公开(公告)号：CN211907442U

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202020490239.2

申请日：2020-04-07

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  时宝 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  符欣

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

Abstract: 本实用新型公开了一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片，包括：P型硅基体；氧化物膜，其形成于所述P型硅基体的背面之上；多晶/非晶硅层，其形成于所述氧化物膜之上；背面钝化层，其形成于所述多晶/非晶硅层之上；N型掺杂氮化硅层，其形成于所述背面钝化层之上；P型电极；及N型电极；其中，P型硅基体具有重掺杂P型区域，P型电极依次穿过所述N型掺杂氮化硅层、所述背面钝化层、所述多晶/非晶硅层及所述氧化物膜以和所述P型硅基体的所述重掺杂P型区域形成欧姆接触，N型电极依次透过所述N型掺杂氮化硅层及所述背面钝化层以和所述多晶/非晶硅层形成欧姆接触。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利