公开(公告)号：CN115732448A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211061177.3

申请日：2022-09-01

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·S·布罗尔 ,  A·塔克卡奇 ,  B·艾兴格 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52

Abstract: 本文公开了高密度和耐用的半导体器件互连。一种形成半导体器件的方法，包括：提供包括管芯附接焊盘的载体；提供半导体管芯，该半导体管芯包括设置在半导体管芯的主表面上的接合焊盘；以及提供金属互连元件；将半导体管芯布置在管芯附接焊盘上，使得接合焊盘背离管芯附接焊盘；以及将金属互连元件熔焊到接合焊盘，其中，接合焊盘包括第一金属层和第二金属层，其中，第二金属层设置在第一金属层和半导体管芯的半导体本体之间，其中，第一金属层的厚度大于第二金属层的厚度，并且其中，第一金属层具有与第二金属层不同的金属成分。

公开(公告)号：CN108963476B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201810467271.6

申请日：2018-05-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·泰克曼 ,  A·赫布兰特

IPC: H01R4/18 ,  H01R13/02

Abstract: 在一种方法中，提供了具有电端子的电子模块和具有接触孔的电部件。电端子具有压配区段，该压配区段包括以下合金之一：CuFeP；CuZr；CuCrZr；CuMg；CuCrTiSi；CuCrAgFeTiSi；CuNiSiMg。压配区段被压入接触孔中，使得压配区段塑性变形，并且与电部件既机械接触又电接触。电子组件具有电子模块和电部件。电子模块具有电端子，电端子具有压配区段。压配区段包括以下合金中的至少一种：CuFeP；CuZr；CuCrZr；CuMg；CuCrTiSi；CuCrAgFeTiSi；CuNiSiMg。电部件具有接触孔。电子组件包括在压配区段和电部件之间的压配连接。在该压配连接中，压配区段与电部件既机械接触又电接触。

公开(公告)号：CN108963476A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810467271.6

申请日：2018-05-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·泰克曼 ,  A·赫布兰特

IPC: H01R4/18 ,  H01R13/02

CPC classification number: H01R12/585 ,  H01B1/026 ,  H01R4/58 ,  H01R12/52 ,  H01R13/03 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/144 ,  H05K5/0069 ,  H05K2201/042 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/10318 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10856 ,  H01R4/18 ,  H01R13/02

Abstract: 在一种方法中，提供了具有电端子的电子模块和具有接触孔的电部件。电端子具有压配区段，该压配区段包括以下合金之一：CuFeP；CuZr；CuCrZr；CuMg；CuCrTiSi；CuCrAgFeTiSi；CuNiSiMg。压配区段被压入接触孔中，使得压配区段塑性变形，并且与电部件既机械接触又电接触。电子组件具有电子模块和电部件。电子模块具有电端子，电端子具有压配区段。压配区段包括以下合金中的至少一种：CuFeP；CuZr；CuCrZr；CuMg；CuCrTiSi；CuCrAgFeTiSi；CuNiSiMg。电部件具有接触孔。电子组件包括在压配区段和电部件之间的压配连接。在该压配连接中，压配区段与电部件既机械接触又电接触。