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公开(公告)号：CN113410211A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110268041.9
申请日：2021-03-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请涉及形成微电子装置的方法，以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括第一导电结构、阻挡结构、导电衬里结构和第二导电结构。所述第一导电结构在第一介电结构中的第一填充开口内。所述阻挡结构在所述第一介电结构中的所述第一填充开口内且竖直地上覆所述第一导电结构。所述导电衬里结构在所述阻挡结构上且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内。所述第二导电结构竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
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公开(公告)号：CN112908932A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011374760.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请案涉及存储器装置及电子系统以及相关设备及方法。所述设备包括至少一个接触结构。所述至少一个接触结构包括接点、上覆于所述接点的绝缘材料及所述绝缘材料中的至少一个接触通孔。所述至少一个接触结构还包括所述接触通孔内邻近所述绝缘材料的电介质衬层材料、邻近所述电介质衬层材料的导电材料及邻近所述导电材料且在所述至少一个接触通孔的中心部分中的应力补偿材料。所述应力补偿材料至少部分由所述导电材料环绕。
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公开(公告)号：CN118354608A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410473635.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及在导电层面中具有导电轨的三维存储器以及相关设备、系统及方法。电子装置(例如，半导体装置，其可经配置用于3D NAND装置)包括延伸穿过交替的导电层面及绝缘层面的堆叠的柱。可包含用于存取线(例如，字线)的控制栅极的所述导电层面包含沿着所述导电层面的外侧壁的导电轨，所述导电轨在延伸穿过所述导电层面的所述柱远端。所述导电轨侧向地突出超过所述绝缘层面的外侧壁。与可以其它方式位于所述导电层面中的导电材料相比，所述导电轨增加了导电材料量，这可使所述导电材料能够展现更低电阻，从而改善所述电子装置的操作性能。
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公开(公告)号：CN113394224B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110259233.3
申请日：2021-03-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、阶梯结构、导电衬垫结构和导电接触结构。所述堆叠结构包括布置于层次中的竖直交替的导电结构和绝缘结构。所述层次中的每一个分别包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个。所述阶梯结构具有包括所述堆叠结构的所述层次中的至少一些的边缘的台阶。所述导电衬垫结构处于所述阶梯结构的所述台阶上并且包括贝塔相钨。所述导电接触结构处于所述导电衬垫结构上。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
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公开(公告)号：CN112397524B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010807945.X
申请日：2020-08-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及在导电层面中具有导电轨的三维存储器以及相关设备、系统及方法。电子装置(例如，半导体装置，其可经配置用于3D NAND装置)包括延伸穿过交替的导电层面及绝缘层面的堆叠的柱。可包含用于存取线(例如，字线)的控制栅极的所述导电层面包含沿着所述导电层面的外侧壁的导电轨，所述导电轨在延伸穿过所述导电层面的所述柱远端。所述导电轨侧向地突出超过所述绝缘层面的外侧壁。与可以其它方式位于所述导电层面中的导电材料相比，所述导电轨增加了导电材料量，这可使所述导电材料能够展现更低电阻，从而改善所述电子装置的操作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117296465A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280033473.4
申请日：2022-04-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B41/35
Abstract: 一种存储器阵列包括个别地包括包含交替的绝缘阶层及导电阶层的垂直堆叠的横向隔开的存储器块。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘阶层及所述导电阶层。所述横向隔开的存储器块在所述导电阶层的下导电阶层中包括靠近所述横向隔开的存储器块的横向外侧沿着所述横向隔开的存储器块纵向延伸的元素形式金属。金属硅化物或金属锗化合物在所述下导电阶层中直接抵靠所述元素形式金属的横向内侧且在所述下导电阶层中沿着所述横向隔开的存储器块纵向延伸。所述金属硅化物或所述金属锗化合物的金属相同于所述元素形式金属的金属。公开其它实施例，包含方法。
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公开(公告)号：CN117178647A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280026172.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/30
Abstract: 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含第一介电材料；第二介电材料，其与所述第一介电材料分离；存储器单元串，其包含延伸穿过所述第一及第二介电材料的支柱，所述支柱包含在所述第一与第二介电材料之间的一部分；及钨材料，其定位于所述第一与第二介电材料之间且通过额外介电材料与所述支柱的所述部分及所述第一及第二介电材料分离。所述额外介电材料具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。所述额外介电材料接触所述支柱的所述部分及所述钨材料。
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公开(公告)号：CN117082871A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310293417.0
申请日：2023-03-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括导体层级，其包括导体材料。横向间隔的存储器块个别地包括垂直堆叠，其包括交替绝缘层级及导电层级。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。所述导电层级中的最下者的传导材料直接将所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料与所述导体层级的所述导体材料电耦合在一起。所述导体材料的最上部分包括直接抵靠所述传导材料、具有不同于所述传导材料的组成的组成且包括碳、氮、氧、金属及还包括硼的n型导电掺杂的半导电材料中的至少一者的导电掺杂的半导电材料。
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公开(公告)号：CN116034641A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180046104.4
申请日：2021-07-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/50
Abstract: 一种用于形成集成电路系统的导电通孔的方法包括在竖向细长开口的侧壁上方侧向形成衬里。所述衬里包括元素形态硅。在所述竖向细长开口中离子植入所述衬里的最上部分的所述元素形态硅。相对于所述衬里的处于所述最上部分下方的下部部分的不经历所述离子植入的所述元素形态硅，选择性地蚀刻所述衬里的所述最上部分的所述经离子植入的元素形态硅。使所述衬里的所述下部部分的所述元素形态硅与金属卤化物反应以形成所述竖向细长开口的下部部分中的元素形态金属，所述元素形态金属是来自所述金属卤化物的金属。在所述竖向细长开口中在所述元素形态金属顶上并且直接抵靠所述元素形态金属形成导电材料。本文公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN115623782A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210833172.1
申请日：2022-07-14
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及一种包括存储器单元串的存储器阵列及一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层级。横向间隔的存储器块区域个别地包括包含直接形成于所述导体层级上方的交替第一层级及第二层级的垂直堆叠。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述第一层级及所述第二层级。所述第一层级中的下者包括牺牲材料。水平伸长的狭槽在所述存储器块区域中的个别者中形成穿过所述第一及第二层级到所述牺牲材料以在所述个别存储器块区域中形成横向间隔的子块区域。所述牺牲材料通过所述水平伸长的狭槽从所述下第一层级各向同性地蚀刻。
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