公开(公告)号：CN117144318A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311217627.8

申请日：2023-09-20

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 任勇 ,  刘佳兴 ,  张越 ,  王瀚涛 ,  杨德宇 ,  张燕 ,  代波

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20

Abstract: 本发明磁控溅射领域，公开了一种常温磁控溅射金薄膜的方法，包括以下步骤：S1:清洗需要磁控溅射金薄膜的陶瓷基片；S2:为陶瓷基片表面做活化处理，表面做活化处理方式选自使用离子源轰击陶瓷基片表面10～200秒；S3:磁控溅射过渡层一，所述过渡层一选自Cr，溅射温度为常温；S4:磁控溅射过渡层二，所述过渡层二选自Cu，溅射温度为常温；S5:磁控溅射功能层，所述功能层为Au，溅射温度为常温。本发明改变传统的磁控溅射金过渡层，常温下，采用Cr过渡层的基础上再溅射Cu过渡层，最后溅射Au功能层；基底和Cr过渡层、Cr过渡层和Cu过渡层、Cu过渡层和Au功能层都有良好的结合力，实现了常温下在避免加热材料的表面上制备具有良好结合力的金薄膜。

公开(公告)号：CN118773542A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410759602.9

申请日：2024-06-13

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 任勇 ,  张越 ,  李新喜 ,  邱倩 ,  代波

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  G01N23/00

Abstract: 本发明公开了一种m＝2的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜的制备方法，使用离子束刻蚀对SiO2基片进行100s的刻蚀前处理，得预处理基片；在预处理基片上，于纯Ar气氛中溅射Ti层；在N2和Ar气氛中溅射Ni层；重复制备以上Ti层和NiNx层各120次，得到m＝2的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜。本发明提供的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜制备方法可得到m＝2的膜质量较好的中子超镜多层膜，该多层膜晶粒尺寸较小，成膜质量较优，表面粗糙度小。本发明提供的制备方法得到的非周期Ni/Ti中子超镜，比纯Ar制备的Ni/Ti中子超镜在大q区反射率更高。