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    P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法
    11.
    发明公开
    P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN110233180A

    公开(公告)日：2019-09-13

    申请号：CN201910475066.9

    申请日：2019-06-02

    Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

    Inventor： 李跃 ,  钱洪强 ,  鲁科 ,  杨智 ,  魏青竹 ,  倪志春

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/042 ,  H01L31/049 ,  H01L31/18

    Abstract: 本发明提供一种P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法所述方法包括对P型单晶硅片的正面和背面进行前道工序处理，然后在背面进行氧化形成超薄隧穿氧化层和制备掺硼硅薄层；在单晶硅片的正面进行磷扩散，并制作选择性发射极；在单晶硅片的背面的第一钝化减反射层和正面的第二钝化减反射层的表面印刷金属电极，金属电极与所述单晶硅片之间形成良好的接触，即完成太阳能电池P型背面隧穿氧化钝化接触。本发明提供了完整且可行的P型隧穿氧化钝化接触太阳能电池制作工艺路线，采用先背面硼掺杂多晶硅薄膜，后正面磷扩散的工艺方法，可有效避免磷的二次扩散、从而产生方阻不匹配现象，可操作性强。

    一种晶体硅电池及其导电浆料
    14.
    发明授权
    一种晶体硅电池及其导电浆料 有权

    公开(公告)号：CN110580969B

    公开(公告)日：2021-11-09

    申请号：CN201910699786.3

    申请日：2019-07-31

    Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

    Inventor： 杨智 ,  魏青竹 ,  倪志春

    IPC: H01B1/22 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/04

    Abstract: 本发明公开了一种晶体硅电池及其导电浆料，该导电浆料能够匹配晶体硅电池的P型摻杂面的浅结工艺。一种晶体硅电池的导电浆料，按质量百分比计，所述导电浆料包括如下组分：银粉30～90％；有机物载体20～40％；含III族元素的粉末0.5～30％；玻璃粉1～10％。所述含III族元素的粉末为硼粉、镓粉、铟粉、铊粉中的一种或几种的混合物；或，所述含III族元素的粉末为III族元素粉末和铜粉的混合物，所述III族元素粉末为硼粉、镓粉、铟粉、铊粉中的一种或几种的混合物。

    一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法
    16.
    发明公开
    一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN110212057A

    公开(公告)日：2019-09-06

    申请号：CN201910474322.2

    申请日：2019-05-31

    Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

    Inventor： 张树德 ,  钱洪强 ,  李跃 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  鲁科 ,  杨智

    IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225

    Abstract: 本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理；对硅片进行蚀刻处理；在硅片正面沉积第一钝化膜，并在硅片背面沉积第二钝化膜；在硅片正面和背面设置金属电极。通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。由于简化电池高温处理工艺，从而减小对少子寿命的影响，有助于提高电池效率。

    一种P型晶体硅电池的制备方法
    17.
    发明授权
    一种P型晶体硅电池的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN110571303B

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN201910671203.6

    申请日：2019-07-24

    Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

    Inventor： 杨智 ,  魏青竹 ,  倪志春

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

    Abstract: 本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光；B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层；D、利用离子注入技术对P型晶体硅片背面进行III族元素掺杂；E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO3、H2SO4中的至少一种；F、利用离子注入技术对P型晶体硅片正面进行磷掺杂；G、对离子注入后的P型晶体硅片进行清洗；H、对P型晶体硅片进行退火；I、对P型晶体硅片进行清洗。

    一种新型PERC电池及其制作方法
    19.
    发明公开
    一种新型PERC电池及其制作方法 无效

    公开(公告)号：CN111710756A

    公开(公告)日：2020-09-25

    申请号：CN202010620151.2

    申请日：2020-07-01

    Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  南京航空航天大学

    Inventor： 许亚军 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  沈鸿烈 ,  杨智 ,  钱洪强 ,  张树德 ,  连维飞

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216

    Abstract: 本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池，提升电池效率。本申请还提供具有上述优点的电池。

    一种P型晶体硅电池及光伏组件
    20.
    实用新型
    一种P型晶体硅电池及光伏组件 有权

    公开(公告)号：CN210272380U

    公开(公告)日：2020-04-07

    申请号：CN201921174254.X

    申请日：2019-07-24

    Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

    Inventor： 杨智 ,  魏青竹 ,  倪志春

    IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/0352

    Abstract: 本实用新型公开了一种P型晶体硅电池，对提高P型晶体硅太阳电池的表面浓度具有显著效果；本实用新型还公开了一种具有上述P型晶体硅电池的光伏组件。一种P型晶体硅电池，包括正面金属电极、正面钝化减反射层、N型选择性发射结层、P型硅基体、氧化物层、P型多晶硅层、背面钝化减反射层及背面金属电极，正面钝化减反射层、N型选择性发射结层、P型硅基体、氧化物层、P型多晶硅层及背面钝化减反射层自上至下依次层叠设置，正面金属电极穿透正面钝化减反射层并和N型选择性发射结层形成欧姆接触，P型多晶硅层具有P型高浓度掺杂区和P型低浓度掺杂区，背面金属电极穿透背面钝化减反射层并和P型多晶硅层的P型高浓度掺杂区形成欧姆接触。

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