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公开(公告)号：CN102056061A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910208488.6
申请日：2009-10-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种电容式微型硅麦克风及其制造方法，其包括用于作为电容的一极且具有导电功能的背极板、用于作为所述电容的另一极且具有导电功能的振动膜及支撑所述振动膜的绝缘支撑体，所述背极板与振动膜间隔设置，所述背极板设有若干与振动膜连通的声孔，所述振动膜包括外端面、位于外端面内侧的若干圆弧槽及若干分别连通圆弧槽且向外贯穿外端面的狭槽，所述狭槽及圆弧槽将所述梁形成为悬臂状，所述绝缘支撑体的一端支撑所述梁，而另一端固定于背极板上。由此可使振动膜对残余应力不敏感且提高设计灵活性，同时在相同灵敏度情况下可减小芯片的面积。
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公开(公告)号：CN101388364B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710045975.6
申请日：2007-09-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , B81C1/00 , B81B7/02
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种采用低温工艺形成电学隔离区方法及单片集成方法芯片，其首先采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀或深槽反应离子刻蚀法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分腐蚀以形成相应隔离槽，并由隔离槽将基片分隔为多个电学隔离区，接着再在器件层上采用低于400℃的低温工艺生成一绝缘介质层，并使处于隔离槽位置处的绝缘介质层表面平坦，然后再在需要电学连接的各电学隔离区的绝缘介质层相应位置采用湿法腐蚀或干法刻蚀法形成相应连接孔，最后在绝缘介质层上淀积一金属层，并进行必要刻蚀后形成将各连接孔进行相应金属互连的金属连接线，进而实现相应各电学隔离区的必要电学连接，由此可实现将MEMS与集成电路器件的集成。
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公开(公告)号：CN103991836B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310053119.0
申请日：2013-02-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统传感器制造方法，包括：S1、提供基片；S2、在基片上形成第一介质层，去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体；S3、去除第一介质层，于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜；S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体；S5、去除第二介质层，于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜；S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片；S7、形成第三掩膜图形，进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。
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公开(公告)号：CN105181230A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510477434.5
申请日：2015-08-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01L19/06
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C2203/0154 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 一种可以直接手指等接触的压力传感器，其包括基板、附着在所述基板上的集成电路芯片以及附着在所述集成电路芯片上的压力传感器芯片。所述压力传感器芯片包括衬底、扁平的腔体以及与所述腔体相配合的敏感膜。所述压力传感器芯片在封装前具有位于一侧的台阶、淀积在所述敏感膜以及所述台阶上的绝缘层、位于所述台阶上的第一焊盘以及引线，其中所述压力传感器还包括用以封装的材料。本发明还揭示了一种压力传感器的封装方法。相较于现有技术，本发明的所述衬底能够在所述敏感膜过度变形时阻挡所述敏感膜，从而使所述敏感膜不易破裂。另外，通过设置台阶，一方面能够起到保护引线在使用中不被触碰的作用，另一方面也能够使压力传感器做得更薄。
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公开(公告)号：CN103257007B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210036199.4
申请日：2012-02-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器介质隔离封装结构及其封装方法。所述压力传感器介质隔离封装结构包括：衬底、由柔软的低弹性模量的材料所制成的盖体、及压力传感器芯片。所述盖体与衬底共同形成一个密闭腔体以容纳所述压力传感器芯片。当待测介质的压力作用于所述盖体上时，所述盖体发生变形从而压缩密闭腔体内的气体以达到内外压力平衡。在此过程中，所述待测介质的压力被传递到压力传感器芯片的压力敏感膜上，从而达到将压力传感器芯片以及待测介质的压力进行隔离的目的。本发明是通过压缩气体来进行压力的传递，从而避免了传统的充灌硅油不锈钢封装技术中复杂的充灌硅油的工序，大大的降低了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103974181A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310030499.6
申请日：2013-01-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤：S1：提供衬底；S2：在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在第一绝缘层上淀积导电物质以形成可动敏感层，在所形成的可动敏感层上形成若干窄槽以定义振动体、围设在振动体的外围的框体、以及连接框体和振动体的梁；S4：在可动敏感层上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上淀积导电物质以制作背极板；S5：在背极板上形成若干声孔；S6：形成金属压焊点；S7：在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯穿衬底；以及，S8：去除部分第一绝缘层以于衬底背面露出振动体并使振动体和梁悬空，去除振动体、梁与背极板之间的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN101959105B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910160443.6
申请日：2009-07-12
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种静电式扬声器，涉及电声换能器领域。本发明提供的静电式扬声器包括：具有导电功能且设有若干声孔的一个或者两个背极板；具有导电功能且与所述一个或者两个背极板绝缘相隔一定距离形成电容的振动膜；驱动电路元件，用于将所述静电式扬声器从其外部接入点输入的电信号转化为驱动所述振动膜振动发声的驱动信号；背腔，其包括底板以及将底板和所述振动膜周围连接的侧墙；其中所述驱动电路元件固接在所述背腔内。静电式扬声器不仅比电动动圈式扬声器具有频率响应平坦、高频特性好、体积小、稳定性高、一致性好、抗干扰能力强的特点，而且本发明的体积小，适应目前消费性电子产品小型化发展的趋势。
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公开(公告)号：CN103991836A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310053119.0
申请日：2013-02-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统传感器及其制造方法，包括：S1、提供基片；S2、在基片上形成第一介质层，去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体；S3、去除第一介质层，于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜；S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体；S5、去除第二介质层，于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜；S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片；S7、形成第三掩膜图形，进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。
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公开(公告)号：CN103974182A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310030506.2
申请日：2013-01-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤：S1：提供具有正面和背面的衬底；S2：在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在第一绝缘层上形成背极板；S4：在背极板上形成若干声孔；S5：在背极板上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成振动体，于振动体上形成若干通孔；S6：形成金属压焊点；S7：在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯通衬底；以及，S8：去除部分第一氧化层以露出背极板，去除振动体和背极板之间的部分第二氧化层，且未去除的第二氧化层形成用以支撑振动体的密封环，所形成的密封环和背极板、振动体围设形成腔体。
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公开(公告)号：CN103248994A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210024962.1
申请日：2012-02-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81C1/00246 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 本发明揭示了一套“后半导体工艺”的基于SOI衬底的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法及其芯片，所述制作方法包括在完成标准半导体工艺的基片上采用低温工艺制作背极板、声音敏感膜、牺牲层等结构组成微硅麦克风，以实现微硅麦克风同基片上已有电路的集成，如此可将集成电路器件同微型硅麦克风集成在一起形成具有高灵敏度的单片集成芯片。
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