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公开(公告)号：CN106316380B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201610693559.6
申请日：2016-08-19
Applicant: 苏州大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/40 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体材料及其制备方法，所述铁氧体材料具有分子式：AFe12‑xMxO19，其中A为Ba元素或Sr元素中的至少一种，M为Sc元素、Mg元素或Cr元素中的至少一种，x是M的原子比含量，且0＜x≤4；通过将高纯BaCO3、SrCO3、Fe2O3，Sc2O3、MgO或Cr2O3粉末药品按铁氧体材料分子式中的原子摩尔比进行配比、混合、球磨、烘干、预烧、研磨、加压、烧结处理获得。本发明的铁氧体材料具有较高的纯度，电阻率较高，在20Hz至2MHz的频率范围内都呈现出显著的磁电容效应，磁电容效应在2MHz以上仍然呈现一定的增加趋势，弥补了现有单相磁电容材料室温磁电容效应弱且频率范围窄的缺点。
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公开(公告)号：CN106431382A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610809230.1
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法，包括步骤：(1)制备以AFe12-xMxO19表示组成的铁氧体，其中A为Ba元素或Sr元素中的至少一种，M为Sc元素、Mg元素或Cr元素中的至少一种，x是M的含量：0＜x≤4；(2)在真空背景下，利用脉冲激光对铁氧体进行轰击，将轰击出来的铁氧体材料沉淀在基片上，在基片上生长铁氧体外延薄膜，其中，所述基片为单晶Si基片、Si/Pt基片、单晶Al2O3基片和单晶SrTiO3基片中的一种；(3)在铁氧体外延薄膜生长完后进行降温处理；(4)对铁氧体外延薄膜进行后退火处理。本发明制备的铁氧体外延薄膜具有室温宽频大磁电容效应，弥补了现有单相磁电容薄膜材料室温磁电容效应弱和频率范围窄的缺点。
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公开(公告)号：CN115753946A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211424156.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/416 , G01R31/00
Abstract: 本发明涉及低维材料电学性能变温测试台及变温测试装置，包括样品台，样品台上设置有凹槽，凹槽内设置有垫片，待测样品设置在垫片上；电极掩模板，覆盖设置在所述待测样品上；金属屏蔽环，其外径不大于所述垫片的外径，所述电极掩模板的外径小于所述金属屏蔽环的内径，且金属屏蔽环与垫片相抵接；探针，设置有至少四个，所述至少四个探针均沿所述凹槽周向设置在所述样品台上，所述电极掩模板上设置有至少四个探针孔，所述待测样品的电极端设置在所述探针孔内，所述探针的针尖穿过所述探针孔与所述待测样品的电极端相抵接，所述探针的另一端固定设置在所述样品台上。本发明易于精确定位，实验测试结果准确，测试效率较高。
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公开(公告)号：CN110764033B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201911129394.X
申请日：2019-11-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种小型多功能三维磁电测试系统，包括霍姆赫兹电磁线圈，其绕自身轴线旋转；铝合金样品台单元，其置于霍姆赫兹电磁线圈中两个电磁线圈之间，铝合金样品台单元包括自顶部至底部依次设置的样品台接头、接线和样品台，样品台接头通过磁电信号引线连接外部的电荷和/或电压检测单元，接线连接有中间镂空的PCB板，PCB板的镂空处放置薄膜状的磁电样品，PCB板设有多个电极，电极与接线相连，样品台设有绝缘的基底，PCB板的镂空正对至少部分基底，基底用于隔绝磁电样品与样品台接触；样品台支架，其可拆卸的置于霍姆赫兹电磁线圈之间；样品台与样品台支架可拆卸连接；套筒，其用于提供静电屏蔽功能，套筒套设于样品台接头的外部。
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公开(公告)号：CN111398370B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010251069.7
