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公开(公告)号:CN118367049A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410791786.7
申请日:2024-06-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电导圆偏振光探测器及其制备方法,涉及光电探测领域,光电导圆偏振光探测器包括至少一个纳米手性结构;光敏层,其将所述纳米手性结构包覆且与所述纳米手性结构一一对应;所述光敏层的两端分别具有第一电极和第二电极。本发明将光电导与纳米手性结构进行结合所形成的光电导圆偏振光探测器具有较高的响应度和稳定性,同时能够较好地区分左旋圆和右旋圆偏振光。
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公开(公告)号:CN118138036B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410555028.5
申请日:2024-05-07
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种组合光电逻辑门,涉及半导体光电逻辑门领域,组合光电逻辑门包括多路选择器;所述多路选择器内部之间的逻辑门器件单元通过光信号进行级联;所述逻辑门器件单元由光调制结构、光电探测器和电光转换装置组成;所述光调制结构可以改变所述逻辑门器件单元的逻辑功能。本发明对单一的光电逻辑门器件单元实现了级联,实现了更为复杂的逻辑运算功能并且改进电信号工作方式,以光信号作为逻辑门单元间的级联信号,提高了逻辑运算的速度与准确率。
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公开(公告)号:CN117560976A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202410034889.9
申请日:2024-01-10
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器,涉及光电探测器领域,基于混维异质结光电探测器的性能提升方法包括建立评价光电探测器的性能指标,定义为响应度‑带宽积;调控混维异质结光电探测器的陷阱水平使所述光电探测器的所述性能指标达到第一响应度‑带宽积;调控入射光功率密度使所述光电探测器的所述性能指标达到第二响应度‑带宽积;对底部栅极进行调控使所述光电探测器的所述性能指标达到第三响应度‑带宽积;将所述第一响应度‑带宽积、第二响应度‑带宽积、第三响应度‑带宽积中值最大的一个作为所述光电探测器最佳的所述性能指标。本发明通过陷阱效应,光门控效应以及栅极调控三种机制协同作用,突破了光电探测器的响应度与响应时间的权衡,提升了光电探测器的综合性能。
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