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    储能器的充电
    11.
    发明授权
    储能器的充电 有权

    公开(公告)号：CN103348553B

    公开(公告)日：2015-12-16

    申请号：CN201180067116.1

    申请日：2011-12-29

    Applicant: 罗伯特·博世有限公司

    Inventor： P.福伊尔施塔克 ,  E.魏森博恩 ,  M.凯斯勒

    IPC: H02J1/00 ,  H02J7/00 ,  B60L11/18 ,  H02M5/00 ,  H02M7/00 ,  H02P7/00 ,  H02J7/02

    CPC classification number: H02J7/022 ,  B60L11/1803 ,  H02J7/0024 ,  H02J7/0055 ,  H02J7/1492 ,  H02J2007/0059 ,  H02J2007/0067 ,  H02M2007/4835 ,  H02P27/06 ,  Y02E10/766 ,  Y02T10/642 ,  Y02T10/7005 ,  Y02T10/7055 ,  Y02T10/92

    Abstract: 本发明涉及一种用于对可控储能器（2）中的至少一个储能器单元（5）充电的系统，所述可控储能器（2）用于对n相电机（1）进行控制和电能供给，其中n≥1。在此，可控储能器（2）具有n个并行的能量供给分支（3－1，3－2，3－3），这些能量供给分支分别具有至少两个串联的储能器模块（4），所述储能器模块（4）分别包括至少一个电储能器单元（5）与所分配的可控的耦合单元（6）。能量供给分支（3－1，3－2，3－3）在一侧能与参考汇流排（T-）连接，并且在另一侧能与电机（1）的每一相（U，V，W）连接。根据控制信号，耦合单元（6）跨接分别所分配的储能器单元（5）或者将所述分别所分配的储能器单元（5）接通到相应的能量供给分支（3－1，3－2；3－3）中。为了使得能够对至少一个储能器单元（5）充电，能量供给分支（3－1，3－2，3－3）分别通过可控的开关元件（21－1；21－2；21－3）能与充电变压器（10';10-1'';10-2'';10-3''）的每一个次级侧（9－1';9-1'';9-2';9-2'';9-3';9-3''）连接并且能与所述次级侧分开，其中在能量供给分支（3－1，3－2，3－3）和充电变压器（10';10-1'';10-2'';10-3''）的次级侧（9－1';9-1'';9-2';9-2'';9-3';9-3''）之间的连接线路中分别布置附加的充电电感（20－1；20－2；20－3）。

    具有减小的单池电感的蓄电池单池
    15.
    发明公开
    具有减小的单池电感的蓄电池单池 有权

    公开(公告)号：CN103270638A

    公开(公告)日：2013-08-28

    申请号：CN201180063346.0

    申请日：2011-11-14

    Applicant: 罗伯特·博世有限公司

    Inventor： M.凯斯勒 ,  P.福伊尔施塔克 ,  E.魏森博恩

    IPC: H01M10/04 ,  H01M2/26

    CPC classification number: H01M2/26 ,  H01M2/263 ,  H01M10/0413 ,  H01M10/0431 ,  H01M10/0463

    Abstract: 本发明涉及一种蓄电池单池（101；101'；101''；101'''），具有：第一电极膜（102）和第二电极膜（103），第一电极膜（102）和第二电极膜（103）与位于其间的隔离器一起卷绕成线圈（104；104'''）；第一极端子（105；105''；105'''）和第二极端子（106；106''；106'''），其用于将蓄电池单池（101；101'；101''；101'''）与外部布线连接；第一连接元件（107；107'；107'''），其将第一极端子（105；105''；105'''）与第一电极膜（102）电连接；以及第二连接元件（108；108'；108'''），其将第二极端子（106；106''；106'''）与第二电极膜（103）电连接。根据本发明，这两个连接元件（105，107；105''，107''；105'''，107'''）接触线圈的第一端侧（110；110'）上的相应电极膜（102；103）。

    功率半导体的过压保护电路和保护功率半导体不受过压损害的方法
    18.
    发明授权
    功率半导体的过压保护电路和保护功率半导体不受过压损害的方法 有权

    公开(公告)号：CN105659497B

    公开(公告)日：2019-04-30

    申请号：CN201480059331.0

    申请日：2014-10-21

    Applicant: 罗伯特·博世有限公司

    Inventor： C.普尔卡雷亚 ,  P.福伊尔施塔克

    IPC: H03K17/082 ,  H02M1/32

    Abstract: 本发明创造了一种过压保护电路5以及一种用于保护功率半导体（31，32）不受过压损害的方法。为此，在功率半导体开关上附着的电压首先借助电阻分压器被转换到与附在功率半导体开关上的电压相一致的低电压信号。于是，被减小的电压信号通过过压检测器（例如齐纳二极管或者抑制二极管）被分析，并且在超过该二极管的响应电压时，要被保护的功率半导体开关被操控。通过借助于分压器来降低电压水平，具有较低的电压水平的齐纳二极管或者抑制二极管能够被用来监控过压，所述齐纳二极管或者抑制二极管相对于相对应的具有较高的电压水平的二极管具有被改善的运行特性。

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