申请日：2020-04-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统，包括：用于测试介电性能的测试单元；绝缘的样品台，样品台上设有第一样品台电极和第二样品台电极；第一样品台电极和第二样品台电极分别与测试单元电连接；相对平行的第一电极和第二电极；第一电极与第一样品台电极电连接，第二电极与第二样品台电极电连接；第一电极和第二电极之间用于夹设微纳米尺寸图形化薄膜阵列；绝缘的测试夹具，其位于样品台上，测试夹具开设有用于放置第一电极、第二电极和微纳米尺寸图形化薄膜阵列的样品槽，测试夹具可拆卸连接有绝缘的紧固单元，紧固单元的一端位于样品槽内且用于对第一电极加压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112068052A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010969577.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度多功能变温磁电测试系统，该系统包括屏蔽盒、两霍姆赫兹线圈、励磁电源、控温仪表和电学测试仪表，屏蔽盒设于两霍姆赫兹线圈之间，两霍姆赫兹线圈通过引线与励磁电源连接，屏蔽盒内设有加热台，加热台上设有承载待测电学样品的绝缘样品台，电学测试仪表通过测试电线与待测电学样品连接，通过调节待测电学样品进行变磁场角度和强度条件下材料磁电性能测试，通过控温仪表与加热台连接进行温度控制，进行变温条件下材料磁电性能测试，通过向屏蔽盒内通入不同气氛环境，进行变气氛的材料磁电性能测试。本发明结构简单，可进行多种磁电性能测试，有效降低测试成本，并可实现对测试变量的精准控制，从而提高测试精度。
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公开(公告)号：CN111398370A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010251069.7
申请日：2020-04-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统，包括：用于测试介电性能的测试单元；绝缘的样品台，样品台上设有第一样品台电极和第二样品台电极；第一样品台电极和第二样品台电极分别与测试单元电连接；相对平行的第一电极和第二电极；第一电极与第一样品台电极电连接，第二电极与第二样品台电极电连接；第一电极和第二电极之间用于夹设微纳米尺寸图形化薄膜阵列；绝缘的测试夹具，其位于样品台上，测试夹具开设有用于放置第一电极、第二电极和微纳米尺寸图形化薄膜阵列的样品槽，测试夹具可拆卸连接有绝缘的紧固单元，紧固单元的一端位于样品槽内且用于对第一电极加压。
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公开(公告)号：CN110079760A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910355210.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及金属软磁薄膜技术领域，尤其涉及一种具有周期性微纳米级凹凸结构的金属软磁薄膜及其制备方法。本发明的具有周期性微纳米级凹凸结构的金属软磁薄膜，包括自下而上依次设置在基底上方且与基底形配合的金属缓冲层、软磁层和非磁性的抗氧化保护膜层，基底具有周期性微纳米级凹凸结构，金属缓冲层的厚度为5-50nm；软磁层的厚度为3-1000nm；抗氧化保护膜层的厚度为5-50nm。
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公开(公告)号：CN214750777U
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202120933412.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种变温磁电测试装置，包括与励磁电流源相连接的亥姆霍兹线圈，设于所述亥姆霍兹线圈内的样品台，通电后所述亥姆霍兹线圈内的区域产生磁场，该变温磁电测试装置还包括温控装置，所述温控装置包括控制模块和半导体制冷片，所述控制模块电连接所述半导体制冷片，所述半导体制冷片能够双向调节温度，所述半导体制冷片作用于所述样品台，以实现所述样品台表面的样品制冷或者制热。该测试装置可以控制温度升降，且同时具备制热和制冷功能，可以实现研究低温(零下)条件下材料的磁电性能，对测试变量的精准控制，结构简单，设计精巧。
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公开(公告)号：CN218917444U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202222546018.4
申请日：2022-09-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种电性能测试装置，包括：测试盒，由金属制成，包括设有空腔的壳体、盖合于所述壳体上的盖体，所述壳体的侧壁设有连通外界与空腔的通气接口；样品台，设于所述壳体的空腔内，用于置放待测试样品；加热台，设于所述壳体的空腔内，对所述样品台加热；探针，活动地设于所述样品台的至少一侧，所述探针的一端为自由端；测试时，调整所述探针的位置，使自由端移动至与所述样品台上的待测试样品接触。本实用新型针对环境敏感材料和器件的测试要求，设计一个体积小、成本低、高精度、具有多种测试功能的电性能测试装置，可不不同的外接仪表灵活搭配，实现在受限空间、特殊气氛要求下材料和器件的电测试需求。
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