化细菌纤维素/磁性复合吸波材料，其特征是：由碳化细菌纤维素与纳米磁性材料复合组成，碳化细菌纤维素与纳米磁性材料的体积比例为1∶20至5∶1，纳米磁性材料是铁氧体或磁性金属及其合金中的一种。本发明采用碳化细菌纤维素与磁性材料进行复合，得到的生物质网状纳米碳纤维/磁性复合材料可以作为理想的微波吸收剂，这种吸波材料具有薄、轻、宽、强的特点；本发明具有成本低、制备工艺简单、环境友好等优点，制得的复合吸波材料在防电磁污染和雷达隐身等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118773542A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410759602.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种m＝2的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜的制备方法，使用离子束刻蚀对SiO2基片进行100s的刻蚀前处理，得预处理基片；在预处理基片上，于纯Ar气氛中溅射Ti层；在N2和Ar气氛中溅射Ni层；重复制备以上Ti层和NiNx层各120次，得到m＝2的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜。本发明提供的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜制备方法可得到m＝2的膜质量较好的中子超镜多层膜，该多层膜晶粒尺寸较小，成膜质量较优，表面粗糙度小。本发明提供的制备方法得到的非周期Ni/Ti中子超镜，比纯Ar制备的Ni/Ti中子超镜在大q区反射率更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114702309A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210450888.3
申请日：2022-04-26
Applicant: 西南科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , C03C12/00 , H01P1/19
Abstract: 本发明公开了一种微波铁氧体材料及其制备方法和应用，由以下质量百分含量的原料组分制成：99.6～99.95％的Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.167Bi0.003O4主成分，0.0375～0.3％的ZBS玻璃添加剂及0.0125～0.1％SBA玻璃添加剂。本发明所制备的LiZnTi微波铁氧体材料可在低温下(～900℃)烧结和制备，同时还具有良好的磁性能和微观致密结构，可用作制备LTCC移相器的材料。
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公开(公告)号：CN114057478A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111485203.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种NiZn铁氧体，以氧化物计算，其原料包括：45‑55mol％的Fe2O3和5‑20mol％的ZnO，余量为NiO。本发明还公开了利用放电等离子体烧结系统制备NiZn铁氧体的方法，烧结温度可以降低至900℃，并且不需要保温时间，样品处于高温(≥600℃)的时间≤90s，大大降低了烧结样品的时间，不仅能够实现NiZn铁氧体的低温、快速烧结，同时也可以大大降低能耗，而且实验工序少，操作简单，制备的NiZn铁氧体致密且磁性能优良。
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公开(公告)号：CN119009416A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411238470.1
申请日：2024-09-05
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) , 西南科技大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 本发明公开了一种小型化纳米条带自偏置环行器，包括底部导体层，所述底部导体层上方设置有介质层，所述介质层上端中心位置开设有凹槽，所述凹槽中设置有纳米条带阵列层，纳米条带阵列层上表面与介质层上表面齐平，纳米条带阵列层上方设置有中心结导体，所述中心结导体上方设置有微带Y结匹配线，所述微带Y结匹配线连接有馈线。本发明基于交换偏置结构的(YIG/IrMn)n或者(IrMn/YIG/IrMn)n纳米条带阵列，利用IrMn层提供的交换偏置场和YIG条带的形状各向异性等效场来提供自偏置场，使环行器工作在S波段，避免了外加永磁体带来大体积的缺点，且具有隔离度高、插入损耗低的优点。
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公开(公告)号：CN118714912A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410765254.6
申请日：2024-06-14
Applicant: 西南科技大学
IPC: H10N30/076 , H10N30/01 , H10N30/06 , H10N30/87
Abstract: 本发明公开了一种用于智能螺栓的ZnO压电薄膜制备方法，包括以下步骤：S1：对基片进行清洗处理，得到清洗后的基片样品；S2：对清洗后的基片样品刻蚀处理，得到刻蚀后的样品；S3：使用磁控溅射薄膜沉积系统，在刻蚀后的样品上沉积ZnO薄膜；S4：使用硬掩模板和导电银浆制备电极。本发明首次使用磁控溅射不同功率薄膜叠加工艺，实现了压电系数显著提升；采用银浆厚电极提升了压电薄膜和基底之间的绝缘性。
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公开(公告)号：CN117144318A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311217627.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明磁控溅射领域，公开了一种常温磁控溅射金薄膜的方法，包括以下步骤：S1:清洗需要磁控溅射金薄膜的陶瓷基片；S2:为陶瓷基片表面做活化处理，表面做活化处理方式选自使用离子源轰击陶瓷基片表面10～200秒；S3:磁控溅射过渡层一，所述过渡层一选自Cr，溅射温度为常温；S4:磁控溅射过渡层二，所述过渡层二选自Cu，溅射温度为常温；S5:磁控溅射功能层，所述功能层为Au，溅射温度为常温。本发明改变传统的磁控溅射金过渡层，常温下，采用Cr过渡层的基础上再溅射Cu过渡层，最后溅射Au功能层；基底和Cr过渡层、Cr过渡层和Cu过渡层、Cu过渡层和Au功能层都有良好的结合力，实现了常温下在避免加热材料的表面上制备具有良好结合力的金薄膜。
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